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捷尼賽思 原子層沉積

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原子層沉積

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深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司是集半導(dǎo)體儀器裝備代理及技術(shù)服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)。

致力于提供半導(dǎo)體前道制程工藝裝備、后道封裝裝備、半導(dǎo)體分析測(cè)試設(shè)備、半導(dǎo)體光電測(cè)試儀表及相關(guān)儀器裝備維護(hù)、保養(yǎng)、售后技術(shù)支持及實(shí)驗(yàn)室整體服務(wù)。

公司目前已授實(shí)用新型權(quán)利 29 項(xiàng)，軟件著作權(quán) 14 項(xiàng)，是創(chuàng)新型中小企業(yè)、科技型中小企業(yè)、規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)。










冷熱臺(tái)，快速退火爐，光刻機(jī)，納米壓印、磁控濺射，電子束蒸發(fā)

價(jià)格區(qū)間 面議 應(yīng)用領(lǐng)域 綜合

材料選擇

多種 ALD 材料可供選擇，可滿足您的要求。 多年來，Beneq 一直是用于研發(fā)和工業(yè)生產(chǎn)的卷對(duì)卷原子層沉積系統(tǒng)的先驅(qū)。我們的常用材料包括 Al?O?、TiO?、ZnO、ZnS、SiO? 或可根據(jù)要求提供的任何其他材料。

功能亮點(diǎn)

  • 卷筒紙寬度：最大420mm

  • ALD鍍膜厚度：最大100nm

  • 動(dòng)態(tài)沉積速率 （Al2O3）： 10 nm *m/min

  • 過程溫度：最高 250°C

定制

在最大420mm的卷筒紙寬度下，Genesis ALD適用于實(shí)驗(yàn)室研發(fā)或中試規(guī)模生產(chǎn)。 設(shè)計(jì)用于將 ALD 薄膜處理到聚合物或金屬等柔性基材上。通過與我們的合作伙伴 E+R Group（卷對(duì)卷真空鍍膜機(jī)公司）合作，我們?yōu)榭蛻籼峁└鼘挼木硗布埡蜕a(chǎn)線集成的可選設(shè)計(jì)。

市場(chǎng)和應(yīng)用

用于電池、太陽能和柔性電子產(chǎn)品的功能性原子層沉積涂層。 Genesis ALD 是涂布任何卷筒格式基材以及多種功能應(yīng)用的理想選擇。

  • 各種類型鋰離子和固態(tài)電池的陰極和陽極的鈍化

  • 用于柔性太陽能電池的導(dǎo)電層和封裝

  • 用于柔性電子產(chǎn)品的防潮層






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