濕法單片刻蝕機(jī) 若名芯
| 參考價(jià) | ￥ 10000 |
| 訂貨量 | ≥1臺(tái) |
- 公司名稱 若名芯半導(dǎo)體科技（蘇州）有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào)
- 產(chǎn)地 江蘇省蘇州市張家港市鳳凰鎮(zhèn)金鳳凰微納產(chǎn)業(yè)園
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2025/7/30 15:12:11
- 訪問次數(shù) 18
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| 非標(biāo)定制 | 根據(jù)客戶需求定制 |
|---|
濕法單片刻蝕機(jī)是一種基于液態(tài)化學(xué)試劑反應(yīng)的半導(dǎo)體制造設(shè)備，專用于對(duì)單塊晶圓進(jìn)行可控的材料去除（刻蝕）。相較于干法刻蝕的離子轟擊物理機(jī)制，該設(shè)備利用溶液溶解原理實(shí)現(xiàn)各向同性或定向性的微觀結(jié)構(gòu)成型，是實(shí)現(xiàn)亞微米級(jí)精度圖案轉(zhuǎn)移的關(guān)鍵工具。其設(shè)計(jì)融合了流體動(dòng)力學(xué)、電化學(xué)和自動(dòng)化控制技術(shù)，廣泛應(yīng)用于集成電路、MEMS傳感器、光電子器件等領(lǐng)域。
核心工作原理
化學(xué)選擇性交聯(lián)反應(yīng)
根據(jù)目標(biāo)材料特性配置特定蝕刻液配方（如氫氟酸用于二氧化硅刻蝕、KOH溶液用于硅襯底異性腐蝕），通過分子級(jí)化學(xué)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)剝離。例如，在CMOS工藝中，采用BOE緩沖氧化物刻蝕劑可精確控制場(chǎng)效應(yīng)管柵極介電層的厚度。
動(dòng)態(tài)均勻性保障系統(tǒng)
旋轉(zhuǎn)卡盤以設(shè)定轉(zhuǎn)速帶動(dòng)晶圓做行星式運(yùn)動(dòng)，配合多通道噴淋臂形成螺旋狀液膜覆蓋，確保徑向刻蝕速率偏差小于±3%。部分機(jī)型引入超聲波輔助振蕩，可有效消除氣泡干擾并加速反應(yīng)產(chǎn)物脫附。
過程參數(shù)閉環(huán)調(diào)控
集成在線厚度測(cè)量?jī)x實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)材料損耗量，反饋調(diào)節(jié)蝕刻液濃度與溫度（精度達(dá)±0.5℃）；壓力傳感器動(dòng)態(tài)平衡腔室內(nèi)部氣壓，防止因揮發(fā)導(dǎo)致的組分漂移。典型工藝曲線支持多段斜率設(shè)置，滿足復(fù)雜輪廓成型需求。
產(chǎn)品創(chuàng)新特點(diǎn)
| 功能模塊 | 技術(shù)突破 | 應(yīng)用效益 |
|---|---|---|
| 智能供液系統(tǒng) | 雙組份在線配比混合裝置，支持從強(qiáng)酸到有機(jī)溶劑的全譜系化學(xué)品兼容 | 避免預(yù)混變質(zhì)，延長(zhǎng)藥液使用壽命至72小時(shí)以上 |
| 邊緣保護(hù)技術(shù) | 電磁吸附式擋環(huán)配合惰性氣體屏障，隔離非目標(biāo)區(qū)域 | 邊緣過刻蝕量控制在5μm以內(nèi) |
| 自適應(yīng)清洗算法 | AI模型基于歷史數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)DIW沖洗時(shí)長(zhǎng)與氮?dú)獯祾邚?qiáng)度 | 殘留物檢測(cè)合格率提升至99.9% |
| 模塊化架構(gòu) | 快速更換的反應(yīng)腔體套件（支持不同尺寸晶圓切換） | 設(shè)備利用率提高40%，維護(hù)停機(jī)時(shí)間縮短至30分鐘 |
典型應(yīng)用場(chǎng)景
制程互聯(lián)孔制備
在3D NAND閃存堆疊工藝中，使用稀釋HF溶液對(duì)層間介電質(zhì)進(jìn)行精確開窗，形成垂直貫通的存儲(chǔ)單元接觸孔。設(shè)備配備的微米級(jí)定位系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)相鄰孔間距誤差小于10nm。
功率器件背金屬化處理
IGBT模塊生產(chǎn)時(shí)，采用磷酸基蝕刻液減薄背面硅基底至目標(biāo)厚度（典型值80μm），同時(shí)保持正面柵極結(jié)構(gòu)的完整性。特殊設(shè)計(jì)的真空吸盤可承載超薄晶圓（<100μm）不產(chǎn)生翹曲變形。
微流控芯片制造
PDMS基微反應(yīng)器加工中，堿性蝕刻液在低溫環(huán)境下（4℃）緩慢溶解聚合物基材，形成高精度微通道網(wǎng)絡(luò)。設(shè)備的低溫模式抑制了材料膨脹引起的尺寸失真。
性能指標(biāo)對(duì)比
| 參數(shù) | 傳統(tǒng)批次式濕法臺(tái) | 新一代單片系統(tǒng) | 提升幅度 |
|---|---|---|---|
| 片內(nèi)均勻性 | ±8% | ±2% | 3倍優(yōu)化 |
| 最小可重復(fù)特征尺寸 | 5μm | 1.8μm | 超越摩爾定律限制 |
| 化學(xué)消耗量 | 150ml/wafer | 30ml/wafer | 80%節(jié)約 |
| 故障恢復(fù)時(shí)間 | 2小時(shí) | <15分鐘 | 92%效率增益 |
行業(yè)價(jià)值延伸
該設(shè)備通過SESCSII標(biāo)準(zhǔn)接口無縫對(duì)接MES系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)從配方管理到質(zhì)量追溯的全流程數(shù)字化控制。在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，針對(duì)GaN材料的高溫蝕刻工藝開發(fā)已取得突破性進(jìn)展，成功應(yīng)用于5G射頻器件的生產(chǎn)。隨著原子層沉積（ALD）技術(shù)的融合應(yīng)用，未來將實(shí)現(xiàn)刻蝕與鈍化的原位一體化處理，推動(dòng)芯片制造進(jìn)入原子級(jí)精調(diào)時(shí)代。
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