PECVD-601/801/1201 化學氣相沉積（PECVD）

應用方向：科研與教學

產(chǎn)品優(yōu)勢： 高性能薄膜制備

產(chǎn)品配置：

★樣片數(shù)量及尺寸：1片Ф6英寸

★沉積材料：包括并不限于硅基（Si）薄膜、碳基（C）薄膜、硅鍺合金（SiGe）、鎢硅合金（WSi2）、W、SiC。

★沉積腔體：高真空系統(tǒng)

★沉積不均勻性：±3%-±6%

★沉積速率：20-600nm/min（視具體材料與工藝）

★工作臺：可升降，高度可調(diào)

★加熱：常規(guī)加熱，可選高溫加熱

★電源配置：射頻；直流偏壓

★氣路數(shù)量與種類：標配4路氣路 或 用戶選配 

★光學性能監(jiān)測：可選配橢偏儀在線監(jiān)測系統(tǒng)

★漸變折射率薄膜制備：可選配快速流量變化與控制系統(tǒng)

★操作模式：全自動+半自動控制

類似產(chǎn)品：帶預真空室（PECVD-8100）