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日本napson薄膜電阻檢測儀EC-80P技術(shù)解析

來源：深圳市秋山貿(mào)易有限公司   2021年02月24日 17:19  

日本napson薄膜電阻檢測儀EC-80P技術(shù)解析

 

產(chǎn)品特點

  • 只需觸摸手持式探頭即可進行電阻測量。
  • 在電阻率/薄層電阻測量模式之間輕松切換
  • 使用JOG撥盤輕松設(shè)置測量條件
  • 連接到連接器的電阻測量探針是可更換的，因此它支持廣泛的電阻。
  • （電阻探頭：多可以使用2 + PN判斷探頭）

  • 測量規(guī)格

    測量目標(biāo)

    相關(guān)（硅，多晶硅，碳化硅等）半導(dǎo)體/太陽能電池材料
    的新材料/相關(guān)功能性材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
    導(dǎo)電薄膜相關(guān)的（金屬，ITO等）
    硅基外延離子注入的樣品
    化合物與半導(dǎo)體有關(guān)的（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
    其他（*請與我們聯(lián)系）

    測量尺寸

    無論樣品大小和形狀如何均可進行測量（但是，大于20mmφ且表面平坦）

    測量范圍

    [電阻率] 1 m至200Ω·cm
    （*所有探頭類型的總范圍/厚度500 um）
    [抗熱阻] 10 m至3 kΩ/ sq
    （*所有探頭類型的總范圍）

    *有關(guān)每種探頭類型的測量范圍，請參閱以下內(nèi)容。
    （1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
    0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
    （3 ））高：10至1000Ω/□（ 0.5至60Ω-??cm）
    （4）S高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
    （5）太陽能晶片：5至500Ω/□（0. 2至15Ω-cm）

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