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[供應(yīng)]GDAT-A-高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)正切值測(cè)試儀
高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)正切值測(cè)試儀主要技術(shù)指標(biāo)：
2.1 tanδ和ε性能：
2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率10kHz～120MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試。
2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍：
tanδ：0.1～0.00005，ε：1～50
2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度（1MHz）：
tanδ：±5%±0.00005，ε：±2%
工作頻率范圍：50kHz～50MHz 四位數(shù)顯，壓控振蕩器
Q值測(cè)量范圍：1～1000三位數(shù)顯，±1Q分辨率
可調(diào)電容范圍：40～500 pF ΔC±3pF
電容測(cè)量誤差：±1%±1pF
Q表殘余電感值：約20nH
高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)正切值測(cè)試儀工作特性
- 平板電容器
極片尺寸：φ25.4mm
極片間距可調(diào)范圍和分辨率：≥10mm，±0.01mm
- 園筒電容器
電容量線性：0.33pF / mm±0.05 pF
長(zhǎng)度可調(diào)范圍和分辨率：≥0～20mm，±0.01mm
3. 夾具插頭間距：25mm±1mm
4. 夾角損耗角正切值：≤4×10－4（1MHz時(shí)）
高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)正切值測(cè)試儀工作原理
本測(cè)試裝置是由二只測(cè)微電容器組成，平板電容器一般用來(lái)夾持被測(cè)樣品，園筒電容器是一只分辨率高達(dá)0.0033pF的線性可變電容器，配用儀器作為指示儀器，絕緣材料的損耗角正切值是通過(guò)被測(cè)樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品的Q值變化，由園筒電容器的刻度讀值變化值而換算得到的。同時(shí)，由平板電容器的刻度讀值變化而換算得到介電常數(shù)。
高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)正切值測(cè)試儀使用方法
- 被測(cè)樣品的準(zhǔn)備
被測(cè)樣品要求為園形，直徑25.4～27mm，這是減小因樣品邊緣泄漏和邊緣電場(chǎng)引起的誤差的有效辦法。樣品厚度可在1～5mm之間，如太薄或太厚則測(cè)試精度就會(huì)下降，樣品要盡可能平直。
下面推薦一種能提高測(cè)試精確性的方法：準(zhǔn)備二片厚0.05mm的園形錫膜，直徑和平板電容器極片*，錫膜兩面均勻地涂上一層薄薄的凡士林，它起粘著作用，又能排除接觸面之間殘余空氣，把錫膜再粘在平板電容器兩個(gè)極片上，粘好后，極片呈鏡面狀為佳，然后放上被測(cè)樣品。
高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)正切值測(cè)試儀裝置：
2.3.1 平板電容器極片尺寸：:Φ38mm和Φ50mm二種.
2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率：0～8mm， ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性： 0.33 pF /mm±0.05 pF,
2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍：±12.5mm（±4.2pF）
2.3.5 裝置插頭間距：25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10-4
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