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PULSION 離子注入機/法國IBS

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上海麥科威半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(Shanghai Makeway Semiconductor LTD)是一家專業(yè)的微納材料、半導(dǎo)體和微電子材料及器件研發(fā)儀器及設(shè)備的供應(yīng)商,所銷售的儀器設(shè)備廣泛用于高校、研究所、以及半導(dǎo)體和微電子領(lǐng)域的高科技企業(yè)。目前總部在上海,香港、南通、深圳、北京分別設(shè)立分公司和辦事處,快速響應(yīng)客戶需求。同時上海麥科威在快速擴展海外市場,并設(shè)立新加坡分公司,輻射東南亞市場。

      上海麥科威半導(dǎo)體技術(shù)有限公司主要銷售產(chǎn)品包括:  - 霍爾效應(yīng)測試儀;  - 快速退火爐;  - 回流焊爐,共晶爐,釬焊爐,真空燒結(jié)爐;  - 電子束蒸發(fā)鍍膜機,熱蒸發(fā)鍍膜機;  - 探針臺,低溫探針臺,微探針臺;  - 金剛石劃片機; - 球焊機,鍥焊機;  - 磁控濺射鍍膜機;  - 原子層沉積系統(tǒng),等離子增強原子層沉積設(shè)備;  - 電化學(xué)C-V剖面濃度分析儀(ECV Profiler); - 掃描開爾文探針系統(tǒng); - 光學(xué)膜厚儀; -貼片機-PECVD\CVD;-脈沖激光沉積系統(tǒng)-PLD-納米壓印;-等離子清洗機、去膠機;-反應(yīng)離子刻蝕RIE; - 光刻機、無掩膜光刻機; - 勻膠機; - 熱板,烤膠板; -少子壽命、太陽能模擬器;-NMR-瞬態(tài)能譜儀-外延沉積-等離子清洗機-離子注入-劃片機、裂片機光刻機(針尖/電子束光刻機EBL,紫外光刻機,激光直寫光刻機),鍍膜機(磁控濺射機,電子束蒸發(fā)機,化學(xué)沉積機,微波等離子沉積機,原子層沉積機  等等…

企業(yè)客戶:華為技術(shù)有限公司, 深圳市鵬芯微集成電路制造, 深圳清力技術(shù), 安徽格恩半導(dǎo)體, 蘇州稀晶半導(dǎo)體科技, 矽品半導(dǎo)體, 廈門海辰新能源科科, 中核同創(chuàng)(成都)科技, 洛瑪瑞芯片技術(shù)(常州),偉創(chuàng)力科技, 奧普科星河北科技,廣東五星太陽能,廣東萬和集團,西安西測股份, 普源精電科技, 普源精電科技股份, 上海蔚來汽車, 北京華脈泰科, 廣醫(yī)東金灣高景太陽能科技, 深圳匯佳成電子, 深圳市化訊半導(dǎo)體材料, 珠海珍迎機電, 合肥鼎材科技, 山東金晶節(jié)能玻璃, 江蘇云意電氣股份, 廣東風(fēng)華技股份, 浙江中能合控股集團,固安維信諾,淮安天合光能,浙江老鷹半導(dǎo)體, 四川信通電子科技等。


科研院所/高等院校: 北京航空航天大學(xué), 汕頭大學(xué), 南方醫(yī)科大學(xué), 清華大學(xué), 北京大學(xué), 復(fù)旦大學(xué), 西北工業(yè)大學(xué), 南京醫(yī)科大學(xué), 香港中文大學(xué), 香港城市大學(xué), 蘇州大學(xué), 深圳職業(yè)技術(shù)學(xué)院, 南京大學(xué)合肥國家試驗室, 上海交通大學(xué)醫(yī)學(xué)院, 華南理工大學(xué),華東師范大學(xué),江南大學(xué),重慶26所, 深圳大學(xué), 南方科技大學(xué), 深圳技術(shù)大學(xué), 理化技術(shù)研究所, 中國工程物理研究院激光聚變研究中心, 廣東粵港澳大灣區(qū)黃埔材料研究院, 桂林電子科技大學(xué), 上海硅酸鹽研究所, 中國航天五院,中科合肥智慧農(nóng)業(yè)協(xié)同創(chuàng)新研究院等。

 

 

 

 

 

 

 

 

半導(dǎo)體設(shè)備,快速退火爐,原子層沉積,鍵合機,光刻機

一、公司介紹

法國IBS公司(IBS INFORMATION)成立于1987年,一直致力于離子注入領(lǐng)域的研發(fā)、設(shè)計制造與服務(wù),并不斷升級和提高在該領(lǐng)域的技術(shù)水平。

創(chuàng)始人是來自技術(shù)專家,在其帶領(lǐng)下,整個技術(shù)團隊對技術(shù)更新的熱忱與努力,嚴謹?shù)驼{(diào)的作風(fēng)保證了設(shè)備的高質(zhì)量和穩(wěn)定性。產(chǎn)品有多種型號包括低能注入、中束流注入和高能注入,IBS更具有按照客戶要求設(shè)計定制的能力。

二、IMC 200離子注入機技術(shù)指標

應(yīng)用:主要用于半導(dǎo)體微電子襯底材料摻雜,晶圓上注入B、P、As等元素,并且具備注入A1、H、N、He、Ar等其他元素功能。

注入晶圓尺寸:6英寸,兼容2-5英寸、不規(guī)則小片,最小可注入1cm2的樣品。

注入能量范圍:20-200KeV;可升級到最小3KeV或二價/三價離子,注入能量400/600Kev;

注入角度:0°、7°,可通過手動更換夾具的方式改變注入角度0°-45°

注入劑量范圍:1xE11 at/cm2至1xE18 at/cm2

注入均勻性:片間1o<1.0%(注入條件:1000A氧化層,11B,注入能量100KeV,注入劑量1xE14 at/cm2);

真空度:離子源:>2xE-6mbar(2xE-4Pa);

束流管:>7xE-7 mbar(7xE-5Pa);

靶室:>7xE-7 mbar(7xE-5Pa):

離子源真空系統(tǒng)初真空泵為化學(xué)干泵,高真空泵為渦輪分子泵;束流管及終端真空系統(tǒng)初真空泵為干泵,高真空泵為冷泵。

注入束流:11B單價離子:>600μA;

31P單價離子:>1500μA;

75As單價離子:>1500μA。

(注入條件:6英寸晶圓,注入能量120KeV-200KeV)。

氣路系統(tǒng):含5路氣體:BF3、PH3、AsH3、Ar及N2,所有氣路系統(tǒng)都集成在機器里面能實時監(jiān)控離子源氣體消耗以及具備氣瓶終點探測技術(shù)。

軟件功能:包括但不限于:權(quán)限管理、參數(shù)管理、手動控制、實時數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)記錄、報警管理等。軟件可根據(jù)需求免費更新升級。

三、PULSION離子注入機技術(shù)指標

優(yōu)勢:3D浸沒式離子注入,不受形狀、大小、表面狀態(tài)限制;可靠性高,氣體消耗量低,易于維護,成本低;的脈沖等離子體配置和偏振技術(shù),所需能量低,電流輸入輸出能力高,工藝穩(wěn)定性高,可以實現(xiàn)保形處理;能夠以較小的占地面積處理大型部件;工藝時間短:工藝時間與待注入的機械部件的大小無關(guān),即使要求的注入量非常高;可按照用戶要求定制;有全自動、工程和手動模式,工程和手動模式下可人為控制單步驟工藝;工藝可編輯,參數(shù)可監(jiān)測、控制和記錄,可查看報警歷史。

原理:把要處理的部件放在真空室中的夾具上,并浸入待注入離子電離形成的高密度等離子體中。當夾具在脈沖電壓模式下被偏置到負電壓時,開始注入。

應(yīng)用:改善表面機械性能,減少磨損、摩擦力和金屬疲勞;提高表面耐腐蝕、耐化學(xué)、耐高溫性能;改變表面理化性能如表面能、粘附性等;

提高生物相容性;逸出功工程;加氫,吸氣;

用于高級存儲器和硅基光電學(xué)的納米沉淀和納米結(jié)構(gòu)

加速電壓:1 kV-10kV

標準注入電流:5 mA-100 mA (N2)

標準注入時間:30 min -3 h

可注入選項:N,C,O, Ar, H, He, F, Ge, Si...

注入部件尺寸:<400 mmx400 mmx200 mm

輻射:在任意外部屏蔽點10cm處,輻射值<0.6μSv/h1

注入劑量范圍:1xE14 at/cm2至1xE18 at/cm2

腔室idle氣壓:<5xE-6 mbar

設(shè)備尺寸:1.6x2.15x2.3m(標準型);2.15x2.15x2.3m(加大型)

 

 

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