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半導(dǎo)體高低溫試驗(yàn)箱 芯片可靠性測(cè)試

產(chǎn)品概述

半導(dǎo)體高低溫試驗(yàn)箱是專為芯片、集成電路（IC）、功率器件、傳感器等半導(dǎo)體產(chǎn)品設(shè)計(jì)的可靠性測(cè)試設(shè)備，用于模擬溫度環(huán)境，評(píng)估產(chǎn)品在高溫、低溫及溫度循環(huán)條件下的性能穩(wěn)定性。該設(shè)備廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、封裝測(cè)試、新能源電子、汽車電子及航天等領(lǐng)域，確保產(chǎn)品在復(fù)雜環(huán)境下的可靠性。

基本結(jié)構(gòu)

1. 箱體結(jié)構(gòu)：采用304不銹鋼或高強(qiáng)度防腐蝕材料，確保長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。

2. 制冷系統(tǒng)：采用進(jìn)口壓縮機(jī)+液氮輔助制冷（可選），實(shí)現(xiàn)-70℃~+200℃超寬溫區(qū)。

3. 加熱系統(tǒng)：PID智能控溫，確保升降溫速率可控（如5℃/min、10℃/min、15℃/min）。

4. 控制系統(tǒng)：7英寸觸摸屏+PLC控制，支持程序設(shè)定、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)及遠(yuǎn)程監(jiān)控。

5. 測(cè)試艙：多層樣品架設(shè)計(jì)，支持通電測(cè)試（可選），滿足芯片動(dòng)態(tài)老化測(cè)試需求。

6. 安全保護(hù)：超溫保護(hù)、短路保護(hù)、漏電保護(hù)、壓縮機(jī)過(guò)載保護(hù)等。

半導(dǎo)體高低溫試驗(yàn)箱 芯片可靠性測(cè)試

工作原理

1. 高溫模式：電加熱器升溫，PID算法精準(zhǔn)控溫，確保溫度均勻性（±0.5℃）。

2. 低溫模式：壓縮機(jī)制冷+液氮輔助（可選），實(shí)現(xiàn)快速降溫。

3. 溫度循環(huán)：通過(guò)程序設(shè)定高低溫交替變化，模擬芯片在環(huán)境下的熱應(yīng)力變化。

4. 數(shù)據(jù)采集：內(nèi)置溫濕度傳感器，實(shí)時(shí)記錄測(cè)試數(shù)據(jù)，支持USB/RS485導(dǎo)出。

主要功能及特點(diǎn)

? 寬溫度范圍：-70℃~+200℃，滿足JEDEC、MIL-STD-883等標(biāo)準(zhǔn)。
? 高精度控溫：溫度波動(dòng)≤±0.5℃，均勻性≤±2℃。
? 快速溫變：升降溫速率5℃/min~15℃/min（可選）。
? 芯片動(dòng)態(tài)測(cè)試：支持通電老化測(cè)試，監(jiān)測(cè)芯片在溫度下的電性能變化。
? 多重安全保護(hù)：壓縮機(jī)過(guò)載、超溫報(bào)警、漏電保護(hù)等。
? 智能控制：可編程溫度曲線，支持100組程序存儲(chǔ)，自動(dòng)運(yùn)行。

應(yīng)用場(chǎng)景

?? 半導(dǎo)體封裝測(cè)試：IC、MCU、FPGA、存儲(chǔ)芯片的高低溫可靠性驗(yàn)證。
?? 功率器件測(cè)試：IGBT、MOSFET、SiC/GaN器件的高低溫循環(huán)老化。
?? 汽車電子：車規(guī)級(jí)芯片（AEC-Q100）溫度沖擊測(cè)試。
?? 科研院校：材料熱膨脹系數(shù)、電子元件失效分析等研究。

技術(shù)特點(diǎn)

? 低噪音設(shè)計(jì)：≤65dB，適合實(shí)驗(yàn)室環(huán)境。
? 節(jié)能高效：變頻制冷技術(shù)，比傳統(tǒng)設(shè)備節(jié)能30%。
? 模塊化設(shè)計(jì)：便于維護(hù)，關(guān)鍵部件（壓縮機(jī)、控制器）可快速更換。
? 數(shù)據(jù)追溯：支持測(cè)試數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、曲線分析，符合ISO 17025標(biāo)準(zhǔn)。
? 定制化方案：可增加振動(dòng)、濕度、低氣壓等復(fù)合測(cè)試功能。

總結(jié)

半導(dǎo)體高低溫試驗(yàn)箱是芯片可靠性測(cè)試的核心設(shè)備，通過(guò)精準(zhǔn)的溫度控制和穩(wěn)定的測(cè)試環(huán)境，幫助客戶發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品潛在缺陷，提高良品率。適用于半導(dǎo)體制造、汽車電子等高要求行業(yè)，確保產(chǎn)品在溫度下的長(zhǎng)期可靠性。