霍爾效應(yīng)測量系統(tǒng)（HEMS） 返回列表頁

HEMS 是一套集成硬件與軟件的系統(tǒng)，用于測量和分析樣品的電子特性。系統(tǒng)可在最高 2.5 特斯拉的磁場下進(jìn)行測量；配合低溫恒溫器時(shí)，磁場可達(dá) 16 特斯拉。
該系統(tǒng)支持在 3 K – 1273 K 的溫度范圍內(nèi)使用兩種不同的溫度測量探頭進(jìn)行測量，并通過可在三軸移動的探針系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)樣品的便捷安裝。
NMI 霍爾效應(yīng)測量系統(tǒng)可對半導(dǎo)體、有機(jī)導(dǎo)體和金屬氧化物材料進(jìn)行電學(xué)表征。這些材料采用納米技術(shù)制備，廣泛應(yīng)用于芯片技術(shù)、太陽能電池研發(fā)、材料科學(xué)、空間技術(shù)和國防工業(yè)。

可選加熱臺

測量規(guī)格
載流子遷移率：10?1 至 10? cm2/V·s
載流子濃度：最高 1022 /cm3
電阻率：10?? 至 10? Ω·cm
低溫交流/直流測量與表征
靜態(tài)插入裝置
霍爾效應(yīng)測量 6 個(gè)觸點(diǎn)，van der Pauw 測量 4 個(gè)觸點(diǎn)
樣品尺寸：最大 10 mm × 10 mm
樣品可接觸點(diǎn)數(shù)：最多 12 個(gè)
29 mm 外徑樣品插入件（可選其他尺寸）
25 個(gè)備用樣品夾具
測量電子學(xué)與控制軟件
溫度范圍：1–300 K
旋轉(zhuǎn)插入裝置（垂直與水平旋轉(zhuǎn)器）
旋轉(zhuǎn)范圍：0°–360°，分辨率 0.016°
樣品尺寸：最大 5 mm × 10 mm
樣品可接觸點(diǎn)數(shù)：最多 12 個(gè)
29 mm 外徑樣品插入件（可選其他尺寸）
25 個(gè)備用樣品夾具
測量電子學(xué)與控制軟件
溫度范圍：1–300 K
KF50 或 KF40 法蘭可選
直流電阻 / 霍爾效應(yīng)測量
電流源編程范圍：50 pA 至 1 A
電壓測量范圍：100 mV（分辨率 100 nV）至 100 V（分辨率 10 pV）
溫度范圍：1–300 K
交流電阻 / 霍爾效應(yīng)測量
電流源編程范圍：2 nA 至 100 mA
頻率范圍：1 Hz 至 1 kHz
阻抗 Z(T) 的實(shí)部與虛部測量
電壓噪聲（配低噪聲前置放大器）：1 nV/√Hz 噪聲底，1 kHz，增益 60 dB
交流磁化率測量
樣品尺寸：最大直徑 5 mm
交流頻率范圍：10 Hz 至 10 kHz
交流磁場幅值范圍：2 mOe 至 150 Oe
靈敏度：2 × 10?? emu（10 kHz 時(shí)為 2 × 10?1? A·m2）
磁化率（T）的實(shí)部與虛部測量
樣品臺/拾取線圈配備校準(zhǔn)傳感器
測量電子學(xué)與控制軟件
溫度范圍：1–300 K
可選配置
用于交流電阻測量的低噪聲電壓前置放大器：1.5 nV/√Hz 噪聲底（1 kHz）
電壓輸入范圍：±5 V（×1 增益）
共模抑制比：120 dB（1 kHz）
樣品臺配備校準(zhǔn)溫度計(jì)與加熱器
測量探針可選 400 K 高溫版本


GaInAs 量子阱中的 Shubnikov–de Haas 振蕩

低溫旋轉(zhuǎn)臺