K Nikkato/日淘工程業(yè)務半導體制造的熱電偶

深圳納加霍里科技專業(yè)代理銷售日本Nikkato/日淘工程業(yè)務半導體制造的熱電偶 產(chǎn)品特點如下：

日本Nikkato/日淘工程業(yè)務半導體制造的熱電偶 日本Nikkato（日淘工程）是工業(yè)加熱設備和高溫材料領域的出這些是半導體制造中使用的各種熱電偶。

可以設計各種形狀和尖峰形狀的熱電偶，還提供各種石英保護管、氧化鋁保護管、陶瓷涂層線材、線徑等。名廠商，其熱電偶產(chǎn)品在半導體制造、陶瓷燒結、冶金等領域應用廣泛。

 熱電偶類型

Nikkato的熱電偶主要分為以下幾類，符合國際標準（IEC）：

1.K型熱電偶（鎳鉻-鎳硅）

溫度范圍：-200°C ~ +1300°C

特點：性價比高，抗氧化性強，適用于半導體設備的低溫至中高溫段（如CVD、擴散爐）。

半導體應用：晶圓熱處理、管式爐溫度監(jiān)控。

2.R/S型熱電偶（鉑銠-鉑）

溫度范圍：0°C ~ 1600°C（R型）、0°C ~ 1700°C（S型）

特點：高精度、穩(wěn)定性好，但成本高，適用于超高溫環(huán)境。

半導體應用：單晶硅生長爐（CZ法）、外延沉積反應器。

3.B型熱電偶（鉑銠30-鉑銠6）

溫度范圍：+600°C ~ +1800°C

特點：耐高溫性能好，抗污染能力強，適合長期高溫操作。

半導體應用：高溫氧化爐、退火工藝。

4.C型熱電偶（鎢錸5%-鎢錸26%）

溫度范圍：0°C ~ 2300°C（惰性/還原氣氛）

特點：超高溫測量，但易氧化，需保護套管。

半導體應用：MOCVD反應器、碳化硅（SiC）晶體生長。

Nikkato熱電偶的特殊設計

1.保護套管材質(zhì)

氧化鋁（Al?O?）：耐高溫至1800°C，適用于氧化性氣氛。

莫來石（Mullite）：抗熱震性好，用于快速升降溫工藝。

碳化硅（SiC）：導熱性優(yōu)異，適合半導體高溫工藝。

2.結構形式

裸絲型：響應快，用于高精度控溫（如快速退火）。

鎧裝型：金屬護套（如Inconel），抗機械沖擊，適合嚴苛環(huán)境。

陶瓷封裝型：絕緣性好，防止電信號干擾（如PECVD設備）。

半導體制造中的關鍵應用

3.晶圓加工

擴散爐：K型或R型熱電偶監(jiān)控摻雜工藝溫度（800°C~1200°C）。

蝕刻設備：鎧裝K型熱電偶耐腐蝕氣體（如Cl?、CF?）。

4.薄膜沉積

CVD/PVD：B型或C型熱電偶確保反應室高溫均勻性。

ALD：高精度K型熱電偶控制低溫沉積（200°C~400°C）。

5.封裝與測試

回流焊：短時高溫測量（S型熱電偶）。

優(yōu)勢總結

Nikkato熱電偶以高可靠性、長壽命和定制化服務（如特殊長度/接頭設計）著稱，適合半導體行業(yè)對工藝穩(wěn)定性的嚴苛要求。

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