LMEC-300 12英寸特種金屬膜層刻蝕設備

具體成交價以合同協(xié)議為準

公司名稱 深圳市矢量科學儀器有限公司
品牌魯汶
型號 LMEC-300
產(chǎn)地
廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
更新時間 2025/6/5 21:11:35
訪問次數(shù) 591

產(chǎn)品標簽

離子刻蝕

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公司介紹 主營產(chǎn)品

深圳市矢量科學儀器有限公司是集半導體儀器裝備代理及技術服務的高新技術企業(yè)。

致力于提供半導體前道制程工藝裝備、后道封裝裝備、半導體分析測試設備、半導體光電測試儀表及相關儀器裝備維護、保養(yǎng)、售后技術支持及實驗室整體服務。

公司目前已授實用新型權利 29 項，軟件著作權 14 項，是創(chuàng)新型中小企業(yè)、科技型中小企業(yè)、規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)。

展開

冷熱臺，快速退火爐，光刻機，納米壓印、磁控濺射，電子束蒸發(fā)

LMEC-300™ 是魯汶儀器針對特種金屬膜層刻蝕而推出的 12 英寸集成設備，應用于新興存儲器件的制備。此類器件的核心功能單元含有成分復雜的金屬疊層，例如磁存儲器的磁隧道節(jié)（MTJ）、相變存儲器中的合金相變層、阻變存儲器中的阻變疊層。其副產(chǎn)物不易揮發(fā)，圖形化挑戰(zhàn)很大。 LMEC-300™ 反應離子刻蝕與離子束刻蝕協(xié)同工藝，可規(guī)避 RIE 路徑的側(cè)壁沾污問題，也可突破 IBS 路徑的工藝線寬局限。薄膜沉積腔室可以不脫離真空環(huán)境為器件覆蓋鈍化層，避免側(cè)壁金屬氧化、水化，從而改善可靠性。這種 RIE、IBS與原位鈍化工藝集成方案，使 LMEC-300™ 成為新興存儲器件關鍵工藝的優(yōu)選。

2. 系統(tǒng)特性

設備集成了 Chimera® N 反應離子刻蝕（RIE）腔室、Pangea® A 離子束塑形（IBS）腔室、Basalt® A 原位（in-situ）沉積腔室，工藝不離開真空環(huán)境

對于磁隧道結等難于形成揮發(fā)性產(chǎn)物的金屬/合金疊層，該設備可實現(xiàn)等離子體刻蝕、干法清洗和原位鈍化保護的功能

可提供不同工藝解決方案，滿足磁存儲器（MRAM）、相變存儲器（PCRAM）、阻變存儲器（ReRAM）、磁傳感器等器件的圖形化需求

可選配硬掩模刻蝕腔室 Chimera® A，形成從金屬硬掩模到器件功能層的一體化刻蝕方案

適用于12英寸晶圓