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應用案例 | PbTe-Ge和PbTe-Ge1-xSix合金導熱系數(shù)的測量
PbTe-Ge和PbTe-Ge1-xSix
合金導熱系數(shù)的測量
在碲化鉛材料PbTe-Ge和PbTe-Ge1-xSix中，通過調(diào)整Ge和Si的含量可以很容易調(diào)節(jié)合金的導熱系數(shù)。
上圖結(jié)果是在25°C到320°C溫度范圍內(nèi)獲得。圖A顯示Ge不同的含量對PbTe的晶格導熱系數(shù)有很大的影響。在整個溫度范圍內(nèi)，隨著Ge含量的降低，晶格導熱系數(shù)降低。另外，在上述體系加入Si元素后，晶格導熱系數(shù)進一步降低（圖B）。當Ge和Si的混合比例不變，將Ge0.8Si0.2含量降低時，可以看到類似的行為(圖C)。圖D顯示當Ge-/Ge- Si的比例為5%時能夠得到最佳晶格導熱系數(shù)。
