CVD試驗
CVD(Chemical Vapor Deposition, 化學氣相淀積),指把含有構成薄膜元素的氣態(tài)反應劑或液態(tài)反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入反應室,在襯底表面發(fā)生化學反應生成薄膜的過程。在超大規(guī)模集成電路中很多薄膜都是采用CVD方法制備。經過CVD處理后,表面處理膜密著性約提高30%,防止高強力鋼的彎曲,拉伸等成形時產生的刮痕。
CVD特點:淀積溫度低,薄膜成份易控,膜厚與淀積時間成正比,均勻性,重復性好,臺階覆蓋性優(yōu)良。
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