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化學氣相沉積設備的介紹

時間:2023/2/15閱讀:1942
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  化學氣相沉積設備的介紹:
 
  采用雙溫區(qū)滑軌式CVD系統(tǒng)由雙溫區(qū)滑軌爐、質(zhì)子流量控制系統(tǒng)、真空系統(tǒng)三部分組成。雙溫區(qū)滑軌爐可移動并可實現(xiàn)快速升降溫;PLC控制5路質(zhì)子流量器,能夠精確控制系統(tǒng)的供氣;真空泵可實現(xiàn)對管式爐快速抽真空。
 
  化學氣相沉積設備的結構:
 
  該設備采用雙層殼體并帶有風冷系統(tǒng),使其爐體表面溫度都小于55℃,爐底安裝一對滑軌,可手動滑動,以便滿足特殊工藝的快速升降溫的求。 化學氣相沉積設備兩個加熱區(qū)的長度都是200mm分別由獨立的溫控系統(tǒng)控制。爐管內(nèi)氣壓不可高于0.02MPa,當爐體溫度高于1000℃時,爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài),爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓相當,保持在常壓狀態(tài)進入爐管的氣體流量需小于200SCCM,以避免冷的大氣流對加熱石英管的沖擊石英管的長時間使用溫度<1100℃。對于樣品加熱的實驗,不建議關閉爐管法蘭端的抽氣閥和進氣閥使用。若需要關閉氣閥對樣品加熱,則需時刻關注壓力表的示數(shù),若氣壓表示數(shù)大于0.02MPa,必須立刻打開泄氣閥,以防意外發(fā)生(如爐管破裂,法蘭飛出等)。

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