輝光放電質(zhì)譜

ELEMENT GD集中了輝光放電和高分辨質(zhì)譜的優(yōu)勢(shì)，在以下方面有杰出表現(xiàn)：

·樣品測(cè)試通量高：ELEMENT GD離子源和樣品夾的設(shè)計(jì)使可縮短換樣和分析時(shí)間，顯著提高生產(chǎn)率；

·檢測(cè)器線性范圍寬：檢測(cè)器線性范圍達(dá)12個(gè)數(shù)量級(jí)，可一次掃描同時(shí)檢測(cè)基體和痕量元素組成；

·具有固定寬度的低、中、高分辨率狹縫，采用高分辨率可直接分析有質(zhì)譜干擾的同位素。

GD-MS 技術(shù)可用于分析導(dǎo)體和非導(dǎo)體材料，其方法的穩(wěn)健性確保了不同樣品分析時(shí)具備相同程度的靈敏度和數(shù)據(jù)質(zhì)量。借 助于專門的制樣和分析流程，可輕松完成低熔點(diǎn)金屬（例如鎵）的測(cè)試。上述優(yōu)勢(shì)使得 GD-MS 成為可靠的金屬標(biāo)分析標(biāo)準(zhǔn)。

Element GD Plus GD-MS 廣泛服務(wù)于高純材料制造商及其工業(yè)客戶，諸如：

航空航天 - 鎳超合金、涂層和擴(kuò)散層深度剖面

微電子 - 銅、氧化鋁粉末、濺射靶材

可再生能源 - 硅塊、晶圓、太陽能電池

醫(yī)療 / 制藥 / 食品 - 不銹鋼、合金

核工業(yè) - 鈾、核燃料

輝光放電質(zhì)譜

杰出的分析速度、靈敏度和準(zhǔn)確度

Element GD Plus GD-MS 作為當(dāng)今前沿的分析技術(shù)，為固體樣品分析 提供了高通量測(cè)試所需的分析速度、靈敏度以及準(zhǔn)確度。 專門設(shè)計(jì)的樣品夾，旨在確保操作簡單、換樣快速，適用于常規(guī)操作和 高通量測(cè)試。

高通量常規(guī)分析 Element GD Plus GD-MS

離子源及樣品夾非設(shè)計(jì)十分便于 更換樣品，利于常規(guī)操作和高通量測(cè)試。

制樣簡單

巧妙而簡單的輝光放電離子源設(shè)計(jì)縮短了換樣時(shí)間。

樣品本身置于真空室之中，消除樣品和 GD 放電池之間 泄露風(fēng)險(xiǎn)。

樣品可以快速便捷地從離子源移除、取下、換樣、重新裝回離子源，之后可進(jìn)行下一次測(cè)量。離子源室的開啟和關(guān)閉可全自動(dòng)完成。

5分鐘內(nèi)測(cè)定50種ppb級(jí)微量元素

離子源

 向放電池中充入低壓氣體，并在兩個(gè)電極之間加載電壓， 就會(huì)產(chǎn)生輝光放電。在進(jìn)行樣品分析時(shí)，樣品充當(dāng)陰極， 其表面被氣體離子沖擊發(fā)生濺射。濺射出來的粒子大部分 是中性原子，可在后方等離子體中發(fā)生電離。由于濺射和 電離過程是分離的，使得非質(zhì)譜相關(guān)的基體效應(yīng)非常小， 這在脈沖模式下尤為如此。因此，我們可以在優(yōu)化的條件 下建立相對(duì)靈敏度因子（RSF）并以此進(jìn)行定量分析，或使 用簡單的離子束比（IBR）進(jìn)行半定量分析。

 Element GD Plus 的高通量分析能力還得益于樣品的半導(dǎo)體 制冷（亦可制熱）方式，避免了其它類型 GD-MS 必需的液 氮制冷，并同時(shí)具備低熔點(diǎn)金屬（例如鎵）的分析能力。 由于樣品不作為真空密封件的一部分，極大降低了對(duì)樣品 表面平整度的要求。

Element GD Plus 輝光放電質(zhì)譜儀離子源可提供更高的濺射 速率和簡單快速的樣品更換流程，有利于高通量日常樣品 測(cè)試而不影響分析性能。在較低的濺射速率下，脈沖模式 操作可以顯著提高電離效率，減少離子源中樣品的沉積量。

輝光放電離子源特征

• 高靈敏度，縮短分析時(shí)間

• 簡單快速的樣品更換流程

• 多原子離子產(chǎn)率低，無需液氮冷卻

•完整的消耗品配件，適用于高純 / 中等純度樣品分析

•靈活的樣品支架，覆蓋塊狀、粉末狀和針狀 ( 需選配針 狀樣品夾 ) 樣品分析

• 插拔式樣品錐和陽極部件，便于快速更換，消除交叉污 染風(fēng)險(xiǎn)

• 濺射速率廣泛可調(diào)，適于整體分析和深度曲線分析

• 較大的濺射面積確保表面分析的代表性，最大限度地減 少材料不均勻性的影響

• 多種陽極帽尺寸，便于深度曲線分析

• 增強(qiáng)半導(dǎo)體制冷能力，勝任低熔點(diǎn)金屬分析

高分辨消除質(zhì)譜干擾

 Element GD Plus GD-MS采用了先進(jìn)的高分辨扇形磁質(zhì)譜技術(shù)。GD-MS分析的主要挑戰(zhàn)是由基體元素和放電氣體與等離子體中其它物質(zhì)結(jié)合產(chǎn)生的質(zhì)譜干擾，因此，高分辨率是獲得準(zhǔn)確結(jié)果的先決條件。Element GD Plus 可實(shí)現(xiàn)無干擾分析，因此可采用簡單的線 性校正曲線進(jìn)行定量分析。三種固定分辨率狹縫可在1 s內(nèi)快速切換，實(shí)現(xiàn)了有效去除干擾的儀器條件。

 單次分析中三種不同分辨率可任意組合使用。固定式狹縫設(shè)計(jì)確保了最佳穩(wěn)定性和重現(xiàn)性。 反向 Nier-Johnson 結(jié)構(gòu)的質(zhì)量分析器確保了豐度靈敏度，并實(shí)現(xiàn)了掃描速度和質(zhì)量穩(wěn)定性的優(yōu)化。磁場(chǎng)的設(shè)計(jì)質(zhì)量范圍為1 - 260 u，滿足元素分析要求。磁鐵體積相對(duì)較小且高度層化，由復(fù)雜的大功率電源磁場(chǎng)調(diào)節(jié)器控制，實(shí)現(xiàn)了最短的磁場(chǎng)切換和穩(wěn)定時(shí)間。

動(dòng)態(tài)線性范圍＞ 12 個(gè)數(shù)量級(jí)

檢測(cè)系統(tǒng) 大多數(shù)應(yīng)用需要同時(shí)檢測(cè)基體元素（%）、痕量 元素（ppm）和超痕量元素（ppb）。為實(shí)現(xiàn)這 一目標(biāo)，檢測(cè)系統(tǒng)具備以下功能： 

• 寬線性動(dòng)態(tài)范圍：0.5 cps 到＞ 1012 cps 

• 快速檢測(cè)能力：低至 1 ms 的積分時(shí)間 

• 不同檢測(cè)模式之間自動(dòng)、快速切換 

• 不同檢測(cè)模式之間自動(dòng)交叉校正

Element GD Plus 中通過使用雙模式二次電子 倍增器（SEM）和法拉第杯檢測(cè)器的獨(dú)特組合 來實(shí)現(xiàn)超寬線性范圍的檢測(cè)。Filter lens 提供了 極低的豐度靈敏度。法拉第杯檢測(cè)快速，最短 積分時(shí)間低至 1 毫秒。