高溫老化箱，測(cè)試芯片長(zhǎng)期高溫下性能衰減，篩選耐用元件

一、測(cè)試核心價(jià)值

1. 加速老化過(guò)程：高溫環(huán)境可模擬芯片在長(zhǎng)期使用過(guò)程中的受熱情況，通過(guò)物理和化學(xué)反應(yīng)加速材料退化，提前暴露潛在缺陷。

2. 篩選耐用原件：通過(guò)72小時(shí)持續(xù)測(cè)試，可識(shí)別出在高溫下性能穩(wěn)定的芯片，剔除早期失效產(chǎn)品，降低后續(xù)使用中的故障風(fēng)險(xiǎn)。

3. 提升產(chǎn)品可靠性：測(cè)試數(shù)據(jù)為設(shè)計(jì)改進(jìn)和品質(zhì)評(píng)估提供依據(jù)，幫助制造商優(yōu)化材料選擇、工藝參數(shù)等。
   

二、測(cè)試方案要點(diǎn)

1.溫度與時(shí)間設(shè)置

• 溫度：125℃（行業(yè)常用高溫測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，模擬電子設(shè)備熱環(huán)境極限）。

• 時(shí)間：72小時(shí)（保證數(shù)據(jù)充分性和代表性，平衡測(cè)試效率與成本）。
  

2.測(cè)試項(xiàng)目

• 電氣參數(shù)穩(wěn)定性：監(jiān)測(cè)闕值電壓、漏電流、開(kāi)關(guān)速度等關(guān)鍵指標(biāo)。

• 功能完整性：驗(yàn)證主功能模塊在高溫下是否出現(xiàn)邏輯錯(cuò)誤或失效。

• 功耗變化：觀察功率消耗是否因材料退化或電路異常而增加。
  

三、關(guān)鍵注意事項(xiàng)

1. 溫度均勻性：老化箱內(nèi)部溫度分布不均勻會(huì)導(dǎo)致芯片受熱不足或過(guò)熱，需定期校準(zhǔn)設(shè)備。

2. 樣品預(yù)處理：樣品狀態(tài)需一致（清潔、靜電防護(hù)、包裝完整），避免因初始差異影響結(jié)果。

3. 數(shù)據(jù)采集間隔：長(zhǎng)時(shí)間間隔可能錯(cuò)過(guò)芯片老化初期的關(guān)鍵性能變化，建議縮短采集周期。

4. 環(huán)境濕度控制：高濕度環(huán)境下的熱循環(huán)效應(yīng)不可忽視，需根據(jù)需求選擇合適的試驗(yàn)方案。