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當(dāng)前位置:深圳市科時達(dá)電子科技有限公司>>儀器儀表>>光學(xué)儀器>> Paios 4.3Paios 載流子遷移率測量系統(tǒng) Fluxim

Paios 載流子遷移率測量系統(tǒng) Fluxim

參   考   價: 500000

訂  貨  量: ≥1 臺

具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號Paios 4.3

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)經(jīng)銷商

所  在  地深圳市

更新時間:2025-10-21 15:00:53瀏覽次數(shù):143次

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價格區(qū)間 30萬-50萬 應(yīng)用領(lǐng)域 能源,電子/電池,航空航天,汽車及零部件,電氣
載流子遷移率測量系統(tǒng)Paios主要用于太陽能電池在穩(wěn)態(tài),瞬態(tài)以及交流條件下的光電性能測量(載流子遷移率測量Photo-CELIV,瞬態(tài)光電流測量TPC、瞬態(tài)光電性能測量TPV、強度調(diào)制光電壓譜IMVS、強度調(diào)制光電流譜IMPS以及阻抗IS,CV等量測)為光電器件微觀機(jī)理研究提供了有力的測試平臺;多功能一體化高性能瞬態(tài)測試平臺,不但可以測量器件的載流子遷移率、載流子壽命、載流子動力學(xué)過程、阻抗等

 

簡介:載流子遷移率測量系統(tǒng)Paios主要用于太陽能電池在穩(wěn)態(tài),瞬態(tài)以及交流條件下的光電性能測量(載流子遷移率測量Photo-CELIV,瞬態(tài)光電流測量TPC、瞬態(tài)光電性能測量TPV、強度調(diào)制光電壓譜IMVS、強度調(diào)制光電流譜IMPS以及阻抗IS,CV等量測)為光電器件微觀機(jī)理研究提供了有力的測試平臺;多功能一體化高性能瞬態(tài)測試平臺,不但可以測量器件的載流子遷移率、載流子壽命、載流子動力學(xué)過程、阻抗譜等,還可以對瞬態(tài)光電流譜TPC,瞬態(tài)光電壓譜TPV、強度調(diào)制光電流譜IMPS、強度調(diào)制光電壓譜IMVS等進(jìn)行測量分析,全面分析器件中的載流子特性和瞬態(tài)過程。


可量測器件類型:
     * 無機(jī)半導(dǎo)體光電器件,有機(jī)半導(dǎo)體光電器件;
     * 有機(jī)太陽能電池OPV;
     * 鈣鈦礦太陽能電池Perovskite Solar Cell,鈣鈦礦LED;
     * 無機(jī)太陽能電池(例如:單晶硅、多晶硅、非晶硅等硅基太陽能電池);
     * 染料敏化太陽能電池DSSC;

主要測量功能:

     * 最大功率點MPP、FF、Voc、Isc、VS 光強,遷移率(I-V測試 & I-V-L測試,空間電荷限制電流SCLC法)

     * 載流子濃度,載流子動力學(xué)過程(瞬態(tài)光電流法 TPC)

     * 載流子壽命,載流子符合動力學(xué)過程(瞬態(tài)光電壓/瞬態(tài)開路電壓法 TPV)

     * 載流子遷移率(暗注入瞬態(tài)法 DIT,單載流子器件&OLED)

     * 串聯(lián)電阻,幾何電容,RC時間(電壓脈沖法 Pulse Voltage)

     * 參雜密度,電容率,串聯(lián)電阻,載流子遷移率(暗態(tài)線性增加載流子瞬態(tài)法 Dark-CELIV)

     * 載流子遷移率,載流子密度(光照線性增加載流子瞬態(tài)法 Photo-CELIV)

     * 載流子復(fù)合過程,朗之萬函數(shù)復(fù)合前因子(時間延遲線性增加載流子瞬態(tài)法 Delaytime-CELIV)

     * 不同工作點的載流子強度,載流子遷移率(注入線性增加載流子瞬態(tài)法 Injection-CELIV)

     * 幾何電容,電容率(MIS線性增加載流子瞬態(tài)法 MIS-CELIV)

     * 陷阱強弱度,等效電路(阻抗譜測試 IS)

     * 遷移率,陷阱強弱度,電容,串聯(lián)電阻(電容VS頻率 C-f)

     * 內(nèi)建電壓,參雜濃度,注入勢壘,幾何電容(電容VS電壓 C-V)

     * 陷阱分析(深能級瞬態(tài)譜DLTS)

     * 載流子傳輸時間分析(強度調(diào)制光電流譜 IMPS);

     * 載流子復(fù)合時間、收集效率等分析(強度調(diào)制光光電壓譜IMVS);

     * 點亮電壓(電流電壓照度特性 I-V-L)

     * 發(fā)光壽命,載流子遷移率(瞬態(tài)電致發(fā)光法 TEL)

     *載流子遷移率(TEL瞬態(tài)電致發(fā)光,Photo-CELIV線性增壓抽取載流子)

     *OLED/鈣鈦礦LED發(fā)光特性測量(發(fā)光器件測量);


測量技術(shù):   

   1)IV/IVL特性:IV和IVL曲線是針對OLED和OPV標(biāo)準(zhǔn)的量測手法,通過曲線可以得到樣品的電流電壓特性關(guān)系、電流電壓與光強的特性關(guān)系;

*對于有機(jī)半導(dǎo)體材料可通過空間電荷限制電流SCLC分析Pmax、FF、Voc、Isc和遷移率等;

   2)瞬態(tài)光電流(TPC):研究載流子動力學(xué)過程和載流子密度等;

   3)瞬態(tài)光電壓(TPV):研究載流子壽命和復(fù)合過程;

   4) 雙脈沖瞬態(tài)光電流(Double Transient Photocurrent):分析電荷載流子俘獲動態(tài)過程;

   5) 暗注入瞬態(tài)法(Dark Injection):對于單載流子器件和OLED,研究其載流子遷移率;

   6) 電壓脈沖法(Voltage Pulse):串聯(lián)電阻、幾何電容和RC效應(yīng)分析;

   7) 暗態(tài)線性增壓載流子瞬態(tài)法(Dark-CELIV):參雜濃度、相對介電常數(shù)、串聯(lián)電阻、電荷載流子遷移率測量;

   8) 光照線性增壓載流子瞬態(tài)法(Photo-CELIV):提取有機(jī)太陽能電池片內(nèi)載流子遷移率mobility,及載流子濃度分析等;

   9) 時間延遲線性增壓載流子瞬態(tài)法(Delaytime-CELIV):復(fù)合動態(tài)過程分析和Langevin復(fù)合因子分析等;

   10)注入線性增壓載流子瞬態(tài)法(Injection-CELIV):電荷載流子濃度和電荷載流子遷移率測量分析;

   11)MIS-CELIV:載流子遷移率量測

   12)阻抗譜測量(Impedance Spectroscopy):器件等效電路分析等;

   13)電容頻率測量法(C-f): 遷移率、陷阱、幾何電容和串聯(lián)電阻測量;

   14)電容電壓測量法(C-V):內(nèi)建電壓、參雜濃度和幾何電容等測量;

   15) 深能級瞬態(tài)譜(DLTS):陷阱分析;

   16)強度調(diào)制光電流譜(IMPS):載流子傳輸時間分析;

   17)強度調(diào)制光光電壓譜(IMVS):載流子復(fù)合時間、收集效率等分析;

   18)瞬態(tài)電致發(fā)光測試(Transient Electroluminescence):抽取OLED器件的載流子,磷光壽命測量;


 

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