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LPCVD-2 低壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)LPCVD

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上海麥科威半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(Shanghai Makeway Semiconductor LTD)是一家專(zhuān)業(yè)的微納材料、半導(dǎo)體和微電子材料及器件研發(fā)儀器及設(shè)備的供應(yīng)商,所銷(xiāo)售的儀器設(shè)備廣泛用于高校、研究所、以及半導(dǎo)體和微電子領(lǐng)域的高科技企業(yè)。目前總部在上海,香港、南通、深圳、北京分別設(shè)立分公司和辦事處,快速響應(yīng)客戶(hù)需求。同時(shí)上海麥科威在快速擴(kuò)展海外市場(chǎng),并設(shè)立新加坡分公司,輻射東南亞市場(chǎng)。

      上海麥科威半導(dǎo)體技術(shù)有限公司主要銷(xiāo)售產(chǎn)品包括:  - 霍爾效應(yīng)測(cè)試儀;  - 快速退火爐;  - 回流焊爐,共晶爐,釬焊爐,真空燒結(jié)爐;  - 電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī),熱蒸發(fā)鍍膜機(jī);  - 探針臺(tái),低溫探針臺(tái),微探針臺(tái);  - 金剛石劃片機(jī); - 球焊機(jī),鍥焊機(jī);  - 磁控濺射鍍膜機(jī);  - 原子層沉積系統(tǒng),等離子增強(qiáng)原子層沉積設(shè)備;  - 電化學(xué)C-V剖面濃度分析儀(ECV Profiler); - 掃描開(kāi)爾文探針系統(tǒng); - 光學(xué)膜厚儀; -貼片機(jī)-PECVD\CVD;-脈沖激光沉積系統(tǒng)-PLD-納米壓印;-等離子清洗機(jī)、去膠機(jī);-反應(yīng)離子刻蝕RIE; - 光刻機(jī)、無(wú)掩膜光刻機(jī); - 勻膠機(jī); - 熱板,烤膠板; -少子壽命、太陽(yáng)能模擬器;-NMR-瞬態(tài)能譜儀-外延沉積-等離子清洗機(jī)-離子注入-劃片機(jī)、裂片機(jī)光刻機(jī)(針尖/電子束光刻機(jī)EBL,紫外光刻機(jī),激光直寫(xiě)光刻機(jī)),鍍膜機(jī)(磁控濺射機(jī),電子束蒸發(fā)機(jī),化學(xué)沉積機(jī),微波等離子沉積機(jī),原子層沉積機(jī)  等等…

企業(yè)客戶(hù):華為技術(shù)有限公司, 深圳市鵬芯微集成電路制造, 深圳清力技術(shù), 安徽格恩半導(dǎo)體, 蘇州稀晶半導(dǎo)體科技, 矽品半導(dǎo)體, 廈門(mén)海辰新能源科科, 中核同創(chuàng)(成都)科技, 洛瑪瑞芯片技術(shù)(常州),偉創(chuàng)力科技, 奧普科星河北科技,廣東五星太陽(yáng)能,廣東萬(wàn)和集團(tuán),西安西測(cè)股份, 普源精電科技, 普源精電科技股份, 上海蔚來(lái)汽車(chē), 北京華脈泰科, 廣醫(yī)東金灣高景太陽(yáng)能科技, 深圳匯佳成電子, 深圳市化訊半導(dǎo)體材料, 珠海珍迎機(jī)電, 合肥鼎材科技, 山東金晶節(jié)能玻璃, 江蘇云意電氣股份, 廣東風(fēng)華技股份, 浙江中能合控股集團(tuán),固安維信諾,淮安天合光能,浙江老鷹半導(dǎo)體, 四川信通電子科技等。


科研院所/高等院校: 北京航空航天大學(xué), 汕頭大學(xué), 南方醫(yī)科大學(xué), 清華大學(xué), 北京大學(xué), 復(fù)旦大學(xué), 西北工業(yè)大學(xué), 南京醫(yī)科大學(xué), 香港中文大學(xué), 香港城市大學(xué), 蘇州大學(xué), 深圳職業(yè)技術(shù)學(xué)院, 南京大學(xué)合肥國(guó)家試驗(yàn)室, 上海交通大學(xué)醫(yī)學(xué)院, 華南理工大學(xué),華東師范大學(xué),江南大學(xué),重慶26所, 深圳大學(xué), 南方科技大學(xué), 深圳技術(shù)大學(xué), 理化技術(shù)研究所, 中國(guó)工程物理研究院激光聚變研究中心, 廣東粵港澳大灣區(qū)黃埔材料研究院, 桂林電子科技大學(xué), 上海硅酸鹽研究所, 中國(guó)航天五院,中科合肥智慧農(nóng)業(yè)協(xié)同創(chuàng)新研究院等。

 

 

 

 

 

 

 

 

半導(dǎo)體設(shè)備,快速退火爐,原子層沉積,鍵合機(jī),光刻機(jī)

1 產(chǎn)品概述:

     低壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(LPCVD)是一種在低壓條件下,通過(guò)加熱使氣態(tài)化合物在基片表面反應(yīng)并沉積形成穩(wěn)定固體薄膜的技術(shù)。該系統(tǒng)在半導(dǎo)體制造、電力電子、光電子及MEMS等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。LPCVD系統(tǒng)通過(guò)精確控制溫度、壓力及氣體流量等參數(shù),能夠在基片表面形成均勻性良好的薄膜,滿足各種工藝需求。

2 設(shè)備用途:

LPCVD系統(tǒng)的主要用途包括:

  1. 薄膜沉積:用于淀積多種薄膜材料,如Poly-Si(多晶硅)、Si3N4(氮化硅)、SiO2(二氧化硅)、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅及難熔金屬硅化物等。這些薄膜在半導(dǎo)體器件、電力電子器件、光電子器件及MEMS結(jié)構(gòu)中起著關(guān)鍵作用。

  2. 半導(dǎo)體制造:在半導(dǎo)體集成電路制造過(guò)程中,LPCVD系統(tǒng)用于形成柵極氧化物、表面鈍化層、氮化物應(yīng)力緩沖層、犧牲氧化物層及阻擋氧化物層等關(guān)鍵結(jié)構(gòu)。

  3. 光電子應(yīng)用:在光電子領(lǐng)域,LPCVD系統(tǒng)用于制備光波導(dǎo)、可變折射率層、抗反射層等光學(xué)薄膜,提升器件性能。

3 設(shè)備特點(diǎn)

LPCVD系統(tǒng)具有以下特點(diǎn):

  1. 低壓環(huán)境:在低壓條件下進(jìn)行沉積,有助于減少氣體分子的碰撞和散射,提高薄膜的均勻性和質(zhì)量。

  2. 高精度控制:系統(tǒng)采用先進(jìn)的溫度、壓力及氣體流量控制技術(shù),能夠精確控制沉積過(guò)程中的各項(xiàng)參數(shù),確保薄膜的精確性和一致性。

  3. 多用途性:能夠沉積多種薄膜材料,滿足不同工藝需求,具有廣泛的適用性。

  4. 高效性:由于工作壓力低,氣體分子的平均自由程和擴(kuò)散系數(shù)大,可采用密集裝片方式提高生產(chǎn)率。


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技術(shù)參數(shù)和特點(diǎn):

1. 滿足石墨烯和碳納米管研究的高溫和快速冷卻要求

2. 直徑200毫米的石英室

3. 內(nèi)部石英管的設(shè)計(jì)便于拆卸和清洗

4. 基片尺寸可達(dá)直徑150毫米

5. 三區(qū)電阻爐,150毫米的均勻溫度區(qū)

6. 溫度高可達(dá)1000°C

7. 使用節(jié)流型VAT蝶形閥下游壓力控制在50 mTorr500 mTorr之間

8. 8立方英尺/分的Ebara ESA25-D干式真空泵 - 兩干式真空






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