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電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備

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產(chǎn)品型號RIE-800iPB

品牌SAMCO

廠商性質(zhì)經(jīng)銷商

所在地國外

更新時間：2024-09-06 13:57:32瀏覽次數(shù)：441次

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Samco 的 RIE-800iPB 是一種電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備，使用高密度等離子體進(jìn)行 MEMS 和 TSV 應(yīng)用所需的深度硅蝕刻。RIE-800iPB是為Bosch工藝設(shè)計的用硅蝕刻系統(tǒng)（由Robert Bosch GmbH授權(quán)）。該系統(tǒng)的反應(yīng)室、電、平臺和真空設(shè)計克服了在競爭系統(tǒng)中遇到的問題，可實現(xiàn)高速(約50 μm/min)、無傾斜、高剖面蝕刻，具有行業(yè)先的

1. 產(chǎn)品概述

Samco 的 RIE-800iPB 是一種高性能的電感耦合等離子體 (ICP) 蝕刻系統(tǒng)，使用高密度等離子體進(jìn)行 MEMS 和 TSV 應(yīng)用所需的深度硅蝕刻。

RIE-800iPB是為Bosch工藝設(shè)計的用硅蝕刻系統(tǒng)（由Robert Bosch GmbH授權(quán)）。該系統(tǒng)的反應(yīng)室、電、平臺和真空設(shè)計克服了在競爭系統(tǒng)中遇到的問題，可實現(xiàn)高速(約50 μm/min)、無傾斜、高剖面蝕刻，具有行業(yè)先的選擇性(超過100:1)。

2. 設(shè)備用途/原理

MEMS（加速度傳感器、陀螺儀、壓力傳感器、執(zhí)行器等）。通過硅通道(TSV)、噴墨打印機頭的加工、功率器件(超結(jié)MOSFET)、等離子切割/劃線。

3. 設(shè)備特點

MEMS量產(chǎn)中的高速蝕刻，量產(chǎn)中的高寬比蝕刻，扇貝的控制/無扇貝的非波西法流程，傾斜控制，均勻性好，用于絕緣體硅(SOI)晶片缺口控制的偏置脈沖。


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