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柵極驅(qū)動器是向電壓驅(qū)動型MOSFET或IGBT的柵子施加電壓來控制驅(qū)動的電路。目前,通用的柵極驅(qū)動器是驅(qū)動和控制MOSFET柵極的電路,但也有使用電阻器、二極管和雙極晶體管等晶體管的模擬電路技術。最近,柵極驅(qū)動器外圍電路元件本身也不斷發(fā)展。種類和組合有很多種,但實用的是學習使用MOSFET的柵極電壓驅(qū)動控制電路。柵極驅(qū)動器的應用柵極驅(qū)動器用于通過僅由MOSFET和柵極電阻組成的簡單驅(qū)動電路來驅(qū)動功率晶體管。柵極驅(qū)動器的優(yōu)點是零件數(shù)量少。缺點是開關速度和損耗隨電阻值變化很大,很難設定合適的電阻值。
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CFRP管是由碳纖維增強塑料(CFRP)制成的圓柱形管道。CFRP是纖維增強塑料的縮寫。該樹脂采用碳纖維增強,具有較高的比強度和非彈性模量。因此,碳纖維增強塑料被用于航天開發(fā)和飛機部件。其他類型的增強塑料包括FRP(纖維增強塑料)和GFRP(玻璃纖維增強塑料),但它們的物理性能因碳纖維成分和含量的不同而異。玻璃鋼FRP是在低模量的塑料中添加高模量的玻璃纖維來提高強度的復合材料。玻璃鋼GFRP是一種由玻璃纖維制成的復合材料,使用乙烯基酯和環(huán)氧樹脂等樹脂硬化。它的售價比其他增強塑料要低。碳纖維增強塑
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介電彈性體是一種當施加高電場時材料會承受顯著應變并改變形狀的彈性體。彈性體是一個由“彈性”和“聚合物”兩個詞組合而成的新詞。它是指具有彈性的聚合物,橡膠就是一個典型的例子。介電彈性體是將電能轉(zhuǎn)化為機械動能的彈性體。一般來說,該材料必須具有高介電常數(shù)且相對柔軟,并且正在研究和開發(fā)以利用其特性功能將其投入實際應用。介電彈性體的應用介電彈性體正處于研發(fā)階段。未來應用的例子包括各種致動器,例如人造肌肉。目前實際使用的執(zhí)行機構(gòu)大多是伺服電機式或液壓式,其轉(zhuǎn)換效率有限。為了實現(xiàn)考慮環(huán)境問題的脫碳社會,工業(yè)界
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離型膜是頂部涂有離型劑的薄膜。主要使用的材料包括聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚丙烯(PP)和聚氯乙烯(PVC),這是一種附著在信封粘合部分上的薄膜,在關閉信封時將其除去。脫模膜所用的脫模劑一般是一種化學物質(zhì),在樹脂制品的制造過程中,預先涂在模具表面,使制品更容易從模具上脫模。脫模劑有不同種類,有氟類脫模劑、有機硅類脫模劑、油類脫模劑、水性脫模劑、粉狀脫模劑等,根據(jù)脫模劑的種類而使用目標材料和環(huán)境。離型膜的應用與脫模劑類似,在使用模具制造樹脂產(chǎn)品時使用脫模膜,將其插入模具和樹脂之間,以便成型后
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可熔酚醛樹脂是酚醛樹脂的一種。由苯酚和甲醛在堿催化劑作用下反應固化而得。還有一種樹脂稱為酚醛清漆,甲階酚醛樹脂使用堿性催化劑,而酚醛清漆樹脂使用酸性催化劑進行反應。此外,酚醛清漆是熱塑性樹脂,而甲階酚醛樹脂是熱固性樹脂,加熱時會交聯(lián)并硬化。可熔酚醛樹脂的應用目前,甲階酚醛樹脂很少被模制成單個制品。一般加工成顆粒狀并用作建筑材料。具體例子包括隔音/隔熱材料、墻壁/天花板、地板材料和建筑涂料。使用甲階酚醛樹脂的關鍵點在于其耐熱性和高阻燃性。另外,它與多種基材兼容,因此常常與其他基材結(jié)合使用,以發(fā)揮各
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閃存編程器是一種寫入閃存的設備。這是一種專門針對閃存的設備編程器(ROM編寫器)。有時稱為閃存ROM寫入器。閃存編程器有兩種類型:一種連接到計算機并向閃存寫入數(shù)據(jù),另一種將計算機上創(chuàng)建的寫入文件保存到閃存編程器并獨立寫入。另外,根據(jù)寫入方式的不同,有多種類型,包括支持onboard和offboard的型號。閃存編程器主要用于生產(chǎn),但也用于軟件開發(fā)和最終產(chǎn)品的現(xiàn)場維護。flash編程器的使用閃存是一種集成到各種工業(yè)和工業(yè)設備中用于存儲控制程序和數(shù)據(jù)的設備。閃存有兩種類型:NOR型和NAND型,主要
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器件編程器是一種可以在各種類型的半導體存儲器(ROM)和可編程器件上讀取、寫入和擦除數(shù)據(jù)的設備。另一個名字是ROM寫入器。可以使用器件編程器進行編程的器件包括閃存(NOR、NAND等)、串行閃存、閃存微控制器、邏輯器件等。還有支持eMMC內(nèi)存和UFS內(nèi)存的設備。如何使用設備編程器設備編程器主要用于將開發(fā)的數(shù)據(jù)寫入存儲介質(zhì)(ROM)。雖然它用于個人開發(fā),但在工業(yè)應用中也廣泛使用。它還可用于合并到自動化系統(tǒng)中并在很長一段時間內(nèi)執(zhí)行大量寫入。另外,如果燒寫量不大,可以使用外部ROM燒寫服務將燒寫工作外
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鐵電存儲器(FeRAM)是一種可讀寫的半導體存儲器(RAM:隨機存取存儲器)。它通過施加電壓使鐵電電容器極化,并沿殘余極化存儲器的方向存儲數(shù)據(jù)。當電源關閉時會丟失其內(nèi)容的存儲器稱為易失性存儲器,而不會丟失其內(nèi)容的存儲器稱為非易失性存儲器。RAM的主要類型是SRAM(統(tǒng)計RAM)和DRAM(動態(tài)RAM),都是易失性存儲器,但鐵電存儲器是非易失性存儲器。鐵電存儲器的應用鐵電存儲器是一種非易失性存儲器,具有高速運行、低功耗、高重寫次數(shù)的特點,非常適合實時頻繁重寫數(shù)據(jù)的應用。因此,作為獨立的存儲芯片,它