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半導體材料國產(chǎn)化:高純硅片、光刻膠的突破進展

來源:深圳九州工業(yè)品有限公司   2025年06月12日 15:43  
半導體材料的國產(chǎn)化是中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵環(huán)節(jié),近年來在高純硅片和光刻膠領(lǐng)域取得了顯著的突破進展。

一、高純硅片

(一)技術(shù)突破

  1. 提純技術(shù)的提升
    • 背景:高純硅片是半導體制造的基礎(chǔ)材料,其純度直接影響芯片的性能。傳統(tǒng)的硅提純方法存在雜質(zhì)難以完的全去除的問題。
    • 進展:國內(nèi)企業(yè)通過改進多晶硅提純工藝,采用先進的化學氣相沉積(CVD)和區(qū)域熔煉技術(shù),能夠?qū)⒐璧募兌忍岣叩?9.9999999%(即“9N”純度)以上。例如,保利協(xié)鑫等企業(yè)在硅料提純方面已經(jīng)達到了國的際的先的進水平,能夠滿足高的端芯片制造的需求。
  2. 大尺寸硅片研發(fā)
    • 背景:隨著芯片制造工藝的進步,對硅片尺寸的要求越來越高。大尺寸硅片可以提高生產(chǎn)效率,降低成本。
    • 進展:國內(nèi)企業(yè)如中環(huán)股份、滬硅產(chǎn)業(yè)等在大尺寸硅片(如12英寸)的研發(fā)和生產(chǎn)上取得了突破。中環(huán)股份已經(jīng)實現(xiàn)了12英寸硅片的量產(chǎn),并且在質(zhì)量上與國際產(chǎn)品相當。滬硅產(chǎn)業(yè)也在積極推進12英寸硅片的產(chǎn)能擴張,預計未來幾年將大幅提高國內(nèi)大尺寸硅片的自給率。

(二)市場影響

  1. 降低進口依賴
    • 現(xiàn)狀:過去,國內(nèi)半導體企業(yè)對進口硅片的依賴度較高,尤其是高的端硅片。隨著國產(chǎn)高純硅片的崛起,進口依賴逐漸降低。目前,國內(nèi)硅片的自給率已經(jīng)從過去的不到10%提升到30%左右。
    • 意義:這不僅降低了成本,還減少了因國際供應波動帶來的風險,增強了國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)的供應鏈穩(wěn)定性。
  2. 推動產(chǎn)業(yè)升級
    • 作用:國產(chǎn)高純硅片的質(zhì)量提升和產(chǎn)能增加,為國內(nèi)芯片制造企業(yè)提供了更優(yōu)質(zhì)、更穩(wěn)定的原材料。這使得國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)能夠更好地向高的端芯片制造領(lǐng)域進軍,推動整個產(chǎn)業(yè)的升級。

二、光刻膠

(一)技術(shù)突破

  1. 高的端光刻膠的研發(fā)
    • 背景:光刻膠是半導體制造中用于光刻工藝的關(guān)鍵材料,其質(zhì)量直接影響芯片的精度和良品率。高的端光刻膠(如EUV光刻膠)技術(shù)長期被國外壟斷。
    • 進展:國內(nèi)企業(yè)如上海新陽、晶瑞電材等在高的端光刻膠研發(fā)方面取得了突破。上海新陽已經(jīng)成功研發(fā)出KrF(248納米)光刻膠,并實現(xiàn)了小批量生產(chǎn)。晶瑞電材也在積極推進EUV光刻膠的研發(fā),目前已經(jīng)取得了一些階段性成果。
  2. 原材料國產(chǎn)化
    • 背景:光刻膠的原材料(如樹脂、光引發(fā)劑等)的質(zhì)量和供應穩(wěn)定性是影響光刻膠性能的關(guān)鍵因素。
    • 進展:國內(nèi)企業(yè)在光刻膠原材料的國產(chǎn)化方面也取得了進展。部分企業(yè)已經(jīng)能夠自主生產(chǎn)高質(zhì)量的光刻膠原材料,減少了對進口原材料的依賴。

(二)市場影響

  1. 打破國際壟斷
    • 現(xiàn)狀:過去,全球光刻膠市場主要被日本和美國企業(yè)壟斷,國內(nèi)企業(yè)很難進入高的端光刻膠市場。
    • 意義:隨著國產(chǎn)光刻膠的突破,國內(nèi)半導體企業(yè)在光刻膠供應上有了更多選擇,打破了國際壟斷,降低了采購成本。
  2. 助力半導體制造
    • 作用:國產(chǎn)光刻膠的崛起為國內(nèi)半導體制造企業(yè)提供了更可靠的供應保障。尤其是在一些關(guān)鍵節(jié)點(如90納米、65納米等)的芯片制造中,國產(chǎn)光刻膠已經(jīng)開始逐步替代進口產(chǎn)品,提高了國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)的自主可控能力。

三、未來展望

  1. 持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新
    • 高純硅片:國內(nèi)企業(yè)將繼續(xù)在硅片的純度和尺寸上進行技術(shù)突破,進一步提升產(chǎn)品質(zhì)量,滿足更高制程芯片制造的需求。
    • 光刻膠:加快高的端光刻膠(如EUV光刻膠)的量產(chǎn)化進程,提高光刻膠的性能和穩(wěn)定性,縮小與國的際的先的進水平的差距。
  2. 產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同
    • 背景:半導體材料的國產(chǎn)化需要產(chǎn)業(yè)鏈上下游的協(xié)同合作。
    • 措施:國內(nèi)半導體企業(yè)、材料供應商和科研機構(gòu)將進一步加強合作,形成產(chǎn)學研用的協(xié)同創(chuàng)新機制,共同推動半導體材料的國產(chǎn)化進程。
  3. 政策支持
    • 現(xiàn)狀:國家已經(jīng)出臺了一系列政策支持半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,包括對半導體材料研發(fā)和生產(chǎn)的補貼。
    • 展望:未來,政策將繼續(xù)向半導體材料國產(chǎn)化傾斜,通過稅收優(yōu)惠、財政補貼、專項基金等方式,鼓勵企業(yè)加大研發(fā)投入,提高國產(chǎn)半導體材料的市場競爭力。
總之,高純硅片和光刻膠的國產(chǎn)化突破是中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵一步。隨著技術(shù)的不斷進步和產(chǎn)業(yè)鏈的不斷完善,國產(chǎn)半導體材料將在未來發(fā)揮更重要的作用,為國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)的崛起提供堅實的基礎(chǔ)。


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