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電子元器件所能承受的靜電破壞的電壓是多少

來源：深圳市辰儀科技有限公司   2019年01月04日 10:06  

電子器件所能承受靜電破壞的靜電電壓是多少，相信大家都不知道吧，下面我們就一起來看看吧。

以下是一些參考資料中給出的數(shù)據(jù)：

  器件類型

靜電破壞電壓(V) 

    器件類型     

靜電破壞電壓(V) 

  VMoS     

  30～1800 　      

  OP-AMP         

  190～2500        

  M0SFET   

  100～200　       

 JEFT           

  140～1000        

  GaAsFET  

  100～300       　

 SCL            

  680～1000        

  PROM     

 100            

 STTL           

  300～2500        

  CMoS     

  250～2000       　

 DTL            

  380～7000        

  HMOS     

  50～500       　 

  肖特基二極管   

  300～3000        

   E／DMOS  

  200～1000   　   

 雙極型晶體管   

  380～7000        

ECL      

  300～2500 　     

 石英壓電晶體

  ＜10000          

從上表可見大部分器件的靜電破壞電壓都在幾百至幾千伏，而在干燥的環(huán)境中人活動所產(chǎn)生的靜電可達幾千伏到幾萬伏。

要想獲得某個元器件的所能能承受的靜電電壓要通過試驗才能測得。按照國內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)，一般使用靜電放電敏感度測試儀：

電子元器件靜電敏感度的試驗主要用ESS-6008/ESS-6002半導(dǎo)體靜電放電模擬試驗器，而用電子元器件組裝成組件、整機的電子設(shè)備靜電試驗則用ESS-S3011A/ESS-B3011A/ESS-L1611A靜電放電模擬試驗器來做試驗。

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