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化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>半導(dǎo)體行業(yè)專用儀器>組裝與封裝設(shè)備>芯片開(kāi)封機(jī)>ZG SOI芯片光電探測(cè)器-混頻光 電探 測(cè) 器陣列

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ZG SOI芯片光電探測(cè)器-混頻光 電探 測(cè) 器陣列

參考價(jià) 9999
訂貨量 ≥1
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 四川梓冠光電科技有限公司
  • 品牌 梓冠
  • 型號(hào) ZG
  • 產(chǎn)地 經(jīng)開(kāi)區(qū)電子制造產(chǎn)業(yè)園16棟3樓
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間 2025/5/10 14:52:42
  • 訪問(wèn)次數(shù) 1338

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   四川梓冠光電科技有限公司成立于2015年8月,位于中國(guó)科技城——綿陽(yáng)。主要致力于光通信設(shè)備和光通訊芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)及銷售;是一家擁有自主研發(fā)能力及規(guī)模性量產(chǎn)能力的光通信高新技術(shù)企業(yè)。

以前瞻目光勾勒光通訊信息產(chǎn)業(yè)新藍(lán)圖,四川梓冠光電科技有限公司致力于光通信產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,是一家集研究、開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)、銷售為一體的高科技企業(yè)。秉承用創(chuàng)新的方法和工匠的精神,突現(xiàn)光纖相關(guān)模塊及器件的升級(jí)、迭代,從服務(wù)中國(guó)起步,業(yè)務(wù)觸及全球。

梓冠光電自成立以來(lái),持續(xù)投入研發(fā),吸納通信行業(yè)技術(shù)人才,其中博士占比人數(shù)5.7%

本科占比人數(shù)22.8%。公司產(chǎn)品日漸趨于多元化,不僅擁有行業(yè)水平的光開(kāi)關(guān)、光衰減器、光纖延遲線、硅基系列光芯片、光纖合束器、MEMS光開(kāi)關(guān)、高速光探測(cè)器、硅基高速器件、脈沖光纖激光器、飛秒光纖激光器、半導(dǎo)體光纖激光器及光路保護(hù)設(shè)備(OXC)等產(chǎn)品。公司還為激光雷達(dá)系統(tǒng)、量子通訊系統(tǒng)、激光聚變成像傳輸系統(tǒng)等提供核心的高精端光器件;

其中光纖延遲器被省經(jīng)信委評(píng)定為高水平。產(chǎn)品技術(shù)獲得多項(xiàng)認(rèn)證,其中發(fā)明10余項(xiàng),外觀,軟著,實(shí)用新型等共20余項(xiàng)。

20247月成立西安技術(shù)中心,主要針對(duì)微波射頻、超快光纖激光器,測(cè)風(fēng)激光器雷達(dá),激光測(cè)距雷達(dá),有害氣體檢測(cè)激光系統(tǒng)等產(chǎn)品進(jìn)行研發(fā)生產(chǎn)。

目前,公司已與華為、中航、中電、中物院、中科院、高校、航天等企業(yè)、單位達(dá)成長(zhǎng)期穩(wěn)定的戰(zhàn)略合作;在全體同仁共同努力下斬獲幾十余項(xiàng)發(fā)明,經(jīng)開(kāi)區(qū)優(yōu)秀知識(shí)產(chǎn)權(quán)企業(yè),榮獲國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)等稱號(hào)。


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延遲線、光開(kāi)關(guān)、光衰減器、光纖激光器、光源、光纖放大器、光探測(cè)器、WDM準(zhǔn)直器、光隔離器、環(huán)形器(三端口、四端口)、偏振分束器/合束器、起偏器、耦合器、單纖/雙纖準(zhǔn)直器、激光準(zhǔn)直器、光纖反射鏡、光纖旋轉(zhuǎn)器、偏振控制器(三環(huán)、擠壓式)、光柵、波分復(fù)用器(CWDM/DWDM)等


SOI芯片光電探測(cè)器陣列-混頻光電探測(cè)器陣列


SOI芯片式光電探測(cè)器陣列,該產(chǎn)品基于硅基鍺-硅光電探測(cè)器,實(shí)現(xiàn)了多通道光電探測(cè)器的單片化集成,可片上集成光學(xué)混頻器,芯片尺寸小,集成度高,偏振相關(guān)性小,模擬帶寬大,可提供裸片或光電一體化封裝產(chǎn)品方案。

SOI芯片光電探測(cè)器-混頻光電探測(cè)器陣列特性

  • 多通道

  • 高集成度芯片化

  • 大模擬帶寬

SOI芯片光電探測(cè)器-混頻光電探測(cè)器陣列應(yīng)用領(lǐng)域

  • 光纖傳感

  • 光纖通信

  • 激光雷達(dá)

SOI芯片光電探測(cè)器-混頻光電探測(cè)器陣列規(guī)格參數(shù)

    參數(shù)指標(biāo)單位最小值典型值最大值
    波長(zhǎng)范圍
nm
1530nm-1570nm or 1270nm-1330nm
    暗電流
nA


30@-1V,
    3dB 模擬帶寬
GHz


30@-2V
    光飽和功率
mW
10


    響應(yīng)度
A/W
0.8


    90度光學(xué)混頻器損耗
dB
66.56.7
    90度光學(xué)混頻器相位失衡度
°
5

    通道數(shù)

1,2,3,4,5 或可定制
    光纖接入損耗
dB
≤1.5
    偏振相關(guān)損耗
dB
≤0.5
    工作溫度范圍

-20
50
    工作濕度范圍
%


+65
    芯片尺寸
mm

陣列式光電探測(cè)器:0.75(L)x0.42(W)x0.5(H)@1CH

陣列式混頻探測(cè)器:1.3(L)x0.9(W)X0.5(H)@1CH

4 通道混頻探測(cè)器:1.3(L)x3.1(W)x0.5(H)





















SOI芯片光電探測(cè)器-混頻光電探測(cè)器陣列芯片尺寸

SOI芯片光電探測(cè)器-混頻光 電探 測(cè) 器陣列


SOI芯片光電探測(cè)器-混頻光 電探 測(cè) 器陣列


四川梓冠光電SOI芯片光電探測(cè)器陣列訂貨信息

ZG波長(zhǎng)
通道數(shù)
類型
13=1310nm
15=1550nm
1=1CH
4=4CH
8=8CH
16=CH
48=48CH
XX=other
1=光電探測(cè)器
1=PD
2=混頻器
2=Mixer
XX=other


SOI芯片式光電探測(cè)器陣列,該產(chǎn)品基于硅基鍺-硅光電探測(cè)器,實(shí)現(xiàn)了多通道光電探測(cè)器的單片化集成,可片上集成光學(xué)混頻器,芯片尺寸小,集成度高,偏振相關(guān)性小,模擬帶寬大,可提供裸片或光電一體化封裝產(chǎn)品方案。

SOI芯片光電探測(cè)器-混頻光電探測(cè)器陣列特性

  • 多通道

  • 高集成度芯片化

  • 大模擬帶寬

SOI芯片光電探測(cè)器-混頻光電探測(cè)器陣列應(yīng)用領(lǐng)域

  • 光纖傳感

  • 光纖通信

  • 激光雷達(dá)

SOI芯片光電探測(cè)器-混頻光電探測(cè)器陣列規(guī)格參數(shù)

    參數(shù)指標(biāo)單位最小值典型值最大值
    波長(zhǎng)范圍
nm
1530nm-1570nm or 1270nm-1330nm
    暗電流
nA


30@-1V,
    3dB 模擬帶寬
GHz


30@-2V
    光飽和功率
mW
10


    響應(yīng)度
A/W
0.8


    90度光學(xué)混頻器損耗
dB
66.56.7
    90度光學(xué)混頻器相位失衡度
°
5

    通道數(shù)

1,2,3,4,5 或可定制
    光纖接入損耗
dB
≤1.5
    偏振相關(guān)損耗
dB
≤0.5
    工作溫度范圍

-20
50
    工作濕度范圍
%


+65
    芯片尺寸
mm

陣列式光電探測(cè)器:0.75(L)x0.42(W)x0.5(H)@1CH

陣列式混頻探測(cè)器:1.3(L)x0.9(W)X0.5(H)@1CH

4 通道混頻探測(cè)器:1.3(L)x3.1(W)x0.5(H)





















SOI芯片光電探測(cè)器-混頻光電探測(cè)器陣列芯片尺寸

SOI芯片光電探測(cè)器-混頻光 電探 測(cè) 器陣列


SOI芯片光電探測(cè)器-混頻光 電探 測(cè) 器陣列


四川梓冠光電SOI芯片光電探測(cè)器陣列訂貨信息

ZG波長(zhǎng)
通道數(shù)
類型
13=1310nm
15=1550nm
1=1CH
4=4CH
8=8CH
16=CH
48=48CH
XX=other
1=光電探測(cè)器
1=PD
2=混頻器
2=Mixer
XX=other




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