能量探測(cè)器系列 PEM HP 型 參考價(jià):面議
能量探測(cè)器系列 PEM HP 型與本公司的 PEM Standard 系列探測(cè)器不同,本系列探測(cè)器專為更高的平均功率密度和更高的平均功率應(yīng)用場(chǎng)景而設(shè)計(jì)。在吸收涂...能量探測(cè)器系列 PEM USB 參考價(jià):面議
能量探測(cè)器系列 PEM USBPEM45KUSB 與 PEM45USB 熱釋電探測(cè)頭集成高可靠性熱釋電傳感器及帶 USB 接口的讀出電路??赏ㄟ^ BNC 接口連...能量探測(cè)器系列 PEM USB 參考價(jià):面議
能量探測(cè)器系列 PEM USBPEM45KUSB 與 PEM45USB 熱釋電探測(cè)頭集成高可靠性熱釋電傳感器及帶 USB 接口的讀出電路。可通過 BNC 接口連...熱釋電能量探測(cè)器 PEM HiRep 參考價(jià):面議
熱釋電能量探測(cè)器 PEM HiRep這些傳感器采用薄金屬(MC)或黑色吸收(BC)涂層,可加快向傳感元件的熱傳遞,z高重復(fù)率可達(dá) 5000 次 / 秒以上。MC...1.0~2.6 um擴(kuò)展型InGaAs光電二極管 參考價(jià):面議
1.0~2.6 um擴(kuò)展型InGaAs光電二極管光敏面直徑:Φ0.3 mm;工作波長(zhǎng):波段 1.0~2.6 um;峰值波長(zhǎng):2.2 um;峰值量子效率:...D2250-100M 超快窄帶單波長(zhǎng)紅外探測(cè)器 2.2-5.0um 參考價(jià):面議
D2250-100M 超快窄帶單波長(zhǎng)紅外探測(cè)器 2.2-5.0um中紅外探測(cè)器面臨的Max挑戰(zhàn)通常是大量的固有噪聲,并且它們會(huì)從周圍環(huán)境中收集大量噪聲。我們的單...中紅外MIR光電探測(cè)器 2.6-4.6um (TO-18 PD內(nèi)置前置放大器 光敏直徑0.5mm) 參考價(jià):面議
中紅外MIR光電探測(cè)器 2.6-4.6um (TO-18 PD內(nèi)置前置放大器 光敏直徑0.5mm)LED Microsensor NT 很高興地宣布推出具有特殊...中紅外MIR光電探測(cè)器 2.6-4.6um (TO-18 光敏直徑0.5mm) 參考價(jià):面議
中紅外MIR光電探測(cè)器 2.6-4.6um (TO-18 光敏直徑0.5mm)LED Microsensor NT 很高興地宣布推出具有特殊玻璃覆蓋層的新型光電...400-1100nm Si雪崩平衡探測(cè)器 2GHz 參考價(jià):面議
400-1100nm Si雪崩平衡探測(cè)器 2GHzSi雪崩平衡探測(cè)模塊集成了低噪聲APD探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、 APD 溫度...400-1100nm Si雪崩平衡探測(cè)器 100MHz 參考價(jià):面議
400-1100nm Si雪崩平衡探測(cè)器 100MHzSi雪崩平衡探測(cè)模塊集成了低噪聲APD探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、 APD ...Si雪崩單元探測(cè)器 2GHz 400-1100nm FC/APC 參考價(jià):面議
Si雪崩單元探測(cè)器 2GHz 400-1100nm FC/APCSi雪崩單元探測(cè)模塊集成了低噪聲APD探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、...Si雪崩單元探測(cè)器 100MHz 400-1100nm FC/APC 參考價(jià):面議
Si雪崩單元探測(cè)器 100MHz 400-1100nm FC/APCSi雪崩單元探測(cè)模塊集成了低噪聲APD探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電...900-2700nm 大光敏面InGaAs 銦鎵砷光電二極管 φ2mm 參考價(jià):面議
900-2700nm 大光敏面InGaAs 銦鎵砷光電二極管 φ2mmPL3000系列是一個(gè)全色PIN光電二極管,截止波長(zhǎng)高達(dá)2700nm。它使用的是InGaA...900-1700nm InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 非制冷型 參考價(jià):面議
900-1700nm InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 非制冷型InGaAs 雪崩光電二極管(APD)是短波近紅外單 光子檢測(cè)的專用器件,可滿足量子通信、弱光...900-2600nm 銦鎵砷InGaAs PIN光電二極管 φ2mm 參考價(jià):面議
900-2600nm 銦鎵砷InGaAs PIN光電二極管 φ2mmInGaAs 光電二極管主要用于近紅外探測(cè),具有高速、高靈敏度、低噪音、寬廣普響應(yīng)范圍(0....DC-20Hz 超快窄帶單波長(zhǎng)紅外探測(cè)器 2.2-5.0um 參考價(jià):面議
DC-20Hz 超快窄帶單波長(zhǎng)紅外探測(cè)器 2.2-5.0um中紅外探測(cè)器面臨的Max挑戰(zhàn)通常是大量的固有噪聲,并且它們會(huì)從周圍環(huán)境中收集大量噪聲。我們的單波長(zhǎng)檢...D2250-2M 超快窄帶單波長(zhǎng)紅外探測(cè)器 2.2-5.0um 參考價(jià):面議
D2250-2M 超快窄帶單波長(zhǎng)紅外探測(cè)器 2.2-5.0um中紅外探測(cè)器面臨的Max挑戰(zhàn)通常是大量的固有噪聲,并且它們會(huì)從周圍環(huán)境中收集大量噪聲。我們的單波長(zhǎng)...中紅外MIR光電探測(cè)器 2.0-3.8um (TO-18 PD內(nèi)置前置放大器 光敏直徑0.3mm) 參考價(jià):面議
中紅外MIR光電探測(cè)器 2.0-3.8um (TO-18 PD內(nèi)置前置放大器 光敏直徑0.3mm)LED Microsensor NT 很高興地宣布推出具有特殊...中紅外MIR光電探測(cè)器 2.0-3.8um (TO-18 光敏直徑0.3mm) 參考價(jià):面議
中紅外MIR光電探測(cè)器 2.0-3.8um (TO-18 光敏直徑0.3mm)LED Microsensor NT 很高興地宣布推出具有特殊玻璃覆蓋層的新型光電...熱釋電能量探測(cè)器 PEM HiRep 參考價(jià):面議
熱釋電能量探測(cè)器 PEM HiRep這些傳感器采用薄金屬(MC)或黑色吸收(BC)涂層,可加快向傳感元件的熱傳遞,z高重復(fù)率可達(dá) 5000 次 / 秒以上。MC...190~1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測(cè)器 參考價(jià):面議
190~1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測(cè)器我們的硅探測(cè)器 ,感光范圍覆蓋190nm~1100nm, 常用于紫外 與可見光測(cè)量;放大型探測(cè)器,8檔可調(diào)增益 ,...190~ 1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測(cè)器 參考價(jià):面議
190~ 1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測(cè)器我們的硅探測(cè)器 ,感光范圍覆蓋190nm~1100nm, 常用于紫外 與可見光測(cè)量;放大型探測(cè)器,8檔可調(diào)增益 ...320~1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測(cè)器 參考價(jià):面議
320~1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測(cè)器我們的硅探測(cè)器 ,感光范圍覆蓋190nm~1100nm, 常用于紫外 與可見光測(cè)量;放大型探測(cè)器,8檔可調(diào)增益 ,...350~1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測(cè)器 參考價(jià):面議
350~1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測(cè)器我們的硅探測(cè)器 ,感光范圍覆蓋190nm~1100nm, 常用于紫外 與可見光測(cè)量;放大型探測(cè)器,8檔可調(diào)增益 ,...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)