目錄:青島森泉光電有限公司>>探測(cè)器>> Thorlabs DET08CFC/M - 銦鎵砷光電探測(cè)器
| 參考價(jià) | 面議 |
| 參考價(jià) | 面議 |
更新時(shí)間：2025-10-28 10:43:00瀏覽次數(shù)：228評(píng)價(jià)
聯(lián)系我們時(shí)請(qǐng)說(shuō)明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息，謝謝!
| 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,電子/電池 |
Thorlabs DET08CFC/M - 銦鎵砷光電探測(cè)器特點(diǎn)：
四種型號(hào)覆蓋波長(zhǎng)范圍400-1700 nm
帶寬從1到5 GHz
上升時(shí)間從50 ps到1 ns
連接到單模(SM)或多模(MM)光纖
FC/PC光纖輸入接頭
SMA輸出接頭
Thorlabs DET08CFC/M - 銦鎵砷光電探測(cè)器提供一系列光纖耦合，高速，高帶寬探測(cè)器，可以連接FC/PC單模或多模光纖。這些探測(cè)器整體的靈敏范圍從可見(jiàn)到近紅外(400-1700 nm)；請(qǐng)?jiān)诒?.2中查看每個(gè)探測(cè)器的準(zhǔn)確光譜范圍。本頁(yè)所有探測(cè)器都有GHz信號(hào)帶寬，和我們其它DET系列一樣使用簡(jiǎn)單。這些探測(cè)器設(shè)計(jì)用于測(cè)試或測(cè)量應(yīng)用，包括數(shù)據(jù)通信、模擬微波和一般的高速光子學(xué)。對(duì)于自由空間探測(cè)，Thorlabs提供高速自由空間探測(cè)器。我們還提供一系列內(nèi)置偏壓光電二極管，它們與光纖耦合光電探測(cè)器一樣使用簡(jiǎn)單，但是工作速度較慢。我們的偏壓光電探測(cè)器兼容臺(tái)式光電二極管放大器和PMT跨阻放大器。
這些光纖耦合探測(cè)器反向偏置，內(nèi)部有偏壓電池，對(duì)入射光產(chǎn)生線性響應(yīng)。為了保持高信號(hào)帶寬，信號(hào)通過(guò)SMA接頭輸出。Thorlabs提供全系列電子轉(zhuǎn)接件和電纜，包括SMA電纜和SMA轉(zhuǎn)BNC轉(zhuǎn)接件，方便在示波器或其它測(cè)量電子設(shè)備上監(jiān)測(cè)信號(hào)。
我們基于硅的光纖耦合探測(cè)器用于400到1100 nm波長(zhǎng)范圍，帶寬可選1 GHz (#DET02AFC)或2 GHz (#DET025AFC)。對(duì)于擴(kuò)展到近紅外的應(yīng)用，可使用我們基于銦鎵砷(InGaAs)的光纖耦合探測(cè)器，其探測(cè)范圍從800到1700 nm，帶寬可選1.2 GHz (#DET01CFC)或5 GHz (#DET08CFC)。對(duì)于高速信號(hào)監(jiān)測(cè)，Thorlabs推薦使用50 Ω負(fù)載電阻。對(duì)于較低帶寬應(yīng)用，我們的可調(diào)終端連接頭或固定終端連接頭可以快速調(diào)節(jié)測(cè)量電壓。
| Item # | DET02AFC | DET025AFC | DET01CFC | DET08CFC |
|---|---|---|---|---|
| Wavelength Range | 400 - 1100 nm | 400 - 1100 nm | 800 - 1700 nm | 800 - 1700 nm |
| Material | Si | Si | InGaAs | InGaAs |
| Bandwidth (-3 dB)a,b,c | 1 GHz | 2 GHz | 1.2 GHz | 5 GHz (Max) |
| Fiber Input | FC/PC | FC/PC | FC/PCd | FC/PC |
| Signal Output | SMA | SMA | SMA | SMA |
| Minimum Resistor Load | 50 Ω | 50 Ω | 50 Ω | 50 Ω |
| Maximum Peak Power | 18 mW | 18 mW | 18 mW | 100 mW |
| Saturation Power (CW) | - | - | 5.5 mW (1550 nm)b | - |
| Output Voltage | 0 to 3.3 V (50 Ω) 0 to 10 V (Hi-Z) | 2 V (Max)e | 0 to 1 V (50 Ω)f 0 to 10 V (Hi-Z) | 2 V (Max)e |
| Rise Time (tr)a,b,c | 1 ns @ 730 nm (Max) | 150 ps @ 653 nm, 20/80% (Typ.) | < 1 nsg @ 1310 nm | 70 ps @ 952 nm, 20/80% (Typ.) |
| Fall Time (tf)a,b,c | 1 ns @ 730 nm (Max) | 150 ps @ 653 nm, 80/20% (Typ.) | < 1 nsg @ 1310 nm | 110 ps @ 952 nm, 80/20% (Typ.) |
| Bias Voltage | 12 V | |||
| Dark Current | 126 pAh | 35 pAa,h | 0.235 nAa,h | 1.5 nAa,h |
| NEP (Maximum) | 9.5 x 10-15 W/√Hz (@ 730 nm) | 9.29 x 10-15 W/√Hz (@ 730 nm) | 4.5 x 10-15 W/√Hz (@ 1550 nm) | 2 x 10-15 W/√Hz (@ 1550 nm) |
| Junction Capacitance | 1.73 pF (Max) | 1.73 pF (Max) | 2.4 pF (Typical) | 0.3 pF |
| Photodiode Element | FDS02 | FDS02 | FGA01FC | - |
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
會(huì)員.png)
7
化工儀器網(wǎng)