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《表面化學(xué)分析 輝光放電發(fā)射光譜方法通則》修訂稿征求意見(jiàn)
2023年05月17日 09:25:11 來(lái)源:化工儀器網(wǎng) 作者:宋池 點(diǎn)擊量:3733

近日,國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)計(jì)劃《表面化學(xué)分析 輝光放電發(fā)射光譜方法通則》正在征求意見(jiàn)。該標(biāo)準(zhǔn)將國(guó)際標(biāo)準(zhǔn) ISO 14707:2021 等同轉(zhuǎn)化為國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),為輝光放電發(fā)射光譜分析提供了最新的指導(dǎo)。

  【化工儀器網(wǎng) 標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布】近日,國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)計(jì)劃《表面化學(xué)分析 輝光放電發(fā)射光譜方法通則》完成起草工作,正在征求意見(jiàn),截止日期為2023年7月9日。該標(biāo)準(zhǔn)等同采用ISO國(guó)際標(biāo)準(zhǔn):ISO 14707:2021,由TC38(全國(guó)微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì))歸口,TC38SC2(全國(guó)微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)表面化學(xué)分析分會(huì))執(zhí)行,主要起草單位為寶山鋼鐵股份有限公司。
 
  輝光放電發(fā)射光譜法(GD-OES)是將表面剝離和元素分析相結(jié)合的薄膜材料表征技術(shù),既可以進(jìn)行體材分析,也可以進(jìn)行深度剖析。GD-OES具有眾多優(yōu)點(diǎn),包括基體效應(yīng)小、低功率、低能級(jí)激發(fā)、自吸收效應(yīng)小、分析速度快且深度分辨率高、可探測(cè)所有元素(包括氫)等,因此被廣泛應(yīng)用于鋼鐵和汽車表面涂層、表面抗菌、電鍍層、半導(dǎo)體和氣相沉積薄膜等元素成分的剖面分析。
 
  我國(guó)原有的GB/T 19502-2004《表面化學(xué)分析 輝光放電發(fā)射光譜方法通則》等同采用ISO國(guó)際標(biāo)準(zhǔn):ISO 14707:2000。2021年3月12日,新的GD-OES國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)ISO 14707:2021正式公布。為了使輝光放電發(fā)射光譜分析技術(shù)盡快與國(guó)際接軌,國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)于2021年啟動(dòng)《表面化學(xué)分析 輝光放電發(fā)射光譜方法通則》修訂工作,將國(guó)際標(biāo)準(zhǔn) ISO 14707:2021 等同轉(zhuǎn)化為國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)。
 
  《表面化學(xué)分析 輝光放電發(fā)射光譜方法通則》討論的方法通則為剛性固體樣品的分析,不包括粉末、氣體或溶液的分析,適用于 Grimm 型光源、Marcus 型光源以及其他類型的光源。標(biāo)準(zhǔn)具體內(nèi)容包括輝光放電發(fā)射光譜分析的原理、儀器組成部分、分析步驟等。
 
  與 GB/T 19502-2004 相比較,除部分編輯性修改外,修訂后的標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容主要技術(shù)變化如下:
 
  ——增加了原標(biāo)準(zhǔn) 4 原理中 CCD 檢測(cè)器的應(yīng)用。
 
  ——修改了原標(biāo)準(zhǔn) 5.1.1 中放電電流、放電電壓、氣體流速和射頻頻率等光源參數(shù)的適用范圍。
 
  ——刪除了原標(biāo)準(zhǔn) 5.2 中使用 CCD 和 CID 檢測(cè)器的特別說(shuō)明。
 
  ——增加了原標(biāo)準(zhǔn) 5.3 中 CCD 和 CID 檢測(cè)器的應(yīng)用。
 
  ——增加了原標(biāo)準(zhǔn) 6.2.2 中深度剖析定量分析所選擇工作曲線樣品“應(yīng)具有可測(cè)定、可再現(xiàn)的濺射
 
  率”的要求。
 
  ——增加了原標(biāo)準(zhǔn) 6.2.3 中計(jì)算工作曲線函數(shù)的要求。
 
  儀器分析的質(zhì)量主要取決于如何使儀器處于最佳狀態(tài)和如何正確地使用儀器?!侗砻婊瘜W(xué)分析 輝光放電發(fā)射光譜方法通則》的修訂為輝光放電發(fā)射光譜分析提供了最新的指導(dǎo),可以讓我國(guó)的輝光放電發(fā)射光譜分析能力與國(guó)際先進(jìn)水平保持一致。
 
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