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MKW-3200 綜合物性測量系統(tǒng)

具體成交價以合同協(xié)議為準

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上海麥科威半導體技術(shù)有限公司(Shanghai Makeway Semiconductor LTD)是一家專業(yè)的微納材料、半導體和微電子材料及器件研發(fā)儀器及設(shè)備的供應商,所銷售的儀器設(shè)備廣泛用于高校、研究所、以及半導體和微電子領(lǐng)域的高科技企業(yè)。目前總部在上海,香港、南通、深圳、北京分別設(shè)立分公司和辦事處,快速響應客戶需求。同時上海麥科威在快速擴展海外市場,并設(shè)立新加坡分公司,輻射東南亞市場。

      上海麥科威半導體技術(shù)有限公司主要銷售產(chǎn)品包括:  - 霍爾效應測試儀;  - 快速退火爐;  - 回流焊爐,共晶爐,釬焊爐,真空燒結(jié)爐;  - 電子束蒸發(fā)鍍膜機,熱蒸發(fā)鍍膜機;  - 探針臺,低溫探針臺,微探針臺;  - 金剛石劃片機; - 球焊機,鍥焊機;  - 磁控濺射鍍膜機;  - 原子層沉積系統(tǒng),等離子增強原子層沉積設(shè)備;  - 電化學C-V剖面濃度分析儀(ECV Profiler); - 掃描開爾文探針系統(tǒng); - 光學膜厚儀; -貼片機-PECVD\CVD;-脈沖激光沉積系統(tǒng)-PLD-納米壓印;-等離子清洗機、去膠機;-反應離子刻蝕RIE; - 光刻機、無掩膜光刻機; - 勻膠機; - 熱板,烤膠板; -少子壽命、太陽能模擬器;-NMR-瞬態(tài)能譜儀-外延沉積-等離子清洗機-離子注入-劃片機、裂片機光刻機(針尖/電子束光刻機EBL,紫外光刻機,激光直寫光刻機),鍍膜機(磁控濺射機,電子束蒸發(fā)機,化學沉積機,微波等離子沉積機,原子層沉積機  等等…

企業(yè)客戶:華為技術(shù)有限公司, 深圳市鵬芯微集成電路制造, 深圳清力技術(shù), 安徽格恩半導體, 蘇州稀晶半導體科技, 矽品半導體, 廈門海辰新能源科科, 中核同創(chuàng)(成都)科技, 洛瑪瑞芯片技術(shù)(常州),偉創(chuàng)力科技, 奧普科星河北科技,廣東五星太陽能,廣東萬和集團,西安西測股份, 普源精電科技, 普源精電科技股份, 上海蔚來汽車, 北京華脈泰科, 廣醫(yī)東金灣高景太陽能科技, 深圳匯佳成電子, 深圳市化訊半導體材料, 珠海珍迎機電, 合肥鼎材科技, 山東金晶節(jié)能玻璃, 江蘇云意電氣股份, 廣東風華技股份, 浙江中能合控股集團,固安維信諾,淮安天合光能,浙江老鷹半導體, 四川信通電子科技等。


科研院所/高等院校: 北京航空航天大學, 汕頭大學, 南方醫(yī)科大學, 清華大學, 北京大學, 復旦大學, 西北工業(yè)大學, 南京醫(yī)科大學, 香港中文大學, 香港城市大學, 蘇州大學, 深圳職業(yè)技術(shù)學院, 南京大學合肥國家試驗室, 上海交通大學醫(yī)學院, 華南理工大學,華東師范大學,江南大學,重慶26所, 深圳大學, 南方科技大學, 深圳技術(shù)大學, 理化技術(shù)研究所, 中國工程物理研究院激光聚變研究中心, 廣東粵港澳大灣區(qū)黃埔材料研究院, 桂林電子科技大學, 上海硅酸鹽研究所, 中國航天五院,中科合肥智慧農(nóng)業(yè)協(xié)同創(chuàng)新研究院等。

 

 

 

 

 

 

 

 

半導體設(shè)備,快速退火爐,原子層沉積,鍵合機,光刻機

1. 綜合物性測量系統(tǒng)主機

基系統(tǒng)應包括:14特斯拉的新式電制冷超導磁體、磁體控制系統(tǒng)及溫度控制系統(tǒng)、低溫杜瓦、底部帶有12針腳樣品插座的≥25.4mm內(nèi)徑樣品腔、樣品操作桿、樣品初連線檢測臺、高真空系統(tǒng)、磁屏蔽系統(tǒng)、Windows 操作系統(tǒng)下的控制軟件而非基于LabVIEW的通用軟件,自動化程度高,能通過網(wǎng)絡(luò)進行遠程診斷和測量實時監(jiān)控。采用脈管式制冷機冷卻,可實現(xiàn)啟動和運行只需氦氣,擺脫液氦依賴。

1.1 溫度控制系統(tǒng)

1.1.1 溫度范圍:1.9K - 400K 連續(xù)變溫;

1.1.2 降溫時間:從300K降至1.9K ≤ 45min(典型值);

1.1.3 溫度穩(wěn)定性:±0.1% (T < 20K);±0.02% (T > 20K)(典型值);

1.1.4控溫模式:連續(xù)低溫控制和溫度掃描模式;

1.1.5 液氦消耗:無需灌裝液氦或液氮,通過制冷機直接液化少量氦氣對樣品進行控溫;

1.1.6 初次啟動時間(典型值):≤40小時(12T、14T);

1.2 磁場控制系統(tǒng)

1.2.1 縱向磁體, 磁場強度:±14T (使用水冷式脈沖管式制冷機直接傳導制冷);

1.2.2 場均勻性:0.1% (5.5 cm軸向范圍內(nèi));

1.2.3 掃描速度:0.2-100 Oe/sec;

1.2.4 從零場加至滿場所需時間:<30分鐘;

1.2.5 多種磁場逼近模式:線性加場、振蕩加場、非過沖式加場

線性模式下,磁體磁場通過設(shè)定加場速率快速加場迅速接近設(shè)定磁場。振蕩模式下,磁體磁場通過振蕩衰減至設(shè)定磁場。

非過沖模式下,磁體磁場在不超過設(shè)定磁場的前提下,逐漸逼近設(shè)定磁場。

1.3 樣品腔

1.3.1 凈內(nèi)徑要求不小于25.4 mm(1英寸);

1.3.2 腔底能通過插座與樣品托進行傳熱和引線連接,提供至少12個針腳引線;

1.3.3 能夠在樣品放入樣品腔之前,腔外檢測各種測量模式樣品引線的導通質(zhì)量;

1.4 系統(tǒng)操作軟件

1.4.1 基于Windows專用控制軟件,而非基于LabVIEW的普通通用軟件;

1.4.2 能方便售后工程師通過網(wǎng)絡(luò)進行遠程診斷和測量實時監(jiān)控;

1.5 制冷杜瓦

1.5.1 從安裝啟動到日常運行都不需要灌裝液氦,初次啟動消耗<1/4瓶氦氣(40L標準鋼瓶@15Mpa);

1.5.2 采用高效穩(wěn)定的水冷型壓縮機的4K脈沖管制冷機,脈沖管制冷機空載富余冷量0.5W@4.3K;

1.6 內(nèi)置高真空

1.6.1 樣品腔環(huán)境能提供低于10-4托的高真空環(huán)境,可兼容比熱測量、熱輸運測量、極低溫輸運測量、高溫磁測量所需高真空熱屏蔽;

1.6.2 真空度:<10-4 Torr;

1.6.3 活化時間:≤5分鐘;

1.6.4 活化后冷卻時間:≤30分。

2. 振動樣品磁強計選件

2.1 能夠?qū)Υ判詷悠愤M行高精度的直流磁化強度測量;

2.2 測量溫度范圍: 1.9K-400K

2.3 靈敏度(1秒數(shù)據(jù)平均):<1*10-6 emu;

2.4 噪音基(RMS): 6×10-7 emu @300K;

2.5 精確度:±0.5%;

2.6 振動頻率:10Hz -60 Hz,典型值:40Hz;

2.7 振動幅值:0.1mm - 5mm,典型值:2mm;

2.8 線圈內(nèi)徑:≥6 mm;

2.9 可升級大線圈選件、交流磁化率、1000K高溫磁測量、光誘導磁測量等功能選件。

3. 直流電輸運選件

3.1 能夠全自動測量電阻率(磁阻)、霍爾系數(shù)和伏安特性;

3.2 輸出電流量程:10 nA - 8 mA;

3.3 最大電壓:4V;

3.4 測量精度:0.01%(典型值);

3.5 最大測量電阻:4MΩ;

3.6 使用樣品托方式裝樣,非插桿式;

3.7可同時用4引線法測量3個樣品的直流電阻率,或者同時測量1個樣品的電阻和霍爾效應。

4. 霍爾效應測量選件

4.1 靈敏度:≤1μV/100mA;

4.2 載流子遷移率范圍:不少于104 cm2/(V?s)- 0.1 cm2/(V?s);

4.3 電流范圍:1μA-20mA;

4.4 電流測量范圍:20mA-10nA;

4.5 限定電壓:最大10V。

5. 熱輸運測量選件

5.1 能夠全自動測量電阻率、熱導率、塞貝克系數(shù)、熱電品質(zhì)因數(shù);



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