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LinKam TS1500高溫?zé)崤_(tái)核心參數(shù)解析

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  • LinKam TS1500高溫?zé)崤_(tái)核心參數(shù)解析
參考價(jià) 180000
訂貨量 ≥1
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
180000
≥1
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 品牌 LinKam
  • 型號(hào)
  • 廠商性質(zhì) 代理商
  • 所在地 北京市
屬性

供貨周期:現(xiàn)貨 應(yīng)用領(lǐng)域:綜合

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更新時(shí)間:2025-10-23 18:40:01瀏覽次數(shù):41評(píng)價(jià)

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供貨周期 現(xiàn)貨 應(yīng)用領(lǐng)域 綜合
LinKam TS1500高溫?zé)崤_(tái)核心參數(shù)解析
Linkam TS1500 屬于實(shí)驗(yàn)室級(jí)高溫?zé)崤_(tái),主打 “寬溫度范圍 + 精準(zhǔn)控溫" 特性,適配材料科學(xué)、地質(zhì)研究、電子元件測(cè)試等場(chǎng)景。

LinKam TS1500高溫?zé)崤_(tái)核心參數(shù)解析

一、產(chǎn)品定位與型號(hào)信息
Linkam TS1500 屬于實(shí)驗(yàn)室級(jí)高溫?zé)崤_(tái),主打 “寬溫度范圍 + 精準(zhǔn)控溫" 特性,適配材料科學(xué)、地質(zhì)研究、電子元件測(cè)試等場(chǎng)景。該型號(hào)為單樣品加熱臺(tái)設(shè)計(jì),無(wú)衍生子型號(hào),核心區(qū)別在于可選配的樣品夾具(如陶瓷夾具、金屬夾具)與溫度傳感器類(lèi)型(K 型熱電偶、R 型熱電偶)。設(shè)備整體尺寸為 200mm×180mm×120mm(長(zhǎng) × 寬 × 高),重量約 5kg,采用臺(tái)式獨(dú)立結(jié)構(gòu),可與光學(xué)顯微鏡、拉曼光譜儀等設(shè)備聯(lián)用,滿足多維度檢測(cè)需求。
二、核心參數(shù)與性能關(guān)聯(lián)
(一)溫度控制參數(shù)
TS1500 的溫度范圍覆蓋室溫至 1500℃,升溫速率支持 0.1℃/min-100℃/min 可調(diào),不同速率適配不同實(shí)驗(yàn)需求:低速升溫(0.1℃/min-1℃/min)適合觀察材料相變過(guò)程(如金屬合金的固態(tài)相變),可精準(zhǔn)捕捉相變溫度點(diǎn);高速升溫(50℃/min-100℃/min)適用于快速燒結(jié)、熔融實(shí)驗(yàn)(如陶瓷材料快速燒結(jié)),縮短實(shí)驗(yàn)周期。降溫速率通過(guò)自然冷卻或選配冷卻附件實(shí)現(xiàn),自然冷卻時(shí)從 1500℃降至室溫約需 2 小時(shí),搭配強(qiáng)制風(fēng)冷附件可縮短至 1 小時(shí)。
控溫精度是核心性能指標(biāo),在 50℃-1000℃范圍內(nèi),控溫精度為 ±0.1℃;1000℃-1500℃范圍內(nèi),控溫精度為 ±0.5℃,可通過(guò)軟件實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)溫度波動(dòng)曲線,確保實(shí)驗(yàn)條件穩(wěn)定性。溫度均勻性方面,樣品加熱區(qū)域(直徑 10mm)內(nèi)的溫度差異≤1℃,避免因局部溫差導(dǎo)致材料反應(yīng)不均,尤其適合薄膜、薄片類(lèi)樣品的實(shí)驗(yàn)。
(二)結(jié)構(gòu)與安全參數(shù)
樣品加熱區(qū)域采用圓形設(shè)計(jì),直徑 10mm,深度 2mm,可容納最大厚度 1mm 的樣品(如陶瓷薄片、金屬箔片),加熱元件為嵌入型鉑電阻加熱器,功率 500W,可快速實(shí)現(xiàn)溫度躍升。設(shè)備配備雙重溫度保護(hù)機(jī)制:一級(jí)保護(hù)為軟件設(shè)定溫度上限(可設(shè) 1550℃,超過(guò)即停止加熱);二級(jí)保護(hù)為硬件熔斷保護(hù)(熔斷溫度 1600℃),防止溫度失控?fù)p壞設(shè)備或樣品。
散熱結(jié)構(gòu)方面,機(jī)身外殼采用鏤空設(shè)計(jì),配合內(nèi)部散熱風(fēng)扇(轉(zhuǎn)速 2000r/min),可將外殼溫度控制在 45℃以下,避免實(shí)驗(yàn)人員燙傷。電源參數(shù)為 AC 220V±10%、50Hz,工作電流≤3A,適配常規(guī)實(shí)驗(yàn)室供電環(huán)境,無(wú)需專(zhuān)用高壓電源。
三、參數(shù)與應(yīng)用場(chǎng)景的適配
在材料相變研究中,如鋁合金時(shí)效相變實(shí)驗(yàn),需設(shè)置低速升溫(0.5℃/min),從室溫升至 500℃,控溫精度 ±0.1℃可精準(zhǔn)記錄相變溫度(如 200℃時(shí)的 GP 區(qū)析出溫度),通過(guò)顯微鏡觀察相變過(guò)程中材料微觀結(jié)構(gòu)的變化;在陶瓷燒結(jié)實(shí)驗(yàn)中,采用高速升溫(80℃/min)至 1400℃,保溫 2 小時(shí),控溫精度 ±0.5℃可維持燒結(jié)溫度穩(wěn)定,避免溫度波動(dòng)導(dǎo)致陶瓷變形。
電子元件耐高溫測(cè)試場(chǎng)景中,如芯片封裝材料的耐高溫性測(cè)試,將樣品置于加熱區(qū)域,以 10℃/min 速率升溫至 1200℃,實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)材料是否出現(xiàn)開(kāi)裂、熔融,控溫精度 ±0.1℃(1000℃以下)可準(zhǔn)確判斷材料的耐高溫極限;地質(zhì)樣品熔融實(shí)驗(yàn)中,如玄武巖熔融溫度測(cè)試,需升溫至 1500℃,控溫精度 ±0.5℃可記錄熔融開(kāi)始與全熔融的溫度點(diǎn),為地質(zhì)演化研究提供數(shù)據(jù)支持。
四、參數(shù)調(diào)整的操作邏輯
實(shí)際操作中,參數(shù)調(diào)整需遵循 “實(shí)驗(yàn)?zāi)繕?biāo) - 速率 - 精度" 匹配原則:首先根據(jù)實(shí)驗(yàn)需求確定目標(biāo)溫度(如相變實(shí)驗(yàn)需覆蓋相變區(qū)間,燒結(jié)實(shí)驗(yàn)需達(dá)到燒結(jié)溫度);其次選擇升溫速率(低速適配需精準(zhǔn)記錄溫度點(diǎn)的實(shí)驗(yàn),高速適配需快速升溫的實(shí)驗(yàn));最后確認(rèn)控溫精度(高溫段需接受稍寬的精度范圍)。例如進(jìn)行聚合物熔融實(shí)驗(yàn)時(shí),目標(biāo)溫度設(shè)為 300℃(覆蓋聚合物熔融區(qū)間),升溫速率設(shè)為 5℃/min(兼顧效率與數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性),控溫精度 ±0.1℃可精準(zhǔn)記錄熔融溫度。
通過(guò)合理匹配參數(shù)與實(shí)驗(yàn)場(chǎng)景,TS1500 可在不同領(lǐng)域的高溫實(shí)驗(yàn)中發(fā)揮穩(wěn)定性能,為科研與工業(yè)測(cè)試提供可靠的溫度控制支持。

LinKam TS1500高溫?zé)崤_(tái)核心參數(shù)解析


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