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Ganister™ A 系列 8英寸離子束沉積(IBD)設(shè)備

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產(chǎn)品標(biāo)簽

離子束沉積離子束刻蝕

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深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司是集半導(dǎo)體儀器裝備代理及技術(shù)服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)。

致力于提供半導(dǎo)體前道制程工藝裝備、后道封裝裝備、半導(dǎo)體分析測(cè)試設(shè)備、半導(dǎo)體光電測(cè)試儀表及相關(guān)儀器裝備維護(hù)、保養(yǎng)、售后技術(shù)支持及實(shí)驗(yàn)室整體服務(wù)。

公司目前已授實(shí)用新型權(quán)利 29 項(xiàng),軟件著作權(quán) 14 項(xiàng),是創(chuàng)新型中小企業(yè)、科技型中小企業(yè)、規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)。










冷熱臺(tái),快速退火爐,光刻機(jī),納米壓印、磁控濺射,電子束蒸發(fā)

1. 產(chǎn)品概述

Ganister™ A離子束沉積設(shè)備,是針對(duì)低溫、高致密、高均勻性薄膜沉積工藝所開(kāi)發(fā)的專用產(chǎn)品,在硬盤(pán)磁頭、硬磁偏置層、布拉格反射鏡等器件的制備中有著重要的應(yīng)用。該設(shè)備采用濺射成膜,靶材選擇范圍廣。而其采用的四槽旋轉(zhuǎn)靶材基座,更可處理多達(dá)四種靶材。選配的輔助離子源,可以實(shí)現(xiàn)原位預(yù)清洗、優(yōu)化膜層致密性等功能。此外,Ganister™ A的輔助離子源也可進(jìn)行離子束刻蝕,一個(gè)腔室內(nèi)兼?zhèn)鋬煞N工藝,顯著提高了該設(shè)備的功能。

2. 系統(tǒng)特性

在低溫、超低壓工藝模式下,形成高致密優(yōu)質(zhì)膜層

雙離子源結(jié)構(gòu)(濺射+輔助離子源),輔助源用于清洗與輔助濺射

可高精度控制沉積過(guò)程,并能保障批次間的膜層重復(fù)性

實(shí)時(shí)光控設(shè)備,用來(lái)監(jiān)控、分析、調(diào)整膜層光譜

選配:可在一個(gè)腔室內(nèi)同時(shí)實(shí)現(xiàn)IBD和離子束刻蝕(IBE)功能

適用于8英寸晶圓



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