邯鄲西門子變頻器總代理商

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    SIEMENS潯之漫智控技術(shù)（上海）有限公司
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我公司對網(wǎng)上交易的客戶流程如下幾點(diǎn)：

一、產(chǎn)品報價

我們在收到客戶給出型號、參數(shù)后，會在短時間內(nèi)給您的型號、參數(shù)，進(jìn)行報價，并配合客戶工程師確認(rèn)參數(shù)無誤：是否可以安裝，兼容等項目，確保

二、結(jié)算付款

請按照我司提供的付款方式支付費(fèi)用，并盡可能通知我們，以便我們及時將貨品寄送給您。

三、產(chǎn)品運(yùn)輸

默認(rèn)為快遞方式運(yùn)輸（德邦），在發(fā)貨后會委派專人協(xié)助跟蹤，將貨運(yùn)單號給客戶，以便客戶及時查收，（說明：打包時會用氣泡墊或者海綿之類的東西，把貨物包裹好，以防損壞。）

四、保修服務(wù)

我們會根據(jù)西門子原廠保修標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行，對所售的貨品保修一年，以及在貨品一周后，進(jìn)行回，及時跟蹤設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)，以便我們更好的為您提供優(yōu)質(zhì)的服務(wù)。

西門子竭誠為您服務(wù)

產(chǎn)品品牌：siemens/西門子 產(chǎn)品規(guī)格：*

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SIEMENS  西門子變頻器器技術(shù)參數(shù)

晶閘管燒壞都是由溫度過高造成的，而溫度是由晶閘管的電特性、熱特性、結(jié)構(gòu)特性決定的，因此保證晶閘管在研制、生產(chǎn)過程中的質(zhì)量應(yīng)從三方面入手：電特性、熱特性、結(jié)構(gòu)特性，而且三者是緊密相連、密不可分的，所以在研制、生產(chǎn)晶閘管時應(yīng)充分考慮其電應(yīng)力、熱應(yīng)力、結(jié)構(gòu)應(yīng)力。燒壞晶閘管的原因很多，總的說來還是三者共同作用下才致使晶閘管燒壞的，某一單獨(dú)的特性下降很難造成晶閘管燒壞，因此我們在生產(chǎn)過程中可以充分利用這個特點(diǎn)，就是說如果其中的某個應(yīng)力達(dá)不到要求時可以采取提高其他兩個應(yīng)力的辦法來彌補(bǔ)。

　　從晶閘管的各相參數(shù)看，經(jīng)常發(fā)生事故的參數(shù)有：電壓、電流、dv/dt、di/dt、漏電、開通時間、關(guān)斷時間等，甚至有時控制極也可燒壞。由于晶閘管各參數(shù)性能的下降或線路問題會造成晶閘管燒壞，從表面看來每個參數(shù)所造成晶閘管燒壞的現(xiàn)象是不同的，因此通過解剖燒壞的晶閘管就可以判斷是哪個參數(shù)造成晶閘管燒壞的。

　　電壓引起晶閘管燒壞現(xiàn)象

　　一般情況下陰極表面或芯片邊緣有一燒壞的小黑點(diǎn)說明是由于電壓引起的，由電壓引起燒壞晶閘管的原因有兩中可能，一是晶閘管電壓失效，就是我們常說的降伏，電壓失效分早期失效、中期失效和晚期失效。二是線路問題，線路中產(chǎn)生了過電壓，且對晶閘管所采取的保護(hù)措施失效。

　　電流引起晶閘管燒壞現(xiàn)象

　　電流燒壞晶閘管通常是陰極表面有較大的燒壞痕跡，甚至將芯片、管殼等金屬大面積溶化。

　　di/dt引起晶閘管燒壞現(xiàn)象

　　由di/dt所引起的燒壞晶閘管的現(xiàn)象較容易判斷，一般部是門極或放大門極附近燒成一小黑點(diǎn)。我們知道晶閘管的等效電路是由兩只可控硅構(gòu)成，門極所對應(yīng)的可控硅做觸發(fā)用，目的是當(dāng)觸發(fā)信號到來時將其放大，然后盡快的將主可控硅導(dǎo)通，然而在短時間內(nèi)如果電流過大，主可控硅還沒有*導(dǎo)通，大的電流主要通過相當(dāng)于門極的可控硅流過，而此可控硅的承載電流的能力是很小的，所以造成此可控硅燒壞，表面看就是門極或放大門極附近燒成一小黑點(diǎn)。

　　dv/dt引起晶閘管燒壞現(xiàn)象

　　至于dv/dt其本身是不會燒壞晶閘管的，只是高的dv/dt會使晶閘管誤觸發(fā)導(dǎo)通，其表面現(xiàn)象跟電流燒壞的現(xiàn)象差不多。

　　開通時間引起晶閘管燒壞現(xiàn)象

　　開通時間跟di/dt的關(guān)系很密切，因此其燒壞晶閘管的現(xiàn)象跟di/dt燒壞晶閘管基本類似。

　　關(guān)斷時間引起晶閘管燒壞現(xiàn)象

　　關(guān)斷時間燒壞晶閘管的現(xiàn)象較難分析，其特點(diǎn)有時象電壓燒壞，有時又象電流燒壞，從實踐來看象電流燒壞的時候比較多。

　　以上分析只是從晶閘管表面的損壞程度來判斷其到底是由什么參數(shù)造成的，但無論什么原因損壞都會在晶閘管上留下痕跡，這種痕跡大多是燒壞的黑色痕跡，而黑色痕跡就是金屬熔化的痕跡，就是說燒壞晶閘管的最根本原因是將晶閘管芯片熔化，有的是大面積熔化，有的是小面積熔化。我們知道單晶硅的熔點(diǎn)是1450℃~1550℃，只有超過這個溫度才有可能熔化，那么這么高的溫度是怎么產(chǎn)生的呢？

　　就晶閘管的各項參數(shù)而言即使每相參數(shù)都超出標(biāo)準(zhǔn)很多也不會產(chǎn)生如此高的溫度，因為溫度是由電流、電壓、時間三者的乘積決定的，其中某一相超標(biāo)是不會產(chǎn)生這么高的溫度的，所以瞬時產(chǎn)生的高電壓、大電流是不會將芯片燒壞的，除非是高電壓、大電流、長時間才會如此，但這種情況是不可能出現(xiàn)的，因為晶閘管一經(jīng)燒毀設(shè)備立即就會出現(xiàn)故障，會立即停機(jī)，時間不會很長的，因此燒壞晶閘管芯片的高溫決不是電流、電壓、時間三者的乘積產(chǎn)生的。那么到底是怎么產(chǎn)生的呢？

　　其實無論晶閘管的那個參數(shù)造成其燒壞，最終的結(jié)果都可以歸納為電壓擊穿，就是說晶閘管燒壞的最終原因都是由電壓擊穿造成的，其表面的燒壞痕跡也是由電壓擊穿所引起的，這點(diǎn)我們在晶閘管的應(yīng)用中也能夠證明：在用萬用表測試燒壞的晶閘管時發(fā)現(xiàn)其陰極、陽極電阻都非常小，說明其內(nèi)部短路，到目前為止基本沒發(fā)現(xiàn)有陰極、陽極開路的現(xiàn)象，因為芯片是由不同金屬構(gòu)成的，不同金屬的熔點(diǎn)是不一樣的，總會有先熔化和后熔化之分，是逐漸熔化。