　　微流控芯片溫度控制中CP是把壞的Die挑出來，可以減少封裝和測(cè)試的成本?？梢愿苯拥闹?/span>Wafer 的良率。FT是把壞的chip挑出來；檢驗(yàn)封裝的良率?，F(xiàn)在對(duì)于一般的wafer工藝，很多公司多把CP給省了；減少成本。CP對(duì)整片Wafer的每個(gè)Die來測(cè)試

　　而FT則對(duì)封裝好的Chip來測(cè)試。CP Pass 才會(huì)去封裝。然后FT，確保封裝后也Pass。WAT是Wafer AcceptanceTest，對(duì)專門的測(cè)試圖形（test key）的測(cè)試，通過電參數(shù)來監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定。

　　微流控芯片溫度控制CP是wafer level的chip probing，是整個(gè)wafer工藝，包括backgrinding和backmetal（if need），對(duì)一些基本器件參數(shù)的測(cè)試，如vt（閾值電壓），Rdson（導(dǎo)通電阻），BVdss（源漏擊穿電壓），Igss（柵源漏電流），Idss（漏源漏電流）等，一般測(cè)試機(jī)臺(tái)的電壓和功率不會(huì)很高。

　　微流控芯片溫度控制FT是packaged chip level的Final Test，主要是對(duì)于這個(gè)（CPpassed）IC或Device芯片應(yīng)用方面的測(cè)試，有些甚至是待機(jī)測(cè)試；CP 測(cè)試對(duì)Memory來說還有一個(gè)非常重要的作用，那就是通過MRA計(jì)算出chip level 的Repair address，通過Laser Repair將CP測(cè)試中的Repairable die 修補(bǔ)回來，這樣保證了yield和reliability兩方面的提升。

　　對(duì)于微流控芯片溫度控制測(cè)試項(xiàng)來說，有些測(cè)試項(xiàng)在CP時(shí)會(huì)進(jìn)行測(cè)試，在FT時(shí)就不用再次進(jìn)行測(cè)試了，節(jié)省了FT測(cè)試時(shí)間；但是有些測(cè)試項(xiàng)必須在FT時(shí)才進(jìn)行測(cè)試（不同的設(shè)計(jì)公司會(huì)有不同的要求）一般來說，CP測(cè)試的項(xiàng)目比較多，比較全；FT測(cè)的項(xiàng)目比較少，但都是關(guān)鍵項(xiàng)目，條件嚴(yán)格。但也有很多公司只做FT不做CP（如果FT和封裝yield高的話，CP就失去意義了）。在測(cè)試方面，CP比較難的是探針卡的制作，并行測(cè)試的干擾問題。FT相對(duì)來說簡(jiǎn)單一點(diǎn)。還有一點(diǎn)，memory測(cè)試的CP會(huì)更難，因?yàn)橐?/span>redundancy analysis，寫程序很麻煩。CP在整個(gè)制程中算是半成品測(cè)試，目的有2個(gè)，1個(gè)是監(jiān)控前道工藝良率，另一個(gè)是降低后道成本（避免封裝過多的壞芯片），其能夠測(cè)試的項(xiàng)比FT要少些。簡(jiǎn)單的一個(gè)例子，碰到大電流測(cè)試項(xiàng)CP肯定是不測(cè)的（探針容許的電流有限），這項(xiàng)只能在封裝后的FT測(cè)。不過許多項(xiàng)CP測(cè)試后FT的時(shí)候就可以免掉不測(cè)了（可以提率），所以有時(shí)會(huì)覺得FT的測(cè)試項(xiàng)比CP少很多。