同惠TH513半導(dǎo)體C-V特性分析儀參數(shù)測(cè)試儀 參考價(jià)：面議
同惠TH513半導(dǎo)體C-V特性分析儀參數(shù)測(cè)試儀是常州同惠電子根據(jù)當(dāng)前半導(dǎo)體功率器件發(fā)展趨勢(shì)，針對(duì)半導(dǎo)體材料及功率器件設(shè)計(jì)的分析儀器。儀器采用了一體化集成設(shè)計(jì)，二...
TH512 半導(dǎo)體C-V特性分析儀參數(shù)測(cè)試儀 參考價(jià)：面議
TH512 半導(dǎo)體C-V特性分析儀參數(shù)測(cè)試儀是常州同惠電子根據(jù)當(dāng)前半導(dǎo)體功率器件發(fā)展趨勢(shì)，針對(duì)半導(dǎo)體材料及功率器件設(shè)計(jì)的分析儀器。儀器采用了一體化集成設(shè)計(jì)，二極...
TH511半導(dǎo)體C-V特性分析儀參數(shù)測(cè)試儀 參考價(jià)：面議
TH511半導(dǎo)體C-V特性分析儀參數(shù)測(cè)試儀簡(jiǎn)介：TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀是常州同惠電子根據(jù)當(dāng)前半導(dǎo)體功率器件發(fā)展趨勢(shì)，針對(duì)半導(dǎo)體材料及功率器件設(shè)計(jì)的...
HIOKI日置 3506-10電容電阻測(cè)試儀測(cè)量?jī)x 參考價(jià)：面議
HIOKI日置 3506-10電容電阻測(cè)試儀測(cè)量?jī)x：對(duì)應(yīng)1MHz測(cè)試, 低容量,高精度,高速測(cè)試C、(tan δ), Q測(cè)試，低電阻測(cè)量 測(cè)試源頻率：1kHz，...
日置C測(cè)試儀3504-60電容檢測(cè)測(cè)量?jī)x器 參考價(jià)：面議
日置C測(cè)試儀3504-60電容檢測(cè)測(cè)量?jī)x器：封裝機(jī)、分選機(jī)、電容器的合格與否的判斷和等級(jí)分類等C、D 2項(xiàng)目測(cè)試 能以恒定電壓測(cè)量大容量的多層陶瓷電容 靜電容量...
HIOKI C測(cè)試儀3504-50元器件電容檢測(cè)儀器 參考價(jià)：面議
HIOKI C測(cè)試儀3504-50元器件電容檢測(cè)儀器：封裝機(jī)、分選機(jī)、電容器的合格與否的判斷和等級(jí)分類等C、D 2項(xiàng)目測(cè)試 能以恒定電壓測(cè)量大容量的多層陶瓷電容...
HIOKI日置C測(cè)試儀電容測(cè)試設(shè)備 3504-40 參考價(jià)：面議
HIOKI日置C測(cè)試儀電容測(cè)試設(shè)備 3504-40：封裝機(jī)、分選機(jī)、電容器的合格與否的判斷和等級(jí)分類等C、D 2項(xiàng)目測(cè)試 能以恒定電壓測(cè)量大容量的多層陶瓷電容 ...
費(fèi)思FTI5000系列FTI5010-10000保險(xiǎn)絲測(cè)試儀 參考價(jià)：面議
費(fèi)思FTI5000系列FTI5010-10000保險(xiǎn)絲測(cè)試儀是專為保險(xiǎn)絲、熔斷器等產(chǎn)品設(shè)計(jì)的專業(yè)測(cè)試設(shè)備，嚴(yán)格符合GB/T 9364系列、GB/T 31465....
費(fèi)思FTI5000系列FTI5015-1000保險(xiǎn)絲測(cè)試儀 參考價(jià)：面議
費(fèi)思FTI5000系列FTI5015-1000保險(xiǎn)絲測(cè)試儀是專為保險(xiǎn)絲、熔斷器等產(chǎn)品設(shè)計(jì)的專業(yè)測(cè)試設(shè)備，嚴(yán)格符合GB/T 9364系列、GB/T 31465.1...
費(fèi)思FTI5000系列FTI5015-200保險(xiǎn)絲測(cè)試儀 參考價(jià)：面議
費(fèi)思FTI5000系列FTI5015-200保險(xiǎn)絲測(cè)試儀是專為保險(xiǎn)絲、熔斷器等產(chǎn)品設(shè)計(jì)的專業(yè)測(cè)試設(shè)備，嚴(yán)格符合GB/T 9364系列、GB/T 31465.1-...
致茂Chroma Model11090-030射頻LCR表測(cè)試儀 參考價(jià)：面議
致茂Chroma Model11090-030射頻LCR表測(cè)試儀產(chǎn)品特色：●測(cè)試參數(shù):Z,0z,Y, θy, R, X, G, B, Ls, Lp, Cs, C...
Tektronix泰克S530/S540 /S500參數(shù)測(cè)試系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
Tektronix泰克S530/S540 /S500參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)產(chǎn)品簡(jiǎn)介：帶有 KTE 7 軟件的吉時(shí)利 S530 系列參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)提供高速、靈活的配置，能夠隨...
吉時(shí)利Keithley4200A-SCS半導(dǎo)體參數(shù)分析儀 參考價(jià)：面議
吉時(shí)利Keithley4200A-SCS半導(dǎo)體參數(shù)分析儀（參數(shù)測(cè)試儀）加快各類材料、半導(dǎo)體器件和先進(jìn)工藝的開發(fā)，完成制程控制、可靠性分析和故障分析。4200A-...
功率半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
LET-SP802功率半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是一款測(cè)量與分析功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的專用儀器，為所有類型的功率半導(dǎo)體器件提供靜態(tài)參數(shù)測(cè)量解決方案。LET-SP802...
半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)硬件優(yōu)勢(shì):1. 采用先發(fā)布的12 bit 示波器：正確反映波形的細(xì)節(jié)，并準(zhǔn)確計(jì)算出參數(shù)2. 采用先發(fā)布的光隔離、高CMRR探頭系統(tǒng)，解決S...
半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
LET-5000半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是一款測(cè)量與分析功率靜態(tài)參數(shù)的專用儀器，為所有類型的功率器件提供靜態(tài)參數(shù)測(cè)量解決方案。
IGCT自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
IGCT自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)核心是安規(guī)及導(dǎo)通性能測(cè)試的訂制化標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試平臺(tái)，其核心是采用了各種儀器儀表（萬用表、內(nèi)阻測(cè)試儀、安規(guī)測(cè)試儀、電源等）和繼電器板卡、配合測(cè)試機(jī)柜...
第三代功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)可靠性測(cè)試系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
KC-3105 第三代功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)可靠性測(cè)試系統(tǒng)中可同時(shí)完成HTRB和DHTRB測(cè)試，整體架構(gòu)模塊化，通訊協(xié)議、通訊接口等采用統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)，便于后期擴(kuò)展和維護(hù)...
功率半導(dǎo)體高精度靜態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)(實(shí)驗(yàn)室) 參考價(jià)：面議
KC3110功率半導(dǎo)體高精度靜態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)(實(shí)驗(yàn)室)，基于全新三代半SiC, GaN器件和模塊以及車規(guī)級(jí)模塊的新興要求而進(jìn)行的一次高標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品開發(fā)。本系統(tǒng)可以在...
功率半導(dǎo)體高精度靜態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)(生產(chǎn)端) 參考價(jià)：面議
KC3111功率半導(dǎo)體高精度靜態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)（生產(chǎn)端），基于全新三代半SiC, GaN器件和模塊以及車規(guī)級(jí)模塊的新興要求而進(jìn)行的一次高標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品開發(fā)。脈沖信號(hào)源輸...
功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
KC3120功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)可針對(duì)各類型 GaN、Si基及SiC基二極管、 MOSFET、IGBT 等分立器件的各項(xiàng)動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，如開通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間...
IOL間歇壽命試驗(yàn)系統(tǒng)HK-IOL-16H 參考價(jià)：面議
測(cè)試各種封裝的MOSFET、IGBT、三極管、Diode（小電流器件）進(jìn)行連續(xù)工作壽命和間歇工作壽命試驗(yàn)。間歇工作壽命試驗(yàn)利用芯片的反復(fù)開啟和關(guān)閉引起的反復(fù)高溫...
IGBT/SIC模塊功率循環(huán)試驗(yàn)系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
IGBT/SIC模塊功率循環(huán)試驗(yàn)系統(tǒng)華科智源-功率循環(huán)老化設(shè)備主要是針對(duì)IGBT/SIC的封裝可靠性行進(jìn)行實(shí)驗(yàn),通過控制實(shí)驗(yàn)條件再現(xiàn)IGBT封裝的主要兩種失效方...
SIC碳化硅器件參數(shù)測(cè)試儀HUSTEC-3000 參考價(jià)：面議
SIC碳化硅器件參數(shù)測(cè)試儀HUSTEC-3000功能及主要參數(shù)： 適用碳化硅二極管、IGBT模塊\\MOS管等器件的時(shí)間參數(shù)測(cè)試。(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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