實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目：

1.模擬法測(cè)繪靜電場(chǎng)；

2.亥姆霍茲線圈磁場(chǎng)測(cè)量；

3.線圈的磁場(chǎng)描繪；

規(guī)格參數(shù)：

采用導(dǎo)阻微晶

雙層結(jié)構(gòu)：200*90mm；

描繪平臺(tái)：200*200*4mm電極板可自由更換；

激光描點(diǎn)：激光電源功率2mw，波長(zhǎng)625nm，工時(shí)大于2萬(wàn)小時(shí)；

鍍金彈性探頭，接觸電阻小；

鍍金電極；

電阻微晶介質(zhì)：125*125*0.2mm；

電極板基材：200*150*3mm；

電壓輸出：DC 0-12V連續(xù)可調(diào)，數(shù)顯精度0.01V，短路保護(hù)；

電極板：同軸電纜、平行板電容；

坐標(biāo)平臺(tái)：270*270mm；

亥姆霍茲線圈：R=85×10-3m，a=85×10-3m，N=230匝；

恒流源：0-500mA；

霍耳集成電路磁場(chǎng)強(qiáng)度探測(cè)器：靈敏度K=12.0mV/mT；

數(shù)顯感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)測(cè)量：0-19.99mv；

電壓測(cè)量：0-19.99V、0-199.9mV三位半數(shù)顯；