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利用 ICP-MS 對(duì)太陽(yáng)能(光伏)級(jí)硅塊進(jìn)行超痕量分析

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本文介紹了一種使用 Agilent 7500cs ICP-MS 測(cè)定光伏級(jí)硅中存在的超痕量 元素雜質(zhì)的新型定量方法。硼(揮發(fā)性元素)和磷(受 Si 基干擾)對(duì)該行 業(yè)尤其重要;因此,為了利用 ICP-MS 分析這些元素,應(yīng)特別注意樣品預(yù)處 理階段。在驗(yàn)證樣品前處理策略的過(guò)程中,所有元素均獲得了良好的回收 率。提供了 13 種不同 Si 樣品中存在的一系列元素的示例數(shù)據(jù),以及檢測(cè)限 列表??梢詼y(cè)定固體中低至 ppb 級(jí)的 B 和 P,并可以測(cè)量 ppt 級(jí)所研究的其 他元素。

 

有關(guān)替代能源的研究正在不斷加速推進(jìn),其中發(fā)展的領(lǐng)域之一是太陽(yáng)能器件的開(kāi)發(fā)。根據(jù)“宏偉太陽(yáng)能計(jì) 劃”,到 2050 年,美國(guó)總電量中的 69% 將來(lái)源于太陽(yáng) 能(《科學(xué)美國(guó)人》(Scientific American),2008 年 1 月)。對(duì)太陽(yáng)能器件的需求不斷增長(zhǎng),迫切需要高效 能量轉(zhuǎn)換器(主要含硅)。太陽(yáng)能(或光伏)級(jí)硅的雜 質(zhì)(特別是硼和磷)控制對(duì)成品器件的效率至關(guān)重要。 過(guò)去,利用電感耦合等離子體發(fā)射光譜 (ICP-OES) 對(duì)磷 進(jìn)行分析,為獲得更低的檢測(cè)限 (DL),需要采用更靈敏 的方法。本研究介紹了樣品前處理以及使用 Agilent 7500cs 電感耦合等離子體質(zhì)譜儀 (ICP-MS) 對(duì)硅塊(用 于制造太陽(yáng)能硅器件)中 31 種分析物的分析。

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