普泰克-半導體專用溫控操作使用

一、操作前準備

1. 設備檢查

• 外觀與連接：檢查設備外殼無破損，電源線、信號線（如與工藝腔室的通訊線）、冷卻管路（水冷式）連接牢固，無松動或泄漏。

• 安全裝置：確認急停按鈕、超溫報警、過流保護等安全功能正常（可通過設備自檢模式驗證）。

• 溫控介質：若為液體溫控（如導熱油、去離子水），檢查介質液位在規(guī)定范圍（通?！?0%），無雜質或變質；若為氣體溫控（如氮氣），確認氣源壓力穩(wěn)定（一般 0.4-0.6MPa），純度符合工藝要求（如≥99.999%）。

• 環(huán)境條件：設備工作環(huán)境需潔凈（Class 1000 及以上潔凈室）、無振動（振幅≤0.1μm）、溫度 18-25℃、濕度 40-60%，避免粉塵或腐蝕性氣體影響溫控精度。

2. 工藝參數(shù)確認

• 根據(jù)生產(chǎn)工單明確工藝需求：目標溫度（如退火工藝可能為 1000-1200℃，光刻膠固化可能為 90-120℃）、溫控精度（通常 ±0.1℃，工藝需 ±0.01℃）、升溫速率（如 5-10℃/min）、保溫時間（如 30-60s）、溫控區(qū)域（單點溫控或多點分區(qū)溫控）。

• 確認溫控對象（如晶圓載臺、光刻鏡頭、反應腔內壁）的材質兼容性，避免溫控介質與對象發(fā)生化學反應（如金屬載臺需避免與酸性導熱液接觸）。