ITC57300 半導體動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)其主機接受測試

ITC57300動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)

本公司7月15日13點49分報道：ITC57300動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)的主機接受測試頭的產品研發(fā)#技術新聞

產品描述

ITC57300動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)主機接受測試頭，用于對半導體器件如絕緣柵雙極晶體管（IGBT）、功率MOSFET、二極管以及其他雙極器件進行無損瞬態(tài)測量（需要額外的可選偏置電源和定制的人格板）。主機中包含分析和執(zhí)行電阻和電感開關時間、開關損耗、柵電荷、Trr/Qrr及其他瞬態(tài)測試所需的所有測試設備和軟件。測試頭設計用于特定類型的瞬態(tài)測試，與主機上的特殊測試頭接收器配合使用。盡管測試頭僅設計執(zhí)行一項特定的測試，但每個測試頭中的人格板可以重新配置測試頭，以適應特定器件、器件封裝和各種器件電路排列。

測試頭

→ITC57210-N和P溝道功率MOSFET的R開關時間，MIL-STD-750，方法3472

→ITC57220-功率MOSFET和二管的Trr / Qrr，MIL-STD-750，方法3473

→ITC57230-功率MOSFET的柵電荷，MIL-STD-750，方法3471

→ITC57240-IGBT的電感性開關時間，MIL-STD 750，方法3477

→ITC57250-短路（Isc）耐受時間，MIL-STD 750，方法3479

→ITC57260-功率MOSFET的柵電阻（Rg），輸入電容（Ciss），輸出電容（Coss）和反向電容（Crss），JEDEC標準JESD24-11

性能

→測試電壓：高達1200 Vdc，200 A（短路電流可達1000A）

→時間測量：最小1納秒

→排水電流限制監(jiān)測

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