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壓電納米定位臺(tái)在光刻機(jī)中的核心作用

閱讀:113      發(fā)布時(shí)間:2025-9-5
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   在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域,光刻機(jī)被譽(yù)為“工業(yè)上的明珠”,而壓電納米定位臺(tái)則是這顆明珠的“心臟”。隨著芯片制程不斷向3nm、2nm甚至更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)突破,光刻精度要求達(dá)到納米級(jí)別,傳統(tǒng)機(jī)械驅(qū)動(dòng)方式已難以為繼。壓電納米定位臺(tái)憑借其逆壓電效應(yīng),通過施加電壓精準(zhǔn)控制陶瓷形變,實(shí)現(xiàn)0.1nm級(jí)位移分辨率,成為光刻機(jī)突破精度瓶頸的關(guān)鍵技術(shù)支撐。
 
  在光刻機(jī)核心的工件臺(tái)與掩模臺(tái)系統(tǒng)中,壓電納米定位臺(tái)構(gòu)建起“宏微復(fù)合驅(qū)動(dòng)”的精密控制體系。直線電機(jī)負(fù)責(zé)厘米級(jí)行程的快速移動(dòng),而壓電陶瓷則像“納米級(jí)手”一樣補(bǔ)償高頻振動(dòng)與熱漂移,使定位精度提升50倍。
 
  套刻對(duì)準(zhǔn)是決定芯片多層電路精準(zhǔn)疊加的核心環(huán)節(jié),它在此展現(xiàn)出動(dòng)態(tài)響應(yīng)能力。芯明天H30系列壓電掃描旋轉(zhuǎn)臺(tái)采用無摩擦柔性鉸鏈結(jié)構(gòu),響應(yīng)速度達(dá)到亞毫秒級(jí),配合φ60mm中心大通孔設(shè)計(jì),可實(shí)現(xiàn)晶圓與掩模的三維對(duì)準(zhǔn),同步誤差控制在±1nm。
 
  面對(duì)光刻機(jī)內(nèi)部復(fù)雜的多物理場干擾,它通過多維度創(chuàng)新構(gòu)建穩(wěn)定控制體系。在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上,無摩擦氣浮技術(shù)形成0.005mm空氣膜支撐,使摩擦系數(shù)小于0.0001,既消除微粒污染風(fēng)險(xiǎn),又避免機(jī)械磨損導(dǎo)致的精度衰減;在溫控方面,閉環(huán)全橋設(shè)計(jì)有效抵消壓電材料的溫度漂移,如NPX200SG位移臺(tái)通過應(yīng)變片傳感器實(shí)時(shí)補(bǔ)償蠕變誤差;在多軸協(xié)同上,六自由度壓電偏擺臺(tái)可同時(shí)實(shí)現(xiàn)X、Y、Z軸直線運(yùn)動(dòng)和θx、θy、θz角度調(diào)整,分辨率優(yōu)于0.5μrad,精準(zhǔn)消除激光能量引起的物鏡熱畸變。
 
  隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)光刻產(chǎn)能需求的提升,壓電納米定位臺(tái)正朝著“高精度+高速度”雙突破方向發(fā)展。當(dāng)前頂尖系統(tǒng)已實(shí)現(xiàn)38ms的穩(wěn)定時(shí)間和2g的加速度,在保證±1nm定位精度的同時(shí),滿足每月數(shù)萬片晶圓的量產(chǎn)需求。未來,隨著新型壓電材料研發(fā)和AI自適應(yīng)控制算法的融合,這一核心部件將持續(xù)突破物理極限,為1nm及以下先進(jìn)制程光刻技術(shù)提供更強(qiáng)大的精度保障,支撐全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向微觀世界不斷探索。

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