Crossbeam 350 /550 聚焦離子束和掃描電子顯微鏡 – FIB-SEM

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱 似空科學(xué)儀器（上海）有限公司
品牌 ZEISS/蔡司
型號(hào) Crossbeam 350 /550
產(chǎn)地
廠商性質(zhì) 代理商
更新時(shí)間 2025/9/7 18:05:38
訪問次數(shù) 144

產(chǎn)品標(biāo)簽

FIB 雙束電鏡聚焦離子束FIB 聚焦離子束 FIB 掃描電子顯微鏡

在線交流發(fā)送詢價(jià) 進(jìn)入商鋪同類產(chǎn)品

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公司介紹 主營產(chǎn)品

似空科學(xué)儀器（上海）有限公司是一家儀器設(shè)備的經(jīng)銷商。我們致力于為中國制造業(yè)和研發(fā)機(jī)構(gòu)提供高精度、符合人體工學(xué)設(shè)計(jì)的儀器設(shè)備。我們也夢想有朝一日，能夠充分掌握市場需求，深刻理解儀器設(shè)備的技術(shù)原理，聚集一批有激情、有理想、有技術(shù)的人，為中國的制造業(yè)升級以及中國科研走向世界，提供自有知識(shí)產(chǎn)權(quán)的先進(jìn)儀器設(shè)備！
儀器設(shè)備發(fā)展的是探測手段和傳感器不對被測目標(biāo)產(chǎn)生任何干擾，企業(yè)管理的是一切以市場為核心，不以自我的意愿抗拒市場的趨勢，代替客戶的喜好，于是我們?nèi)∶?ldquo;似空”，希望以忘我的精神服務(wù)客戶。

展開

失效分析，芯片開封，表面觀測，金相研磨，光學(xué)及視頻顯微鏡，超聲波檢測，X射線檢測，激光微納加工等

詳細(xì)信息 在線詢價(jià)

專為高通量 3D 分析和樣品制備量身打造的 FIB-SEM蔡司 Crossbeam 將場發(fā)射掃描電子顯微鏡（FE-SEM）鏡筒的強(qiáng)大成像和分析性能與新一代聚焦離子束（FIB）的優(yōu)異加工能力相結(jié)合。無論是切割、成像或進(jìn)行 3D 分析，Crossbeam 系列都能極大地提升您的應(yīng)用體驗(yàn)。使用 Gemini 電子光學(xué)系統(tǒng)，您可以從掃描電子顯微鏡（SEM）圖像中獲取真實(shí)的樣品信息。Ion-sculptor FIB 鏡筒引入了全新的 FIB 加工方法，能夠減少樣品損傷，提升樣品質(zhì)量，從而加快實(shí)驗(yàn)進(jìn)程。

無論用于科研機(jī)構(gòu)還是工業(yè)實(shí)驗(yàn)室，單用戶實(shí)驗(yàn)室或多用戶實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，如果您想獲得高質(zhì)量，高影響力的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，蔡司 Crossbeam 的模塊化平臺(tái)設(shè)計(jì)可讓您根據(jù)自身需求的變化，隨時(shí)對儀器系統(tǒng)進(jìn)行升級。

技術(shù)參數(shù)：

	蔡司 Crossbeam 350	蔡司 Crossbeam 550
掃描電子顯微鏡（SEM）	Gemini I 鏡筒	Gemini II 鏡筒
	可變氣壓選項(xiàng)	可選 Tandem decel
	電子束流：5 pA – 100 nA	電子束流：10 pA – 100 nA
聚焦離子束（FIB）	分辨率：3 nm @ 30 kV（統(tǒng)計(jì)方法）	分辨率：3 nm @ 30 kV（統(tǒng)計(jì)方法）
聚焦離子束（FIB）	分辨率：120 nm @ 1 kV & 10 pA（可選）	分辨率：120 nm @ 1 kV & 10 pA
探測器	Inlens SE、Inlens EsB、VPSE（可變壓力二次電子探測器）、SESI（二次電子二次離子探測器）、aSTEM（掃描透射電子探測器）、aBSD（背散射探測器）	Inlens SE、Inlens EsB、ETD（Everhard-Thornley 探測器）、SESI（二次電子二次離子探測器）、aSTEM（掃描透射電子探測器）、aBSD（背散射探測器）和 CL（陰極熒光探測器）
樣品倉規(guī)格和端口	標(biāo)準(zhǔn)樣品倉配有 18 個(gè)可配置接口	標(biāo)準(zhǔn)樣品倉配有 18 個(gè)可配置接口 / 大樣品倉配有 22 個(gè)可配置接口
載物臺(tái)	X /Y = 100 mm	X/Y = 100 mm / X/Y = 153 mm
	Z = 50 mm，Z' = 13 mm	Z = 50 mm，Z' = 13 mm / Z = 50 mm，Z' = 20 mm
	T = -4° 至 70°，R = 360°	T = -4° 至 70°，R = 360° / T = -15° 至 70°，R = 360°
電荷控制	電子束流槍	電子束流槍
	局部電荷中和器	局部電荷中和器
	可變壓力	-
氣體	單通道氣體注入系統(tǒng)：Pt、C、SiOx、W、H2O	單通道氣體注入系統(tǒng)：Pt、C、SiOx、W、H2O
氣體	多通道氣體注入系統(tǒng)：Pt、C、W、Au、H2O、SiOX、XeF2	多通道氣體注入系統(tǒng)：Pt、C、W、Au、H2O、SiOX、XeF2
存儲(chǔ)分辨率	32 k × 24 k（使用選配的 ATLAS 5 3D 斷層掃描模塊，可高達(dá) 50 k × 40 k）	32 k × 24 k（使用選配的 ATLAS 5 3D 斷層掃描模塊，可高達(dá) 50 k × 40 k）
可選分析附件	EDS、EBSD、WDS、SIMS，如有需要還可提供其它選件	EDS、EBSD、WDS、SIMS，如有需要還可提供其它選件
優(yōu)勢	因采用可變壓力模式及廣泛的原位實(shí)驗(yàn)，可大幅擴(kuò)大樣品兼容性。	以高通量完成分析與成像，且在各種條件下皆可獲得高分辨率。