霍爾效應(yīng)測試儀主要用于測量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)、導(dǎo)電類型等重要參數(shù)，而這些參數(shù)是了解半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必須預(yù)先掌控的，因此霍爾效應(yīng)測試儀是理解和研究半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性的工具。
ECOPIA公司的HMS系列霍爾效應(yīng)測量系統(tǒng)主要由恒電流源、范德堡法則終端轉(zhuǎn)換器、低溫(77K)測量系統(tǒng)及磁場強(qiáng)度輸入系統(tǒng)組成，擁有研究半導(dǎo)體材料霍爾效應(yīng)所有的部件和配置，是一套非常成熟的儀器系統(tǒng)。同時HMS系列儀器獲得多項(xiàng)霍爾效應(yīng)測量系統(tǒng)、測量方法的ZG，代表了霍爾效應(yīng)測量的品質(zhì)及合理的產(chǎn)品價格，并為客戶所認(rèn)可。該產(chǎn)品2004年7月通過CE認(rèn)證。
產(chǎn)品特點(diǎn)：
1、 可靠的精度及重現(xiàn)性
恒電流源(1nA~20mA)采用六級電流范圍設(shè)置，將可以接收的誤差降到zuidi；范德堡法則轉(zhuǎn)換使用非接觸裝置有效降低儀器噪聲；軟硬件有針對性的設(shè)計，確保每個實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)均為多次測試的平均值，使儀器擁有非常好的數(shù)據(jù)重現(xiàn)性。
2、 產(chǎn)品小型化及操作簡單化
小尺寸的磁場強(qiáng)度輸入系統(tǒng)使用永磁體和液氮低溫測量系統(tǒng)(77K)，確保儀器操作非常簡單；兩種不同尺寸的傳統(tǒng)樣品板(20*20mm、6*6mm)及帶彈簧夾片的樣品板(SPCB)，使得不同尺寸不同材料的薄膜樣品更容易測量，區(qū)別于傳統(tǒng)樣品板的彈簧夾片樣品板使得霍爾電極制作更方便且對樣品損傷更小。
3、I-V曲線及I-R曲線測量
采用圖表的方式，測量探針?biāo)狞c(diǎn)(A、B、C、D)間電流-電壓及電流-電阻關(guān)系，并以此評判樣品的歐姆接觸好壞、了解樣品的基本的電學(xué)特性。
4、 多樣的實(shí)驗(yàn)結(jié)果
實(shí)驗(yàn)結(jié)果由軟件自動計算得到，可同時得到體載流子濃度(Bulk Carrier Concentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(shù)(Hall Coefficient)、磁致電阻(Magnetoresistance)、電阻的縱橫比率(Vertical/Horizontal ratio of resistance)等等。
產(chǎn)品組成：
主機(jī)(精密恒電流源+范德堡法則終端轉(zhuǎn)換器) / 磁體包(包括樣品板) / 軟件等。
[HMS-3000軟件界面一]
[HMS-3000軟件界面二(I-V和I-R曲線測量)]
產(chǎn)品規(guī)格：
1、 主要儀器參數(shù)
輸入電流：1nA ~ 20mA；
電阻率：10exp(-5) ~ 10exp7 Ω.cm；
載流子濃度：10exp7 ~ 10exp21 cm-3；
遷移率：1 ~ 10exp7 cm2/Volt.sec；
磁場強(qiáng)度：0.37T, 0.55T, 1T, 0.25~1T變場磁體；
樣品測量板：PCB樣品板，SPCB彈簧樣品板，晶圓樣品板等；
樣品尺寸：5mmX5mm ~ 20mmX20mm (可選配30mm或2inch大樣品板)；
測量溫度：常溫，77K液氮?。?/span>
2、 軟件操作環(huán)境
XP / Win7 / Win8 / Win10環(huán)境下
3、 實(shí)驗(yàn)結(jié)果
體載流子濃度、表面載流子濃度；
遷移率;
霍爾系數(shù)；
電阻率,方塊電阻；
磁致電阻；
電阻的縱橫比率；
4、 儀器尺寸和重量
主機(jī)尺寸：360×300×105 mm (W×H×D)磁體Kit尺寸：200×120×110 mm (W×H×D)；
凈重：7.7千克；
5、 測量材料
Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等所有半導(dǎo)體薄膜(P型和N型)；
參考用戶：
HMS-3000霍爾效應(yīng)儀國內(nèi)科研用戶超過了100臺。
清華大學(xué)、北京大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、上海交大、ZG科大、浙江大學(xué)、哈工大、電子科大、西北工大、湖南大學(xué)、中南大學(xué)、上海大學(xué)、中科院物理所、半導(dǎo)體所、長春光機(jī)所、蘭州化物所、上海技物所、蘇州納米所...
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