ZEM20的成像模式與應(yīng)用探索?

澤攸ZEM20臺(tái)式掃描電鏡雖結(jié)構(gòu)緊湊，但其成像功能卻較為全面，能夠通過(guò)不同的物理信號(hào)獲取樣品信息，從而滿足多元化的分析需求。理解其成像模式是充分發(fā)揮其性能的關(guān)鍵。

二次電子（SE）成像是觀察樣品表面形貌的主要方式。ZEM20的二次電子探測(cè)器對(duì)樣品表面微觀起伏非常敏感。當(dāng)電子束掃描樣品時(shí)，激發(fā)的二次電子數(shù)量會(huì)隨樣品表面的傾斜角度而變化，從而在圖像上形成明暗對(duì)比，呈現(xiàn)出豐富的立體感。這種模式非常適合觀察材料的斷口結(jié)構(gòu)、表面鍍層、纖維形態(tài)、磨損痕跡等，是材料科學(xué)和失效分析中常用的手段。

背散射電子（BSE）成像則提供了另一種重要的信息——成分對(duì)比。背散射電子的產(chǎn)額與樣品元素的原子序數(shù)成正比，原子序數(shù)越大的區(qū)域，產(chǎn)生的信號(hào)越強(qiáng)，在圖像上就越亮。ZEM20配備的BSE探測(cè)器能有效區(qū)分由不同元素構(gòu)成的相。這使得它可用于鑒別合金中的不同相組成、觀察礦石中的礦物分布、檢查焊接界面的材料擴(kuò)散，或識(shí)別集成電路中的不同材料。

低真空模式是ZEM20的一個(gè)實(shí)用特性。在此模式下，樣品室內(nèi)充入少量氣體（如空氣或水蒸氣）。這些氣體分子可以中和照射在不導(dǎo)電樣品表面積累的電荷，從而避免“荷電效應(yīng)”導(dǎo)致的圖像扭曲、漂移和過(guò)亮。這意味著用戶可以直接觀察如塑料、紙張、生物樣品、陶瓷、絕緣涂層等，無(wú)需預(yù)先噴涂導(dǎo)電膜，不僅保護(hù)了樣品原始狀態(tài)，也極大地節(jié)省了制樣時(shí)間和成本。

使用說(shuō)明：在操作中，用戶應(yīng)根據(jù)樣品特性靈活選擇模式。對(duì)于導(dǎo)電良好的金屬、半導(dǎo)體樣品，優(yōu)先使用高真空SE模式以獲得高分辨率圖像。對(duì)于混合材料需要成分區(qū)分時(shí)，切換至BSE模式。而對(duì)于絕大多數(shù)絕緣體，則應(yīng)啟用低真空模式，并可根據(jù)樣品調(diào)節(jié)腔室壓力至最佳狀態(tài)，以獲得無(wú)荷電干擾的清晰圖像。

應(yīng)用實(shí)例：在地質(zhì)學(xué)中，利用BSE模式可輕松分辨出礦石中不同原子序數(shù)的礦物。在高分子材料研究中，低真空SE模式可直接觀察塑料斷口的韌性撕裂特征。在電子產(chǎn)品質(zhì)檢中，無(wú)需制樣即可檢查PCB板上的焊點(diǎn)是否存在裂紋或污染。