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儀器配有兩種光源電極臺，一種波長為1.07μm，適合于測量硅單晶塊或棒的體壽命；另一種波長為0.904～0.905μm，適合于測量切割或研磨太陽能硅片的相對壽命，與微波反射法測量條件相近，因此測量值也較接近。
該儀器擴大了晶體少子壽命可測范圍，配有波長為1.07μm的紅外發(fā)光管外及0.904～0.905μm的紅外激光器，使晶體（研磨面）可測電阻率為0.3Ω·cm，壽命可測為0.25μs。
高頻少子壽命測試儀（測單晶用）是按照半導體設備和材料MF1535-0707及GB/T 26068的要求，采用高頻光電導衰減測量方法，適用于硅、鍺單晶的少數載流子壽命測量。
測量太陽電池級硅片、高阻單晶的測試要求，還可測量硅塊亦可測量硅片（硅片可放在托架上測量）。
儀器配備的數字存儲示波器內置軟件可直接讀取壽命值。
規(guī)格參數：
測量型號：N型或P型單晶或鑄造多晶
測量范圍：0.25μS-10ms
電阻率下限：≥0.3Ω·cm
光脈沖發(fā)生裝置
重復頻率：＞15次/S
脈寬范圍：≥10μs
紅外光源波長：1.06-1.08μm
脈沖電流：5A-16A
紅外光源短波長：0.904-0.905μm
脈沖電流：5A-16A
高頻源
頻率范圍：30MHz
輸出功率：＞1W
放大器、檢波器
頻率響應：2Hz-2MHz
放大倍數：約30倍
光源電極臺：測量低阻樣片用；可測縱向放置的單晶、測量豎放單晶橫截面的壽命。
讀數方式：可選配測試軟件或數字示波器讀數
測試軟件：具有自動保存數據及測試點衰減波形，可進行查詢歷史數據和導出歷史數據等操作。
型號：KDKLT-100C
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