ZG SOI芯片光延時(shí)線
參考價(jià) | ¥ 9888 |
訂貨量 | ≥1件 |
- 公司名稱 四川梓冠光電科技有限公司
- 品牌 梓冠
- 型號(hào) ZG
- 產(chǎn)地 經(jīng)開(kāi)區(qū)電子制造產(chǎn)業(yè)園16棟3樓
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2025/5/10 14:38:29
- 訪問(wèn)次數(shù) 1340
單片集成 10比特光延時(shí)芯片單片集成 6 比特光延時(shí)芯片單片集成 6 比特光延時(shí)芯片單片集成 6 比特光延時(shí)芯片單片集成 6 比特光延時(shí)芯片
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延遲線、光開(kāi)關(guān)、光衰減器、光纖激光器、光源、光纖放大器、光探測(cè)器、WDM準(zhǔn)直器、光隔離器、環(huán)形器(三端口、四端口)、偏振分束器/合束器、起偏器、耦合器、單纖/雙纖準(zhǔn)直器、激光準(zhǔn)直器、光纖反射鏡、光纖旋轉(zhuǎn)器、偏振控制器(三環(huán)、擠壓式)、光柵、波分復(fù)用器(CWDM/DWDM)等
SOI芯片光延時(shí)線
一、SOI芯片光延時(shí)線的定義
SOI芯片式低偏振相關(guān)損耗可調(diào)光延時(shí)線,該產(chǎn)品基于級(jí)聯(lián)的高速光開(kāi)關(guān)和延時(shí)光路組成,實(shí)現(xiàn)大量程、高精度量化可調(diào)光延時(shí)線的片上集成,本產(chǎn)品通過(guò)創(chuàng)新設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了超低偏振相關(guān)性損耗,芯片尺寸小,集成度高,可提供裸片或光電一體化封裝產(chǎn)品方案。
二、SOI芯片光延時(shí)線的特點(diǎn)
多通道
高集成度芯片化
高速響應(yīng)
三、SOI芯片光延時(shí)線的應(yīng)用
光纖傳感
光纖通信
激光雷達(dá)
四、SOI芯片光延時(shí)線的性能指標(biāo)
參數(shù)指標(biāo) | 單位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
波長(zhǎng)范圍 | nm | 1530nm-1570nm or 1270nm-1330nm | ||
單級(jí)熱調(diào)功耗 | mW | 100 | ||
單級(jí)電調(diào)功耗 | mW | 10 | ||
光纖接入損耗 | dB | 12@9 bit | ||
偏振相關(guān)損耗 | dB | 0.5 | ||
延時(shí)量精度 | ps | 30@2048 pS | ||
延遲步進(jìn) | ps | 2 | ||
平坦度 | dB | <0.5 dB@2048 pS | ||
響應(yīng)速率 | Hz | >20kHz@熱調(diào)試模式,>10MHz@電調(diào)模式 | ||
最大延時(shí)量 | ps | 1024/2048 或可定制 | ||
延時(shí)量量化位數(shù) | bit | 10或可定制 | ||
通道數(shù) | 1或可定制 | |||
工作溫度范圍 | ℃ | -20 | 50 | |
工作濕度范圍 | % | +65 | ||
芯片尺寸 | mm | 8.1(L)x2.3(W)x0.5(H) |
五、SOI芯片光延時(shí)線的芯片尺寸
六、四川梓冠光電
SOI芯片光延時(shí)線
訂貨信息
波長(zhǎng) | 類型 | 通道數(shù) |
13=1310nm 15=1550nm | 10-2048=10 bit,2048 ps XX=other | 1=1CH,4=4CH,8=8CH,16=CH 48=48CH,XX=0ther |