碳化硅半絕緣電阻率測試儀

具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱 九域半導(dǎo)體科技（蘇州）有限公司
品牌 其他品牌
型號
產(chǎn)地
廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
更新時間 2025/6/28 10:10:37
訪問次數(shù) 189

產(chǎn)品標(biāo)簽

碳化硅半絕緣高阻電阻率非接觸

在線交流發(fā)送詢價進入商鋪同類產(chǎn)品

聯(lián)系方式：張先13739170031 查看聯(lián)系方式

聯(lián)系我們時請說明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息，謝謝!

索取相關(guān)資料

公司介紹 主營產(chǎn)品

公司成立于2021年，是一家注冊在蘇州、具備技術(shù)的非接觸式半導(dǎo)體檢測分析設(shè)備制造商。公司集研發(fā)、設(shè)計、制造、銷售于一體，主要攻克國外壟斷技術(shù)，替代進口產(chǎn)品，使半導(dǎo)體材料測試設(shè)備國產(chǎn)化。

主要產(chǎn)品：非接觸式無損方塊電阻測試儀、晶圓方阻測試儀、方阻測試儀、硅片電阻率測試儀、渦流法高低電阻率分析儀、晶錠電阻率分析儀、渦流法電阻率探頭和PN探頭測試儀、遷移率（霍爾）測試儀、少子壽命測試儀，晶圓、硅片厚度測試儀、表面光電壓儀JPV\SPV、汞CV、ECV。為碳化硅、硅片、氮化鎵、襯底和外延廠商提供測試和解決方案。

憑借*的技術(shù)和豐富的產(chǎn)品設(shè)計經(jīng)驗，申請各項知識產(chǎn)權(quán)20余項，已發(fā)展成為中國大陸少數(shù)具有一定國際競爭力的半導(dǎo)體專用設(shè)備提供商，產(chǎn)品得到眾多國內(nèi)外主流半導(dǎo)體廠商的認(rèn)可，并取得良好的市場口碑。

展開

晶圓電阻率測試儀，硅片電阻率測試儀，渦流法低電阻率分析儀，晶錠電阻率分析儀，遷移率測試儀，少子壽命測試儀

詳細(xì)信息 在線詢價

價格區(qū)間	面議	應(yīng)用領(lǐng)域	環(huán)保,電子/電池,航空航天,電氣,綜合

半導(dǎo)體材料根據(jù)時間先后可以分為三代。第一代為鍺、硅等普通單質(zhì)材料，其特點為開關(guān)便捷，一般多用于集成電路。第二代為砷化鎵、磷化銦等化合物半導(dǎo)體，主要用于發(fā)光及通訊材料。第三代半導(dǎo)體主要包括碳化硅、氮化鎵等化合物半導(dǎo)體和金剛石等特殊單質(zhì)。憑借優(yōu)秀的物理化學(xué)性質(zhì)，碳化硅材料在功率、射頻器件領(lǐng)域逐漸開啟應(yīng)用。

第三代半導(dǎo)體耐壓性較好，是大功率器件的理想材料。第三代半導(dǎo)體主要是碳化硅和氮化鎵材料，SiC的禁帶寬度為3.2eV，GaN的禁帶寬度為3.4eV，遠超過Si的禁帶寬度1.12eV。由于第三代半導(dǎo)體普遍帶隙較寬，因此耐壓、耐熱性較好，常用于大功率器件。其中碳化硅已逐漸走入大規(guī)模運用，在功率器件領(lǐng)域，碳化硅二極管、MOSFET已經(jīng)開始商業(yè)化應(yīng)用。

按照電學(xué)性能的不同，碳化硅襯底可分為半絕緣型碳化硅襯底和導(dǎo)電型碳化硅襯底兩類，這兩類襯底經(jīng)外延生長后分明用于制造功率器件、射頻器件等分立器件。其中，半絕緣型碳化硅襯底主要應(yīng)用于制造氮化鎵射頻器件、光電器件等。通過在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層，制得碳化硅基氮化鎵外延片，可進一步制成HEMT等氮化鎵射頻器件。導(dǎo)電型碳化硅襯底主要應(yīng)用于制造功率器件。與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅襯底上，需在導(dǎo)電型襯底上生長碳化硅外延層得到碳化硅外延片，并在外延層上制造肖特基二極管、MOSFET、IGBT等功率器件。