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艾博納 磁控濺射鍍膜

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艾博納微納米科技(江蘇)有限公司致力于科研器材的研發(fā)與生產(chǎn),以國際科研單位力量為支點,凝聚社會力量共同謀求推動全“人類科學(xué)發(fā)展與進步”。艾博納微納米科技(江蘇)有限公司創(chuàng)立于中國江蘇,用戶群體分布于世界各國以及國內(nèi)大陸大部分地區(qū)。公司主營業(yè)務(wù)有物理科研器材、二維材料轉(zhuǎn)移裝置、二維材料微納加工設(shè)備、微納米光學(xué)系統(tǒng)包括遠場以及近場全波段光學(xué)顯微系統(tǒng)研發(fā)、國產(chǎn)原子力顯微鏡、耗材(包含氮化硼國產(chǎn)高質(zhì)量生長等各種晶體、硅片、超干凈藍膜膠帶等)、其他二維材料制備相關(guān)設(shè)備如等離子處理儀、顯像設(shè)備等。所有經(jīng)由我司售賣的產(chǎn)品均享受售后保障,用戶可放心購買。

 

 

探針臺,二維材料轉(zhuǎn)移臺,金相顯微鏡,步進電機,步進電機控制器,原子力顯微鏡,拉曼光譜儀

價格區(qū)間 面議 行業(yè)專用類型 通用
儀器種類 臺式/落地式 應(yīng)用領(lǐng)域 環(huán)保,生物產(chǎn)業(yè),地礦,能源,電氣
  磁控濺射鍍膜(Magnetron Sputtering)是一種基于物理氣相沉積(PVD)的先進薄膜制備技術(shù),廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光學(xué)、裝飾、功能涂層等領(lǐng)域。其核心原理是通過磁場約束電子運動,顯著提高濺射效率和薄膜質(zhì)量。以下是其原理與技術(shù)的詳細介紹:
  一、磁控濺射鍍膜的基本原理
  濺射現(xiàn)象
  在真空環(huán)境中,高能粒子(如氬離子)轟擊靶材(鍍膜材料),通過動量傳遞使靶材原子或分子脫離表面,沉積在基片(襯底)上形成薄膜。
  磁場的引入
  磁場的作用:在靶材表面附近施加閉合磁場(通常由永磁體或電磁線圈產(chǎn)生),利用洛倫茲力約束電子運動路徑,形成高密度等離子體區(qū)域(稱為“跑道環(huán)”)。
  電子約束效果:磁場使電子沿螺旋軌跡運動,延長其在等離子體中的路徑,增加與氣體分子的碰撞概率,從而提高氬氣的電離率。這一過程顯著提高了濺射速率(相比傳統(tǒng)濺射效率提升5-10倍)。
  低溫濺射優(yōu)勢
  磁場約束減少了高能電子對基片的轟擊,使得基片溫度較低(適合對溫度敏感的基材,如塑料或柔性材料)。
  二、磁控濺射的關(guān)鍵技術(shù)
  設(shè)備組成
  靶材:金屬、合金或陶瓷材料,形狀多為圓形或矩形。
  磁場系統(tǒng):設(shè)計磁場分布以優(yōu)化等離子體均勻性(如非平衡磁場技術(shù))。
  真空腔室:維持高真空環(huán)境(通常10??~10?? Pa),通入工作氣體(氬氣為主)。
  電源:直流(DC)、射頻(RF)或脈沖電源(適用于絕緣材料)。
  工藝參數(shù)控制
  氣壓:較低氣壓(0.1~10 Pa)有利于高能粒子轟擊靶材,但需平衡等離子體密度。
  功率密度:直接影響濺射速率,需根據(jù)靶材導(dǎo)熱性調(diào)整以避免過熱。
  基片溫度與偏壓:基片加熱或施加負偏壓可改善薄膜致密性和附著力。
  靶基距:距離過近易導(dǎo)致膜層不均勻,過遠則降低沉積速率。
  材料與模式選擇
  反應(yīng)磁控濺射:通入反應(yīng)氣體(如O?、N?)制備氧化物、氮化物等化合物薄膜(如Al?O?、TiN)。
  共濺射:多靶協(xié)同工作,制備合金或多層復(fù)合薄膜(如TiAlN)。
  高功率脈沖磁控濺射(HiPIMS):通過短脈沖高功率產(chǎn)生高離化率等離子體,獲得致密、高性能薄膜。
  三、應(yīng)用領(lǐng)域
  半導(dǎo)體與電子:金屬互連層(Al、Cu)、絕緣層(SiO?)、透明導(dǎo)電膜(ITO)。
  光學(xué)鍍膜:增透膜、反射鏡、濾光片(如TiO?/SiO?多層結(jié)構(gòu))。
  硬質(zhì)涂層:工具表面鍍TiN、CrN以提高耐磨性。
  柔性電子:在PET等基材上沉積透明導(dǎo)電膜用于柔性顯示屏。
  新能源:太陽能電池的透明電極、鋰電集流體涂層。
  四、技術(shù)優(yōu)勢與挑戰(zhàn)
  優(yōu)勢:
  沉積速率高,薄膜均勻性好(厚度偏差<±5%)。
  基片溫度低,適用材料廣泛(金屬、陶瓷、聚合物)。
  可精確調(diào)控薄膜成分與結(jié)構(gòu)(如梯度膜、納米多層膜)。
  挑戰(zhàn):
  復(fù)雜結(jié)構(gòu)鍍膜:深孔或三維結(jié)構(gòu)內(nèi)壁覆蓋困難(需輔助離子源或脈沖技術(shù))。
  靶材利用率:傳統(tǒng)平面靶利用率僅20-30%,旋轉(zhuǎn)靶可提升至70%以上。
  成本:高純靶材與真空設(shè)備初期投資較高。
  五、發(fā)展趨勢
  高離化率技術(shù):HiPIMS、雙磁控濺射等提升薄膜致密度與結(jié)合力。
  復(fù)合工藝:與電弧離子鍍、CVD結(jié)合實現(xiàn)多功能涂層。
  智能化控制:通過等離子體診斷與機器學(xué)習(xí)優(yōu)化工藝參數(shù)。
  綠色制造:開發(fā)低功耗電源、可回收靶材以減少環(huán)境影響。
  磁控濺射鍍膜憑借其高效、可控性強等優(yōu)勢,已成為現(xiàn)代工業(yè)中的薄膜制備技術(shù)。未來隨著新材料的涌現(xiàn)和工藝創(chuàng)新,其應(yīng)用范圍將進一步擴展至生物醫(yī)療、量子器件等前沿領(lǐng)域。


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