半導體HPC清洗機

半導體HPC清洗機專為制程芯片制造需求設計，聚焦納米級顆?？刂?、金屬殘留去除及表面氧化層處理，適用于5nm以下邏輯芯片、3D NAND、HBM等器件的前道清洗工藝。該設備集成濕法化學清洗、兆聲波空化、等離子體活化等多模塊技術，通過智能化流體控制與自動化流程管理，實現(xiàn)晶圓表面潔凈度提升至<0.1nm粗糙度與<0.01μm2顆粒密度，半導體HPC清洗機為光刻、蝕刻等關鍵制程提供超凈表面基礎，顯著提升良品率與性能穩(wěn)定性。

核心技術優(yōu)勢

復合式清洗模式

兆聲波空化技術（SAP）：采用高頻（>1MHz）聲波場，精準剝離<10nm顆粒，避免機械損傷，適用于敏感結(jié)構(gòu)（如FinFET器件）。

等離子體預處理：通過O?/Ar等離子體轟擊，高效分解光刻膠殘留及有機污染物，表面活化能提升后續(xù)清洗液浸潤效果。

化學濕法定制：支持SC-1（H?SO?/H?O?）、SC-2（NH?OH/H?O?）、DHF（稀釋氫氟酸）等配方切換，兼容不同材質(zhì)（Si、SiC、GaAs）的腐蝕與去氧化需求。

精密流體控制系統(tǒng)

動態(tài)液膜分布技術：噴淋臂三維運動軌跡結(jié)合渦旋流控算法，實現(xiàn)清洗液均勻覆蓋，消除晶圓邊緣效應。在線監(jiān)測與閉環(huán)調(diào)節(jié)：實時監(jiān)測電導率、pH值及顆粒濃度，AI算法自動調(diào)整化學液配比與沖洗時間，降低耗材浪費。

超潔凈干燥工藝

低溫旋干技術：利用Marangoni效應快速揮發(fā)水分，結(jié)合N?/IPA（異丙醇）雙介質(zhì)置換，避免水痕與氧化物殘留。

潔凈室級密封設計：腔體采用電解拋光316L不銹鋼，配備HEPA過濾單元（0.1μm截留率），防止二次污染。

智能化與自動化特性

無人值守操作：全自動機械臂完成上料、清洗、干燥及下料，支持24小時連續(xù)運行。

數(shù)據(jù)追溯系統(tǒng)：每片晶圓的清洗參數(shù)（溫度、流速、時間）及潔凈度檢測數(shù)據(jù)自動存檔，符合ISO/SEMI標準。

遠程運維支持：設備狀態(tài)實時上傳至云端平臺，支持故障預警與工藝參數(shù)遠程優(yōu)化。

環(huán)保與經(jīng)濟性設計

廢液循環(huán)處理：內(nèi)置三級過濾系統(tǒng)（UF+RO+離子交換），回收率達90%，降低危廢處理成本。

節(jié)能模式：待機時自動進入低功耗狀態(tài)，化學液加熱采用PID恒溫控制，減少能源消耗。

模塊化適配：可根據(jù)產(chǎn)線需求靈活配置單片/批式清洗模塊，兼容2-12英寸晶圓，降低企業(yè)設備迭代成本