用戶在進(jìn)行芯片測(cè)試系統(tǒng)運(yùn)行的時(shí)候，需要對(duì)于芯片測(cè)試了解清楚，為此，無錫冠亞分析了相關(guān)芯片測(cè)試的相關(guān)知識(shí)，為大家提供更詳細(xì)的知識(shí)。
功能不合格是指某個(gè)功能點(diǎn)點(diǎn)沒有實(shí)現(xiàn)，這往往是設(shè)計(jì)上導(dǎo)致的，通常是在設(shè)計(jì)階段前仿真來對(duì)功能進(jìn)行驗(yàn)證來保證，所以通常設(shè)計(jì)一塊芯片，仿真驗(yàn)證會(huì)占用大約80%的時(shí)間。性能不合格，某個(gè)性能指標(biāo)要求沒有過關(guān)，比如2G的cpu只能跑到1.5G，數(shù)模轉(zhuǎn)換器在要求的轉(zhuǎn)換速度和帶寬的條件下有效位數(shù)enob要達(dá)到12位，卻只有10位，以及lna的noise figure指標(biāo)不達(dá)標(biāo)等等。這種問題通常是由兩方面的問題導(dǎo)致的，一個(gè)是前期在設(shè)計(jì)系統(tǒng)時(shí)就沒做足余量，一個(gè)就是物理實(shí)現(xiàn)版圖太爛。這類問題通常是用后仿真來進(jìn)行驗(yàn)證的。生產(chǎn)導(dǎo)致的不合格。這個(gè)問題出現(xiàn)的原因就要提到單晶硅的生產(chǎn)了。學(xué)過半導(dǎo)體物理的都知道單晶硅是規(guī)整的面心立方結(jié)構(gòu)，它有好幾個(gè)晶向，通常我們生長(zhǎng)單晶是是按照111晶向進(jìn)行提拉生長(zhǎng)。但是由于各種外界因素，比如溫度，提拉速度，以及量子力學(xué)的各種隨機(jī)性，導(dǎo)致生長(zhǎng)過程中會(huì)出現(xiàn)錯(cuò)位，這個(gè)就稱為缺陷。
芯片缺陷產(chǎn)生還有一個(gè)原因就是離子注入導(dǎo)致的，即使退火也未能校正過來的非規(guī)整結(jié)構(gòu)。這些存在于半導(dǎo)體中的問題，會(huì)導(dǎo)致器件的失效，進(jìn)而影響整個(gè)芯片。所以為了在生產(chǎn)后能夠揪出失效或者半失效的芯片，就會(huì)在設(shè)計(jì)時(shí)加入專門的測(cè)試電路，比如模擬里面的測(cè)試，數(shù)字里面的測(cè)邏輯，測(cè)存儲(chǔ)，來保證交付到客戶手上的都是ok的芯片。而那些失效或半失效的產(chǎn)品要么廢棄，要么進(jìn)行閹割后以低端產(chǎn)品賣出。
在運(yùn)行芯片測(cè)試系統(tǒng)的時(shí)候，如果發(fā)現(xiàn)芯片測(cè)試系統(tǒng)中芯片不合格的話就需要及時(shí)剔除，不斷提高芯片的運(yùn)行效率。（本文來源網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系無錫冠亞進(jìn)行刪除，謝謝。）
