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貨物所在地：湖北武漢市
所在地： 武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)金融港四路
更新時(shí)間：2024-07-03 16:03:12
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一、概述
IRE-200是一款超高精度的外延層厚度測(cè)量設(shè)備，利用紅外光譜經(jīng)傅里葉變換進(jìn)行快速分析，主要應(yīng)用于Si、GaAs、InP、SiC、GaN等各類外延片的外延層厚度測(cè)量。
■ 單拋/雙拋等多種模式選擇支持；
■ 自定義mapping功能；
■ 高檢測(cè)速率：Si標(biāo)準(zhǔn)外延片測(cè)量25點(diǎn)≤3min；
■ 高檢測(cè)精度：≤0.01um 。
二、產(chǎn)品特點(diǎn)
1）設(shè)備采用高性能光源模塊，光源穩(wěn)定性好，信噪比高，覆蓋范圍7800-350cm-1。
2）搭配自主研發(fā)算法軟件，可精準(zhǔn)快速地獲取測(cè)量結(jié)果。
3) 搭配自主研發(fā)的mapping運(yùn)動(dòng)臺(tái)，定位精準(zhǔn)、測(cè)量速度快。
三、產(chǎn)品應(yīng)用
IRE-200廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)中Si、SiC、GaAs、InP、GaN等基底材料上外延層厚度的量測(cè)。
SiC EPI量測(cè)案例
技術(shù)參數(shù)
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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