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電子元器件用引線的鍍層厚度測(cè)量-金相法

時(shí)間:2024/3/20閱讀:434
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隨著電子產(chǎn)品遍布人們生活、生產(chǎn)的方方面面,半導(dǎo)體制造技術(shù)的發(fā)展迅猛,其中引線鍵合技術(shù)作為元器件的互連封裝技術(shù),也備受研究學(xué)者們的關(guān)注。引線鍵合是一種使用細(xì)金屬線,利用熱、壓力、超聲波能量為使金屬引線與基板焊盤緊密焊合,實(shí)現(xiàn)芯片與基板間的電氣互連和芯片間的信息互通。在理想控制條件下,引線和基板間會(huì)發(fā)生電子共享或原子的相互擴(kuò)散,從而使兩種金屬間實(shí)現(xiàn)原子量級(jí)上的鍵合。


因此引線的材料尤為重要,如鍍錫銅包鋼線,需要同時(shí)發(fā)揮鋼芯的高強(qiáng)度、銅層的良好導(dǎo)電性、錫層的優(yōu)良可焊性,而每一種材料的厚度都會(huì)影響其相應(yīng)的性能。因此對(duì)引線每一層的厚度測(cè)量非常有必要。引線厚度測(cè)量的方法有化學(xué)溶解法、金相法、射線法等,其中金相法能進(jìn)行可視性測(cè)量,精度高,還可以觀察鍍層質(zhì)量。

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本文就某種鍍錫銅包鋼線,采用金相法進(jìn)行鍍層厚度測(cè)量。


01
 裁剪  

原始樣品為直徑小于1mm的鍍錫銅包鋼線,裁剪至約10mm的長(zhǎng)度,并盡量保證金屬絲不變形。

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↑原始樣品↑


02
 鑲嵌  

樣品測(cè)試目標(biāo)包括位于邊緣處的鍍層,需對(duì)它進(jìn)行良好的鑲嵌保護(hù),避免后續(xù)研磨形成圓角,影響測(cè)量準(zhǔn)確度。

鑲嵌采用澆注冷鑲嵌的方法,選用標(biāo)樂型號(hào)為EpoKwick  FC的環(huán)氧樹脂及相應(yīng)固化劑套裝,這款樹脂流動(dòng)性很好、收縮率較低,對(duì)樣品的保護(hù)效果很好。鑲嵌流程如下圖所示。

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↑鑲嵌流程示意圖↑

該過程還使用了型號(hào)為SamplKup™的模杯,模杯直徑為25mm,并配合型號(hào)為Release Agent的脫模劑使用。

為了引線傾斜以獲得垂直橫截面,選擇帶著相同直徑尺寸的PCB基板對(duì)引線進(jìn)行固定,鑲嵌效果如下圖。

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↑鑲嵌后的樣品↑


03
 磨拋  

研磨與拋光采用標(biāo)樂的手自一體磨拋機(jī)AutoMet250的半自動(dòng)模式。參數(shù)如下表所示。

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↑機(jī)械磨拋參數(shù)↑

研磨拋光步驟可選擇適于有色金屬的通用耗材,需注意的是后續(xù)拋光的時(shí)間載荷。從9um拋光步驟開始,拋光的時(shí)間需要足夠長(zhǎng)以去除上一步驟拋光造成的損傷,尤其是延展損傷。力值還需適當(dāng)調(diào)小,避免當(dāng)下的步驟帶來過大的延展損傷。最終拋光后的截面盡可能大地降低了延展損傷,提高了后續(xù)的顯微鏡測(cè)量準(zhǔn)確度。


04
 顯微觀察與鍍層厚度測(cè)量

最終研磨結(jié)果如下圖:

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↑引線截面整體↑

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↑引線截面左邊緣↑

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↑引線截面右邊緣↑

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↑引線截面上邊緣↑

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↑引線截面下邊緣↑

以上分別取銅層和錫層測(cè)量的4點(diǎn)數(shù)據(jù)取平均值,即可得到相應(yīng)的鍍層厚度值。



06
 所用儀器  


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標(biāo)樂手自一體研磨機(jī) AutoMet250

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徠卡金相顯微鏡DM4M




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