目錄:鄭州成越科學(xué)儀器有限公司>>快速退火爐>>真空RTP退火爐>> CY-RTP1000-Φ300-T1200℃RTP退火爐
| 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 價格區(qū)間 | 1萬-2萬 |
|---|---|---|---|
| 儀器種類 | 管式爐 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子/電池,道路/軌道/船舶,鋼鐵/金屬,航空航天,汽車及零部件 |
1200℃RTP退火爐是一款12寸片快速退火爐，采用革新的加熱技術(shù)，可實現(xiàn)真正的基底溫度測量，不需要采用傳統(tǒng)快速退火爐的溫度補償，溫度控制**，溫度重復(fù)性高，客戶包括國際上許多半導(dǎo)體公司及科研團(tuán)隊，是半導(dǎo)體制程退火工藝的理想選擇。
技術(shù)特色：
• 真正的基片溫度測量，無需傳統(tǒng)的溫度補償
• 紅外鹵素管燈加熱
• 極其優(yōu)異的加熱溫度**性與均勻性
• 快速數(shù)字PID溫度控制
• 不銹鋼冷壁真空腔室
• 系統(tǒng)穩(wěn)定性好
• 帶觸摸屏的PC控制
• 兼容常壓和真空環(huán)境，真空度標(biāo)準(zhǔn)值為5×10-3Torr，采用二級分子泵真空度低至5×10-6Torr
• *高3路氣體（MFC控制）
• 沒有交叉污染，沒有金屬污染
產(chǎn)品名稱 | 1200℃RTP退火爐 |
產(chǎn)品型號 | CY-RTP1000-Φ300-T |
基片尺寸 | 12英寸 |
基片基座 | 石英針（可選配SiC涂層石墨基座） |
溫度范圍 | 150-1200℃ |
加熱速率 | 10-150℃/S |
溫度均勻性 | ≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer) ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor) |
溫度控制精度 | ≤ ±3℃ |
溫度重復(fù)性 | ≤ ±3℃ |
真空度 | 5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr |
氣路供應(yīng) | 標(biāo)準(zhǔn)1路N2吹掃及冷卻氣路，由MFC控制（*多可選3路） |
退火持續(xù)時間 | ≥10min@1200℃ |
溫度控制 | 快速數(shù)字PID控制 |
尺 寸 | 890mm*950mm*1400mm |
(空格分隔,最多3個,單個標(biāo)簽最多10個字符)
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