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等離子增強型原子層沉積設(shè)備(ALD)-TFS200

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參考價 面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 型號 PD-220
  • 品牌 Beneq
  • 廠商性質(zhì) 代理商
  • 所在地 上海市
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更新時間:2025/09/07 21:12:29瀏覽次數(shù):97

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產(chǎn)品簡介

價格區(qū)間 面議 應(yīng)用領(lǐng)域 能源,電子/電池,航空航天,汽車及零部件,綜合
Beneq TFS 200 專為學(xué)術(shù)和企業(yè)研發(fā)而設(shè)計,是一款用途廣泛的原子層沉積 (ALD) 平臺,可在真正的 ALD 模式下提供zhuo越的薄膜質(zhì)量。

詳細介紹

等離子增強型原子層沉積設(shè)備(ALD)-TFS200

Beneq TFS 200 專為學(xué)術(shù)和企業(yè)研發(fā)而設(shè)計,是一款用途廣泛的原子層沉積 (ALD) 平臺,可在真正的 ALD 模式下提供zhuoyue的薄膜質(zhì)量。

該系統(tǒng)的模塊化架構(gòu)允許進行廣泛的升級,確保它可以隨著您的研究需求而發(fā)展,無論多么復(fù)雜。 Beneq TFS 200 支持在各種基板上沉積,包括晶圓、平面物體、多孔材料和具有高深寬比 (HAR) 功能的復(fù)雜 3D 結(jié)構(gòu),即使在KE刻的應(yīng)用中也能實現(xiàn)精確鍍膜。


*的 PEALD 功能

Beneq TFS 200 標配直接和遠程等離子體增強原子層沉積 (PEALD)。利用電容耦合等離子體 (CCP) 源(行業(yè)標準),它有助于從研發(fā)到生產(chǎn)環(huán)境的平穩(wěn)過渡。該系統(tǒng)支持在最大 200 mm 的基板上進行 PEALD 工藝。


針對效率和精度進行了優(yōu)化

•    純 ALD 模式經(jīng)過優(yōu)化,可實現(xiàn)快速、精確的薄膜生長

•    HAR 功能適用于具有挑戰(zhàn)性的結(jié)構(gòu),例如通孔和多孔襯底

•    冷壁真空室內(nèi)的熱壁反應(yīng)室,可實現(xiàn)均勻的熱量分布和快速的腔室更換

•    全面的升級選項,滿足高級研究需求

•    裝載鎖、盒式裝載機和手套箱,用于在受控氣氛下快速傳輸基板


產(chǎn)品

TFS 200型

TFS 500型

  寸:

1325毫米 x 600毫米 x 1298毫米(L*W*H

1800毫米 x 900毫米 x 2033毫米(L*W*H

  法:

研究、生產(chǎn)

研究、生產(chǎn)

  成:

裝載鎖、盒式裝載機、集群或手套箱

裝載鎖、盒式裝載機、集群或手套箱

溫度范圍:

25-500 °C

25 – 500 °C

極低蒸氣

壓前驅(qū)體:

是的

是的

ALD 模式:

熱原子層沉積、低流 HAR、流化床、遠程等離子體 ALD、直接等離子體原子層沉積

ALD、遠程等離子體 ALD、直接等離子體 ALD

技術(shù)信息:


示例應(yīng)用:

•    用于阻擋應(yīng)用的 Al2 O3 ALD

•    半導(dǎo)體應(yīng)用中的 HfO2、SiO2 和 SiN ALD

•    用于光伏電池的 SnO2 ALD

•    用于超導(dǎo)體應(yīng)用的 TiN 和 NbN ALD模塊







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