TTT-02-Kerr Microscope 托托科技 多功能顯微系統(tǒng) 磁光克爾顯微鏡

托托科技 多功能顯微系統(tǒng) 磁光克爾顯微鏡 應(yīng)用在磁性薄膜材料顯微磁疇測量

(a)為樣品 CoTb(6 nm)/SiN(4 nm)在零磁場附近出現(xiàn)迷宮疇以及孤立斯格明子磁泡結(jié)構(gòu)(Skyrmions Bubble)，圖中單個穩(wěn)定的Skyrmions Bubble 的尺寸為1 μm。為研究基于 SK-RM賽道存儲器提供光學(xué)無損傷探測支持。

(b)為樣品 Pt(4 nm)/Co (5 nm)/Ta(2 nm)在磁場的驅(qū)動實現(xiàn)磁疇運動和翻轉(zhuǎn)，磁矩“1”和“0”信息狀態(tài)清晰可見。

(c)290K下，樣品CuCr2Te/Cr2Te3，磁場驅(qū)動磁疇翻轉(zhuǎn)。上圖顯示的是 180 Oe磁場下的磁疇態(tài)，下圖顯示的是 -180 Oe 磁場下的磁疇態(tài)。

托托科技 多功能顯微系統(tǒng) 磁光克爾顯微鏡 應(yīng)用在梯度自旋流累積

(a)Pt(up to 3.2 nm)/Co(0.6 nm)/Pt(1.5 nm)楔形樣品構(gòu)建梯度自旋流積累，實現(xiàn)無場翻轉(zhuǎn)；

(b)和(d)，表示不同電流密度下，磁疇成核過程。(I=10 mA，H_x= 0 Oe)/( I=22 mA，H_x= 0 Oe) Hall Bar磁疇成核過程。測試電流小時，薄膜樣品磁疇在十字中心位置成核（紫色圓圈）；當測試電流逐漸變大，磁疇在十字臂一側(cè)成核（紫色方形）；

(c)和(e)，表示不同電流密度下,磁滯回線。(I=10 mA，H_x= 0 Oe)/( I=22 mA，H_x= 0 Oe)下的磁滯回線。大電流密度有助于磁場驅(qū)動磁疇翻轉(zhuǎn)；